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91.
利用电子束热蒸发技术在不同氧分压和烘烤温度下镀制了一系列TiO2单层膜,采用表面热透镜技术测量了样品在1064nm处的弱吸收值,并用激光损伤测试平台测量了样品的抗激光损伤阈值(LIDT)特性。实验结果表明较高的氧分压和较低的烘烤温度能显著减小薄膜的吸收值。不过薄膜在基频下的损伤阈值除了受到薄膜吸收值的影响外,还取决于基底表面的杂质密度,当薄膜吸收较大时,本征吸收对损伤破坏起到主要作用;随着薄膜的吸收逐渐减小,基底表面处的缺陷吸收逐渐取代本征吸收成为影响薄膜损伤阈值的主导因素。 相似文献
92.
基底亚表面裂纹对减反射膜激光损伤阈值的影响 总被引:1,自引:2,他引:1
利用化学沥滤技术,分析了亚表面裂纹对基底表面和减反射膜激光损伤阈值(LIDT)的影响。通过去除或保留研磨裂纹,获得了亚表面裂纹数密度有明显区别的两类基底。为了凸出亚表面裂纹层的作用,基底采用化学沥滤去除另外一种可能的影响因素,即再沉积层中的抛光杂质。然后采用电子束蒸发镀制HfO2/SiO2减反射膜。355nm激光损伤阈值测试结果和损伤形貌分析证实了基底亚表面裂纹对减反射膜抗激光损伤能力的负面影响。根据熔石英基底抛光表面的烘烤现象,提出了亚表面缺陷影响膜层激光损伤的耦合模型。 相似文献
93.
94.
95.
96.
Ta2O5 films are prepared on BK7 substrates with conventional electron beam evaporation deposition. The effects of SiO2 protective layers and annealing on the laser-induced damage threshold (LIDT) of the films are investigated. The results show that SiO2 protective layers exert little influence on the electric field intensity (EFI) distribution, microstructure and microdefect density but increase the absorption slightly. Annealing is effective on decreasing the microdefect density and the absorption of the films. Both SiO2 protective layers and annealing are beneficial to the damage resistance of the films and the latter is more effective to improve the LIDT. Moreover, the maximal LIDT of Ta2O5 films is achieved by the combination of SiO2 protective layers and annealing. 相似文献
97.
本文较系统地研究了ICP/AES操作条件及酸介质。HaBH4溶液溶度对As,Se和Ge谱线强度以及信背比的影响,讨论了这些元素的最佳检测条件,考察了一些共存元素对氢化物光谱信号的影响,观察到As,Se和Ge氢化物发生中Ge的光谱信号的一些特殊行为,及Cu对Ge的氢化物光谱信号的增强。 相似文献
98.
99.
H^+注入锗酸铋(Bi4Ge3O12或BGO)晶体引起某些效应,如辐射损伤,光学吸收和近表层区域的晶体分解。经H^+注入后,BGO晶体的颜色变成棕色,但实验中证实不了该变化是由色心的产生所引起。此外,实验中也示观察到H^+注入BGO晶体中有离子束诱发的光学活性变化。可见在注入过程中,未发生从Bi4Ge3O12转变到Bi12GeO20的结构相变,由此预见,注入过程中可能发生离子束引起的晶体分解。H^ 相似文献
100.
为了填补国家课程物理课堂教学中核心素养落实的不足,尝试在物理学科类校本课程教学过程中融入核心素养,并重点突出创新实践能力,在基于CPS模型的《中学物理与现代前沿应用》这门校本课程的教学实施过程中,既能与常规物理课堂紧密联系,又始终立足于学生自主发展,为学生创新能力的提升以及个性化发展创设了丰富的机会,取得了比较明显的成效,积累了一定的经验. 相似文献