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本文从干法腐蚀角度出发,首先从数学上分析了多晶硅角度,SiO_2边墙的宽度和高度,衬底损失与各工艺参数间的关系,指出边墙的宽度和高度分别取决于多晶硅的角度和过腐蚀量。在Tegal1512e设备上,采用Cl_2、SF_6、N_2混合气体,开发了多晶硅干法腐蚀工艺,讨论了LDD的正胶掩膜及SST的SiO_2掩膜对工艺的不同影响。SEM分析发现了SF_6气体腐蚀的各向同性。在Tegal903e设备上,采用CHF_3、SF_6、He混合气体,开发了SiO_2边墙干法腐蚀工艺,研究了腐蚀的各向异性,辐射损伤,选择比,均匀性及重复性的控制方法。取得的工艺结果为,腐蚀速率(?)_(sio_2)≈400nm/min,均匀性U≤±5%,选择比S_(f8)>10,工序能力指数C_p>1。 相似文献
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新一代高速逻辑器件需要更高速的测量仪器,如微徽秒级的精度和重复性。本文从理论和实验上来讨论怎样建立这种微微秒级的测量系统,提出影响精度的各种因素和有关它们的误差分析,并推荐一套优化系统。 相似文献
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The optical property,structure,surface properties(roughness and defect density)and laser-induced dam- age threshold(LIDT)of TiO_2 films deposited by electronic beam(EB)evaporation of TiO_2(rutile),TiO_2 (anatase)and TiO_2 Ta_2O_5 composite materials are comparatively studied.All films show the polycrys- talline anatase TiO_2 structure.The loose sintering state and phase transformation during evaporating TiO_2 anatase slice lead to the high surface defect density,roughness and extinction coefficient,and low LIDT of films.The TiO_2 Ta_2O_5 composite films have the lowest extinction coefficient and the highest LIDT among all samples investigated.Guidance of selecting materials for high LIDT laser mirrors is given. 相似文献
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臭氧层的化学破坏及其对策 总被引:1,自引:0,他引:1
臭氧层的化学破坏是人类的重大环境问题。本文对臭氧层的形成,作用,臭氧层破坏的后果,破坏臭氧层的物质及作用机制和保护臭氧层的对策作了探讨。 相似文献
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单片机以它优异的性能价格比已风靡于全世界,为各类产品的智能化提供了有力的手段,通信系统产品也不例外。如何应用单片机来提高通信设备的性能或扩展通信设备的功能已是一个十分重要的众所关心的课题。我们结合产品的开发工作,对通信设备中应用单片机的几种典型软件设计作一介绍,以当前广泛采用的Intel公司MCS—51系列单片机指令系统为例。 相似文献
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