BF+2注入的多晶硅薄膜快速热退火后氟行为的研究

本文报道BF_2~+注入的多晶硅薄膜经快速热退火后的物理和电学性质。发现造成氟异常分布的原因是由于快速热退火过程中氟的外扩散以及在多晶硅/二氧化硅界面处的聚集。在注入剂量为1×10~(15)和5×10~(15)cm~(-2)的样品中,经快速热退火后可以观察到氟泡。     

长途客运汽车自动乘客计数系统研究

长途客车的超员问题所造成的交通事故占有很大比重,对社会和家庭都将造成严重的影响。长途客运汽车自动乘客计数系统是一种小型独立工作设备,可以使长途汽车的超载、超员情况得到控制,从而减少长途客运车辆的重、特大道路交通事故的发生机率。综述了长途客运车辆自动乘客计数系统的研究现状,结合现有自动乘客计数系统的特点,建立了长途客运汽车自动乘客计数系统,并给出了该自动乘客计数系统的功能和原理。随着长途客运管理自动化、信息化和规范化进程的加快,本系统将在长途客运领域中得到广泛的应用,同时也必将具有较强的推广价值和应用前景。     

认知异构蜂窝网络中改进蜉蝣算法的资源分配策略

针对认知异构蜂窝网络中上行链路资源分配的优化问题,提出认知异构蜂窝网络中改进离散蜉蝣算法的资源分配算法。认知异构蜂窝网络模型中,考虑用户层间干扰和带外干扰引入功率控制策略控制发射功率来干扰抑制,基于用户服务质量（QoS）需求和干扰阈值约束,最大化能量效率为优化目标,利用改进离散蜉蝣算法优化求解得出最优分配方案。引入不完全Gamma和Beta分布函数的动态自适应权重、黄金正弦位置更新策略,提升蜉蝣算法的收敛速度和搜索能力。仿真实验表明,基于接收SINR的闭环功率控制动态调整用户端的发射功率,能有效抑制用户间的干扰,GSWBMA求解资源分配问题具有良好的寻优效率和收敛性能,有效提升系统能量效率和用户传输速率,保证用户QoS需求。     

自旋尾翼弹头的双基地微多普勒研究

微动特征是弹道中段目标雷达识别的有效特征之一。针对基于自旋尾翼弹头的双基地微多普勒的自旋和结构参数估计问题,该文首先建立了自旋尾翼弹头双基地散射中心的微多普勒模型,然后利用FEKO计算了尾翼弹头的双基地散射系数,通过对散射系数序列的时频分析,验证了模型的正确性,同时总结了自旋尾翼弹头的双基地微多普勒特性,再分析了估计自旋和结构参数的可行性,最后,由于闪烁效应导致Hough变换已不能有效估计参数,该文提出了利用闪烁效应估计参数的新思路。     

一种基于高速并行A／D转换的激光Z扫描的高频窄脉冲信号幅值测量系统的设计

提出了一种基于激光Z扫描的高频窄光脉冲信号幅值测量的电路设计,采用MAX964进行高速并行A/D转换,并以AT89C52单片机作为处理器,通过RS 232C串行口通讯,实现对高频窄脉冲激光信号幅值测量数据实时采集.给出实验采集的多组数据,通过对实验数据的分析,说明该设计可准确测量宽度约4～5 ns高频窄激光脉冲信号的幅度,测量误差约为:±3%～±5%,由此使Z扫描实验系统大大简化.     

基于单片机的Chebyshev神经网络硬件设计

介绍了Ｃｈｅｂｙｓｈｅｖ神经网络简洁拓扑结构及逼近任意非线性映射的优异特性,并提出了一种神经网络硬件设计方法。     

基于小波PCA与BP神经网络的人脸识别算法

特征提取和分类器设计是人脸识别算法中的两个关键问题。提出一种基于二次小波变换、PCA算法与BP神经网络的人脸识别算法。该算法采用二次小波变换与PCA相结合的算法提取人脸图像的主要特征,并运用加入动量项的改进BP神经网络算法进行人脸图像分类识别。在MATLAB环境下,利用ORL人脸图像数据库进行了仿真实验,实验结果表明,该算法实现简单、识别速度快、识别率较高。     

峰值电流模式降压DC／DC变换器芯片设计

设计了一种基于UMC 0.6μm BCD工艺的降压DC/DC转换芯片.采用固定频率脉宽调制(PWM)、峰值电流模式控制结构以提供优良的负载调整特性和抗输入电源扰动能力;在电流检测输出加斜坡补偿消除峰值电流模式次谐波振荡;设计增益较高、带宽较大的电压反馈误差放大器以提供大的负载调整率和提高负载的瞬态响应能力;设计高单位增益带宽的PWM控制器以适应高开关频率工作的要求,同时提高转换效率.系统仿真结果表明,在4~20 V的输入电压范围内,芯片的开关频率为600 kHz,开关电流限制值为1.8 A,典型应用下转换效率高达90%,并具有良好的抗输入扰动和负载调整能力、快速的瞬态响应能力、小的输出纹波等特点.     

Bias dependence of a deep submicron NMOSFET response to total dose irradiation

Deep submicron n-channel metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (NMOSFETs) with shallow trench isolation (STI) are exposed to ionizing dose radiation under different bias conditions.The total ionizing dose radiation induced subthreshold leakage current increase and the hump effect under four different irradiation bias conditions including the worst case (ON bias) for the transistors are discussed.The high electric fields at the corners are partly responsible for the subthreshold hump effect.Charge trapped in the isolation oxide,particularly at the Si/SiO 2 interface along the sidewalls of the trench oxide creates a leakage path,which becomes a dominant contributor to the offstate drain-to-source leakage current in the NMOSFET.Non-uniform charge distribution is introduced into a threedimensional (3D) simulation.Good agreement between experimental and simulation results is demonstrated.We find that the electric field distribution along with the STI sidewall is important for the radiation effect under different bias conditions.     

强流脉冲电子束应力诱发的微观结构

利用强流脉冲电子束装置在各种工艺条件下对奥氏体不锈钢、单晶铝及多晶铝等面心立方金属进行辐照处理.利用扫描电子显微镜和透射电子显微镜等详细分析了辐照样品的变形组织与结构.通过分析，在一定程度上建立起强流脉冲电子束诱发的应力特征与变形结构之间的关系，并对目前现有的几种应力波数值模拟结果进行了分析.实验结果表明，强流脉冲电子束能够在材料内部诱发10²—10³MPa的应力，其传播方式与材料的 晶体结构关系密切.这一应力是导致材料深层性能与微观组织结构发生变化的根源所在. 关键词： 强流脉冲电子束 应力 微观结构 变形