模拟铀在钙钛矿中的晶格固化研究

以分析纯CaCO3 、TiO2和CeO2为原料,铈作为铀的模拟元素,通过高温固相反应,在1300℃下保温2h合成了不同Ce掺量的钙钛矿固化体.采用XRD对固化体进行物相分析,同时使用Rietveld全谱拟合方法对其晶体结构进行研究,并用SEM和EDS对固化体的微观结构与成分进行了表征.结果表明,固化体中Ce核素只进入钙钛矿晶格形成固溶体,其中钙钛矿对Ce核素的包容量低于23.21wt;,约为0.2 ～0.25个结构单位;Ce核素掺入后导致钙钛矿晶体结构发生畸变,晶胞参数a、c和晶胞体积V随Ce核素含量的增加而增大,固化体整体上仍保持稳定的钙钛矿晶体结构;SEM分析显示Ce核素的掺入促进了固化体晶粒的长大,且晶粒之间紧密堆积,使得其密度增大、气孔率降低;EDS分析表明A2和A4样品Ce核素的统计平均包容量分别为11.19wt;和19.84wt;,验证了XRD与Rietveld结构精修的分析结果.     

Total ionizing dose effect in an input/output device for flash memory

Input/output devices for flash memory are exposed to gamma ray irradiation. Total ionizing dose has been shown great influence on characteristic degradation of transistors with different sizes. In this paper, we observed a larger increase of off-state leakage in the short channel device than in long one. However, a larger threshold voltage shift is observed for the narrow width device than for the wide one, which is well known as the radiation induced narrow channel effect. The radiation induced charge in the shallow trench isolation oxide influences the electric field of the narrow channel device. Also, the drain bias dependence of the off-state leakage after irradiation is observed, which is called the radiation enhanced drain induced barrier lowing effect. Finally, we found that substrate bias voltage can suppress the off-state leakage, while leading to more obvious hump effect.     

开关电源的PWM-PFM控制电路

本文比较了开关电源中的三种控制方式脉宽调制(PWM)、脉频调制(PFM)、调宽调频(PWM-PFM),并简要介绍了一种新型开关电源,对其新颖、实用的PWM-PFM电路的工作原理作了较详细的分析.实验证明,此电路对输入电压波动较大的工业环境具有很好的适应性.     

基于原子力显微镜的高分子单分子力学研究

原子力显微镜(AFM)从根本上改变了人们对单个原子和分子的作用和认识方式。单分子力谱是基于原子力显微镜力的测量方法。概速了近年来利用基于原子力显微镜的单分子力谱研究单个高分子分子内及分子闻作用力的进展。     

一种可高温运行的离子液体电解质燃料电池

本文采用N-甲基咪唑为原料通过溴盐的中间步骤合成了1-乙基-3甲基咪唑磷酸二氢盐([Emim]H₂PO₄)离子液体。首先利用元素分析和核磁共振确定了其组成,并测量了该离子液体的粘度和电导性能,然后使用多孔的聚偏氟乙烯作为支撑制备了离子液体电解质复合膜,120 ℃时通过交流阻抗测得其电导率为2.7×10^-2 S·cm^-1。最后将该复合膜组装在单电池中测试了不同温度下的性能,常压下120 ℃时可获得0.85 mW·cm^-2的功率密度,结果表明该复合膜的质子传导可以完全不依赖水,从而能够实现高温操作。     

Ce,Sm共掺YAG单晶的生长及其光电性能的研究

采用提拉法生长了不同Sm3+掺杂浓度的Ce,Sm∶ YAG单晶.通过XRD、吸收光谱、荧光光谱对Ce,Sm∶ YAG单晶的晶相、光学特性进行了表征,利用LED快速光谱仪对所封装的LED光源的色坐标、光效、显色指数等特性进行了分析,结果表明采用提拉法生长的Ce,Sm∶ YAG单晶的主晶相为YAG晶相,且随着Sm3浓度的增加,YAG晶相结构并未发生改变;光谱中红光发光强度增加,白光LED显色指数提高;当实际浓度为0.31wt;,切片厚度为0.2 mm时Ce,Sm∶ YAG单晶样品体现了较好的光电性能,其光效为98.837 lm/W、显色指数71.1,可以满足商用白光LED的要求.     

GPS全自动公交语音报站器的研究

针对国内系统报站装置应用的现状．提出一个基于GPS全球定位的公交全自动报站系统。该装置公交采用MCS-51单片机及GPS定位技术．利用GPS模块测得的经纬度信息与存储在单片机中的站点的经纬度信息相比对,无论上行线路,还是下行线路,均能准确判断是否到站。同时,采用基于文本的语音合成技术,真正实现了全自动、准确地播报站名及服务提示信息。     

有线电视机房UPS电源供电系统的设计探讨

随着有线电视业务的不断增长,前端机房中的设备也日益增多。这些设备要求电源有一定的稳定性,即电压要在额定范围内,电源不能经常性突然断电,否则极易损坏设备,尤其是光发射机和计算机这样的设备。因此大多数的有线电视前端机房中都配备有大功率的UPS电源。UPS电源可以向负载提供电压、频率稳定,波形失真小的高质量电源,并且在进行逆变和旁路切换时可以做到对负载供电不间断。     

基于异周期循环前缀的OFDM频偏估计方法

设计了一种具有异周期毗邻结构的新型循环前缀(Heter-cycle abutted CP,HCA-CP),并提出了相应的OFDM频偏估计算法.该异周期毗邻结构循环前缀由CP1和CP2两部分构成,使OFDM符号具有双周期特征.通过引入较短的CP1,牺牲极少的资源,可以有效克服现有频偏估计方法中的固定频偏估计范围的缺陷,同时具有频偏估计范围大,精度高的特点.     

失效器件分析

As重掺杂Si片的电阻率可低到10-3 Ω·cm,可用作外延片的衬底材料,对于正向压降低的半导体器件来说,用这类外延片制作器件是最恰当的选择.As重掺杂Sj片在外延时容易产生气相自掺杂,尤其是同型外延时还存在固态外扩散现象,在整个制作器件过程中易产生工艺参数偏差,导致器件性能下降,严重时器件失效,当然衬底材料也可以选用价格较高的背处理工艺Si片,能有效地抑制由于后续加工工艺产生的许多缺陷.对某生产厂生产的一批器件电参数性能下降的原因进行了剖析,分析阐明了以As重掺杂Si片为衬底的外延片中衬底杂质对器件质量的影响.