三维多孔锌钨氧化物异质结的制备、组分调控与光催化性能

采用真空冷冻干燥技术, 通过调控前驱体溶液的组成, 实现了锌钨氧化物异质结材料的可控制备. 前驱物中高分子的引入使煅烧后的氧化物材料很好地保持了三维连通的多孔结构. 光催化实验结果表明, 获得的系列材料均能够实现对罗丹明B的脱色降解, 并表现出组分依赖的光催化活性. 氧化锌/钨酸锌三维多孔异质结材料相比于其它样品具有更高的光催化活性, 可在180 min内将罗丹明B完全脱色.     

纳米Yb:LuScO3的制备和发光

采用液相共沉淀方法,制备了纳米材料Yb:LuScO3。X射线衍射分析结果表明,它的晶格参数为a=1.0126nm,粒度为50nm。在937nm光激发下,发射谱带很宽,发射峰分别位于976,1037,1085nm。通过漫反射吸收光谱,确定零吸收线在976nm处,能级分裂达1029cm-1,表明它的晶场分裂比较大。     

气相色谱-质谱同时测定食品包装材料中9种光引发剂

建立了同时测定食品包装材料中二苯甲酮、4-甲基二苯甲酮、4-氯二苯甲酮、1-羟基环己基苯基甲酮、对二甲氨基苯甲酸乙酯、对二甲氨基苯甲酸异辛脂、2-氯硫杂蒽酮、2-异丙基硫杂蒽酮和2,4-二乙基硫杂蒽酮9种光引发剂的气相色谱-质谱法。通过单因素实验和正交试验确定了以15mL二氯甲烷,于40℃下超声提取20min的样品前处理条件。在优化的柱温程序下9种光引发剂目标物获得较好分离,质谱选择离子扫描定量。方法的检出限(S/N=3)为0.7840~7.699μg/L,3种不同标准添加水平下的平均回收率为92.44%~110.6%,相对标准偏差为1.60%~9.46%(n=6)。方法简便、快速、灵敏、准确,可用于食品包装材料中光引发剂的分析监测。     

CMTS,EPON和EoC的封装方式比较

详细介绍了以太网帧格式,较全面地分析了广电网络双向改造常用的CMTS,EPON和EoC技术在MAC层不同的封装方式,从而帮助读者更好地理解以太网帧在这3种方式上透明传输的工作过程,对于平时的技术维护、设备维护和技术学习都有很大的帮助。     

用不同的Mo靶溅射功率制备Mo/Si多层膜

 用磁控溅射法制备了周期厚度和周期数均相同的Mo/Si多层膜,用原子力显微镜和小角X射线衍射分别研究了Mo靶溅射功率不相同时,Mo/Si多层膜表面形貌和晶相的变化。随后在国家同步辐射实验室测量了Mo/Si多层膜的软X射线反射率。研究发现,随着Mo靶溅射功率的增大,Mo/Si多层膜的表面粗糙度增加,Mo的特征X射线衍射峰也增强,Mo/Si多层膜的软X射线峰值反射率先增大后减小。     

0.18 μm 1.8 V 10 bit 100 MS/s CMOS电流舵D/A IP设计与验证

基于GSMC 0.18μm CMOS工艺,采用曲率补偿带隙参考电压源和中心对称Q2随机游动对策拓扑方式的NMOS电流源阵列版图布局,实现了一种10 bit 100 MS/s分段温度计译码CMOS电流舵D/A转换器.当电源电压为1.8 V时,D/A转换器的功耗为10 mW,微分非线性误差和积分非线性误差分别为1 LSB和0.5 LSB.在取样速率为100 MS/s,输出频率为5 MHz条件下,SFDR为70 dB,10 bit D/A转换器的有效版图面积为0.2 mm2,符合SOC的嵌入式设计要求.     

稀土激光晶体研究进展

简述了近年来掺稀土激光晶体的研究进展,详细介绍了若干新型掺稀土激光晶体的结构、热力学性能、机械性能、光谱特性和激光性能.发现激光晶体正朝着改善晶体物理性能、提高输出光强、拓宽输出波长范围的方向发展,而且由于激光二极管性价比的提高,探索适用于LD泵浦的激光晶体将成为主流.本文为进一步研究和应用这些激光晶体提供了参考.     

FIA—安培法测定水中的Cr（Ⅲ）和Cr（Ⅵ）

流动注射分析(FIA)测定铬的主要方法有FIA-AAS、FIA-AES和FIA-VIS。Pratt等用铂和金电极流通池、Hwang等用玻璃碳和金电极流通池分别建立了测定Cr(Ⅲ)和Cr(Ⅵ)的FIA安培法,检出限依次是5ng/mL和0.5ng/mL。鉴于Cr(Ⅵ)在负电位下能被还原的性质,我们用廉价的碳作电极材料,用FIA安培法测定了天然水中的痕量铬,结果亦令人满意。 FIA安培法测定系统见图1.TRB-8蠕动泵、注射阀均系东北电力学院仪器仪表厂产品,     

全电介质脉宽压编光栅的研究进展

超短脉冲超高能量激光器作为研究光和物质相互作用以及惯性约束聚变的手段而得到了广泛的应用.综述了应用于啁啾脉冲放大(CPA)系统的脉冲压缩光栅(PCG)的发展概况;分析和评述了脉宽压缩光栅的设计原理和制作工艺,并给出了脉宽压缩光栅的发展展望.实践和理论证明采用多层膜介质衍射光栅是实现高性能脉宽压缩光栅的一种优良的设计方案.     

Suppression of ion migration in perovskite materials by pulse-voltage method

Hybrid halide perovskites have great potential for applications in optoelectronic devices. However, the typical ion migration in perovskite could lead to the non-repeatability of electrical measurement, instability of material, and degradation of device performance. The basic current-voltage behavior of perovskite materials is intricate due to the mixed electronic-ionic characteristic, which is still poorly understood in these semiconductors. Developing novel measurement schematic is a promising solution to obtain the intrinsic electrical performance without the interference of ion migration. Herein, we explore the pulse-voltage (PV) method on methylammonium lead tribromide single crystals to protect the device from the ion migration. A guideline is summarized through the analysis of measurement history and condition parameters. The influence of the ion migration on current-voltage measurement, such as repeatability and hysteresis loop, is under controlled. An application of the PV method is demonstrated on the activation energy of conductivity. The abruption of activation energy still exists near the phase transition temperature despite the ion migration is excluded by the PV method, introducing new physical insight on the current-voltage behavior of perovskite materials. The guideline on PV method will be beneficial for measuring halide perovskite materials and developing optoelectronic applications with new technique schematic.