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941.
低雷诺数下周期性尾迹/层流分离泡相互作用的大涡模拟 总被引:7,自引:0,他引:7
本文采用大涡模拟(LES)方法,对低雷诺数条件下周期性尾迹/层流分离泡的相互作用进行了数值模拟.计算域入口尾迹采用独立计算的平面尾迹流给出.对周期性尾迹作用下的层流分离泡进行了统计特性及瞬态流场分析,并与相同条件下的无尾迹流动进行比较.计算结果表明:在尾迹作用下,时均层流分离泡长度明显缩短,分离泡变小;相位平均的分离点/再附点随时间不断变化;从瞬态结果容易看出,尾迹诱导的流向涡结构是导致分离泡提前转捩的主要原因. 相似文献
942.
943.
介绍了两种用于环境检测的多点式空气洁净度检测系统:电磁阀控制系统和RS-485总线系统,详细描述了各自的工作原理并比较了其优缺点。 相似文献
944.
电池保护芯片中低功耗技术的研究与实现 总被引:2,自引:0,他引:2
在分析了电池保护电路设计功耗要求的基础上,提出了三种降低功耗的方法,并推导了相应的公式:使用电路休眠技术,减少空闲时不必要的功耗;设计各电路模块的MOS管工作在亚闻值区,减小电路工作时的电流;基准电路中使用耗尽型nMOS管做恒流源,以简单的电路结构,得到与电源电压无关的基准电流和基准电压.从商达到降低功耗的目的。采用这些方法设计出来的CMOS工艺电池保护芯片,休眠时电流为59.2nA,工作时电流也不超过2.46uA,设计取得了成功。 相似文献
945.
电流型PWM DC-DC升压转换器的稳定性分析与实现 总被引:2,自引:0,他引:2
文章先对影响电流型DC-DC升压转换器电路的系统稳定性的因素进行分析,然后在电路设计实现上提出了具体的改进办法:在误差放大器模块增加频率补偿电路来消除放大器反馈环路可能存在的振荡现象:采用斜坡补偿电路来增强反馈电流环路的稳定;为了提高电压反馈环路的稳定性,创新提出在芯片外部增加COMP管脚。内部增加环路补偿电路;输入管脚增加旁路电容以减少噪声;输出管脚增加旁路电容以增强芯片反馈系统的稳定性;通过采取这些措施,保证了芯片电路的的稳定性能,并极大的提高了输出电压的精度,设计取得了很大成功。 相似文献
946.
为了防止芯片过热,文章提出了两种温度检测技术:利用PTAT电流的正温度特性或利用PN结的负温度特性.在此基础上,设计出一种低功耗、具有迟滞功能的热关断电路:电路结构非常紧凑,采用1.5μm的P衬N阱数模混合1P2M BiCMOS工艺.Hspice仿真结果表明:当温度超过150℃时,电路输出发生翻转,禁止芯片工作;当温度降至115℃时,恢复芯片工作.该电路的最大工作电流不超过150μA,能很好地抑制由于电源电压和工艺参数变化造成的热关断阈值点的漂移,适用于各种电源管理芯片. 相似文献
947.
948.
949.
<正> 九、影响玻璃着色的因素1.原子价的平衡玻璃中的某些着色离子具有可变化合价,在玻璃中往往存在两种或两种以上的价态,它们间总是保持一定的平衡状态。如: 相似文献
950.
离子束增强沉积制备氮化硅薄膜的计算机模拟 总被引:1,自引:1,他引:0
Monte-Carlo计算机模拟程序,SIBL,用来描述离子束增强沉积(IBED)制备氧化硅薄膜的生长过程,提供薄膜组分的深度分布及界面混合等有关信息.它是TRIMSP的发展,并利用了ZBL(Ziegler,Biersack,Littmark)最新的二体势和电子阻止本领.模拟计算中,用一个间断交替的薄膜生长过程(先沉积一层硅原子,然后注入一定量的氮离子)来代替实验上一个沉积原子和离子轰击同时进行的连续过程,且在注入一定量的离子后,对每层原子的组份,密度进行修正,使模拟达到动态化.计算结果表明,薄膜组份比随离子原子到达比的变化关系以及组份的深度分布和实验符合很好. 相似文献