H^＋注入锗酸铋晶体表面层的性质

Ｈ＾＋注入锗酸铋（Ｂｉ４Ｇｅ３Ｏ１２或ＢＧＯ）晶体引起某些效应，如辐射损伤，光学吸收和近表层区域的晶体分解。经Ｈ＾＋注入后，ＢＧＯ晶体的颜色变成棕色，但实验中证实不了该变化是由色心的产生所引起。此外，实验中也示观察到Ｈ＾＋注入ＢＧＯ晶体中有离子束诱发的光学活性变化。可见在注入过程中，未发生从Ｂｉ４Ｇｅ３Ｏ１２转变到Ｂｉ１２ＧｅＯ２０的结构相变，由此预见，注入过程中可能发生离子束引起的晶体分解。Ｈ＾     

高温超导Bolometer研制

<正>Bolometer是一种宽带红外信号检测器,它被广泛用于检测低速远红外信号源.它的应用背景是器件吸收热辐射将产生温度变化,致使器件的电阻发生灵敏变化,从而达到检测信号的目的.理论计算表明,Bolometer的电压响应率R_v,可以由下式表示:     

小型CRT－LCLV组合器件

选用１英寸阴极射线管（ＣＲＴ）和液晶光问（ＬＣＩ－Ｖ）研制成直径１英寸的ＣＲＴ－ＬＣＬＶ组合器件，介绍了组合器件的工作原理、制作工艺和性能指标，并给出了在小型光学相关器上的应用实例．     

任意二次型双曲面扁薄壳的基本解

本文对任意二次型双曲面扁薄壳的八阶偏微分方程采用平面波分解和小参数法导出了它的基本解。 在基本解的基础上,本文还得出边界为无限大时薄壳在集中荷载作用下的格林函数,适用于以边界积分方程法来分析具有任意边界条件的这类薄壳结构在任意荷载作用下的位移与内力,与一般有限单元法相比,它能较大的地节省计算机的内存和缩短分析时间。     

电子产品的模糊随机统计

电子产品,如电视机、收音机、录音机等,都是由成千上万个元器件组成的每一种元器件都有好或坏的问题.为了保证最终产品的质量,工厂从设计、生产到销售的各个环节,都有严格的质量管理制度,从而也日复一日、年复一年地进行着大量的统计.传统的统计方法和理论是建立在事件的随机性上的,但客观事物往往还有“模糊性”的一面. 一、模糊概率的概念 传统的概率论只研究事件的随机性.如某生产流水线的合格品率是99%,即任意抽取一件产品,有99%的可能抽到合格品.这里,“事件”是确定的。抽到合格品,但事件的出现与否是不确定的:有99%的可能出现,也有1%…     

半导体器件的粘结密封

微波半导体器件的粘结密封法是近年来发展较快,效果较好的新型封装方法之一,是有发展前途的。 半导体器件的粘结密封法的突出优点是能简化复杂的管壳结构,缩小尺寸,减轻重量、促进小型化,有利于提高器件的频率性能、输出功率和功率增益等,可以提高封装成品率。还能简化操作工艺,降低成本,可靠性高,其密封性可以达到5×10~(-8)Torr.L/sec。 粘结密封法成功与否,对封装工作者而言,关键是管壳设计的合理性,粘结剂的选择及封装工艺的掌握等。本文就粘结剂的选择和性能、封装工艺及可靠性等作一归纳介绍。     

单晶Cu(001)薄膜塑性变形的分子动力学模拟

使用分子动力学方法,模拟研究了单晶Cu(001)薄膜在双向等轴拉伸应变下的塑性变形行为.当应变超过一定值时,样品通过产生位错、层错及孪晶而发生塑性变形.当应变相对较低时,不全位错首先在薄膜表面形核并在密排面上滑移,留下堆积层错;当应变增加时,位错在表面与内部同时成核生长,层错数量也随之增加.分析了相邻滑移面上的位错之间相互作用形成孪晶的微观过程.材料内部形成大量堆积层错及孪晶后,较大孪晶的密排面上的原子也会发生滑移,形成孪晶内部的层错结构以释放残余应力.     

SiO2保护膜对高反膜激光损伤特性的改善

 为了研究高功率系统中高反膜的损伤机制,对高功率系统中最常用的基频高反膜进行了损伤实验。利用台阶仪、扫描电镜、表面轮廓仪等手段,对实验样品的典型损伤形貌进行了比较和分析。结果表明：保护膜的存在增强了样品的抗激光损伤能力;未加保护膜样品的典型破坏形貌是由材料热物特性差异导致的分层剥落损伤,这类损伤在后续的脉冲辐照下会迅速发展;有保护膜样品的典型破坏形貌是中心带有μm量级小坑的等离子体烧蚀损伤区,其主要是由缺陷受热力作用喷溅导致,小坑附近膜面的凸起是这种力学作用的宏观体现,这类损伤在后续的脉冲辐照中表现得相对比较稳定。保护膜的存在,在一定程度上抑制了分层剥落这种灾难性损伤的出现,改善了样品的损伤特性。     

5G通讯在气象业务中的应用场景

随着5G通讯技术的发展成熟,应用范围在不断扩大。对于气象业务而言,为了提升工作水平,要积极引入5G通讯技术,建立起完善的网络系统,为气象业务质量提供可靠保障。文章先介绍5G通讯相关内容,再分析应用在气象业务中的重要性,最后论述应用场景,以促进我国气象事业更好发展。