高效液相色谱研究丝素亲核基团与一氯均三嗪型活性染料反应动力学

以异丙胺、对甲酚和甲醇分别模拟蚕丝丝素的氨基、酚羟基和醇羟基,应用高效液相色谱分析一氯均三嗪型活性染料与蚕丝丝素的不同亲核基团的反应速率.结果表明:在pH=8～10、70～95 ℃的条件下,染料的酚解总反应速率远大于染料的氨解总反应速率和醇解总反应速率.其中C.I.活性红24 和C.I.活性橙2在pH=9,95 ℃条件下的酚解总速率分别约为其氨解总反应速率的8.5倍和12.5倍,为其醇解总反应速率的23倍和50倍;该两染料的酚解效率分别为47.4和96.3,氨解效率分别为4.6和6.9,醇解效率仅为1左右.通过异丙胺-对甲酚-甲醇混合溶液(1∶ 10∶ 100,V/V)模拟蚕丝与染料的反应,研究一氯均三嗪型活性染料与丝素上亲核基团的反应选择性,推断出一氯均三嗪型活性染料染蚕丝的最适宜条件为pH=8～9,温度85 ℃左右.在此条件下,酚羟基在蚕丝的一氯均三嗪型活性染料染色中起主要作用,氨基起次要作用,而醇羟基的作用甚微.     

MOCVD生长GaN材料的模拟

基于计算流体力学在三维空间中模拟了水平行星式金属有机物化学气相沉积(MOCVD)反应器生长GaN材料的流场、热场、反应物与生成物的分布以及材料生长速率等重要物理参数.计算结果与同样条件下的实验结果吻合程度相当高,表明化学反应机理和计算方法是非常可靠的,能够以此来模拟和指导GaN基材料的MOCVD生长工艺.研究并讨论了GaN的MOCVD生长中输入Ⅴ/Ⅲ比、进气口双束流上下比、总流量、反应室压力等工艺条件对局域Ⅴ/Ⅲ比的影响.     

双向HFC网络上行信号系统的原理与设计

本对有线电视的基本业务，扩充业务和增值业务的范围以及双向传输系统的涵义作了说明，介绍了实现双向传输的方法及上行信号频率范围的划分、双向光缆ＣＡＴＶ系统的组成、上行信号的处理、双向系统的特点及注意事项，双各滤波器与双向放大器、上行信号的容量与调制、传输系统状态的自动检测、双向光缆传输诉设计以及上行信号三大指标的验算方法。，     

成对载波多址系统中干扰信号延时的估计

为了满足对宽带、多媒体通信的需求，卫星通信中许多有效的容量倍增技术被广泛运用，成对载波多址复用技术是其中一种。文章介绍了成对载波多址技术的基本概念，分析了系统处理全过程中的关键技术，进而提出了一种适合成对载波多址系统的干扰信号延时的估计算法，并对其性能进行了仿真。仿真结果表明，该算法在一定的频偏范围内，能够准确捕获信号时延并精确跟踪。     

高温偏压对混合集成电路中环氧粘接性能的影响

本文针对混合集成电路组装过程中，某些热导率较高的环氧粘接剂在高温加电老化条件下出现的局部变色现象开展实验研究，对选购的粘接剂设计特定测试样品，通过加速高温加电老化实验，研究局部变色“电迁移”现象与样品类型（添加物成分）和几何、温度等因素的关系。采用微观分析方法证明局部变色现象与Fe、Ni等杂质离子迁移有关。本研究工作为后续粘接剂的选型及使用提供指导及实验依据。     

掺杂条件对聚苯胺膜导电性能影响的研究

采用对甲基苯磺酸和磺基水杨酸作掺杂剂，对聚苯胺自支撑膜进行了掺杂研究，考查了掺杂时间，温度以及掺杂溶液浓度对其导电性的影响，并用红外光谱及显色反应对掺杂产物进行了表征。结果表明，掺杂温度对聚苯胺膜电导率的影响较大，通过控制温度，可以制备出电导率达盐酸掺杂水平的导电膜，即－１０＾３Ｓ．ｍ＾－１，且具有良好的环境稳定性，在空气中放置一年，其电导率基本保持不变。     

IP传真技术

随着世界范围内Ｉｎｔｅｒｎｅｔ网络基础设施的高速发展，基于ＩＰ技术的各种应用迅速发展，其中ＩＰ传真就是近年来兴起的实用技术。目前ＩＰ传真技术可以在Ｉｎｔｅｒｎｅｔ上实现基于存储转发模式的传真通信。与传统的传真业务相比，ＩＰ传真具有巨大的优势和广阔的市...     

Growth Characteristics and Mechanism of Surface and Bulk Damage in KDP and DKDP Crystals

By testing the number increase and size growth of surface and bulk laser induced damage in KDP and DKDP crystals, we observe different growth characteristics of surface and bulk damage under multiple 355nm laser irradiations. The size of the surface damage grows exponentially, but that of the bulk damage does not grow. In contrast, the bulk damage number increases, but that of surface damage does not increase significantly. We attribute the differences to the different formation of the damage initiators and the different damage testing volumes.     

基于HMI与PLC的变频调速系统的设计

介绍了触摸屏在交流变频调速系统的应用与发展,阐述了应用于实验室教学活动中的触摸屏在可编程控制器(PLC)控制变频器完成多段速和无级调速两种速度控制模式中的应用。实际运行证明,该系统成本低,运行可靠,柔性强,响应速度快,安全性较高,对学生掌握工控中简单系统的建立有着很好的启发作用,具有很好的教学效果。     

0.1μm SOI槽栅pMOS器件特性

制造了栅长0.1μm,栅氧厚度5.6nm,栅槽180nm的SOI槽栅pMOSFET.给出了器件的转移特性和输出特性.在Vds=-1.5V时,其饱和漏电流为380μA,关态泄漏电流为1.9nA;在Vds=-0.1V下的亚阈值斜率为115mV/dec,DIBL因子为70.7mV/V.实验结果表明,0.1μm SOI槽栅pMOSFET比同尺寸体硅槽栅pMOSFET拥有更好的电流驱动能力和亚阈值特性.