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GPS系统的精度与武器精密制导 总被引:3,自引:1,他引:2
GPS的优越性在于能在世界范围内以高度的一致性提供高的实时导航精度。随着军用和民用的发展。对GPS的精度提出了越来越高的要求。本文以GPS的各种误差源为基础,根据军事和军用团体为提高GPS精度所发展的技术和执行的项目,讨论在美国目前和将要实施的GPS政策下,GPS精度的现状与未来。 相似文献
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概述车载面向服务通信中间件的发展背景和基本架构;分析了ROS和自适应AUTOSAR两平台的优劣特点以及互兼容需求;重点介绍了Vector公司自适应AUTOSAR平台中ARA::COM通信模块在linux系统下的实现机制;配置了自适应AUTOSAR应用中的基于SOME/IP的Arxml通信协议,基于车载以太网和进程间通信机制设计了同时复用ROS与自适应AUTOSAR服务的通信节点,根据车载场景和功能安全需求设计了自适应AUTOSAR节点监控ROS功能的应用,从而实现ROS与自适应AUTOSAR两个异构平台的互通互操作,并在树莓派raspberry pi 3开发板上验证。 相似文献
148.
过孔搭接失效一直是TFT-LCD行业中重点改善的不良之一。为了解决该不良,本文分析了不同刻蚀模式(ICP和ECCP)对过孔形貌的影响,利用四因子法研究ECCP模式刻蚀参数(压力、偏置/源极射频功率及O_2/SF_6气体比例)对刻蚀速率和均一性的影响,并得出ECCP过孔改善的最佳刻蚀参数。结果表明:ECCP模式下,氮化硅刻蚀过程中物理轰击对GI截面的下沿与Cu接触区域形成损伤后产生的缺陷,是诱发过孔腐蚀的主要因素,ICP模式无腐蚀。反应腔压力增大刻蚀速率增大,均一性下降;偏置射频功率增大,速率增大,均一性提高;源极射频功率增大,速率变化小,均一性下降;O_2/SF_6气体比例对速率影响小,O_2含量越高,均一性越高。为达到PR胶保护GI下沿截面的目的,反应压力增大到1.7Pa,偏置射频功率减小到30kW,源极功率增加到30kW,O_2/SF_6气体保持比例1∶1后,增加了氮化硅的刻蚀量,减小PR胶的内缩量,避免物理溅射表面损伤;同时刻蚀速率达到750nm/s,均一性达到10%,腐蚀发生率为10%~0,使ECCP刻蚀模式对过孔的腐蚀影响得到有效解决。 相似文献
149.
多晶碘化汞膜的PVD法制备及其光电特性 总被引:1,自引:0,他引:1
用改进的热壁物理气相沉积(HWPVD)装置制备出晶体质量较好的多晶HgI2膜,研究了生长参数对沉积膜质量的影响,对多晶HgI2膜用金相显微镜、XRD、红外光谱进行了表征观察及对用多晶HgI2膜制备的探测器采用了暗电流测试和电容频率特性测试.结果表明PVD法制备的多晶HgI2膜纯度高,结构完整性好,均匀性好,并且其相应器件有低的暗电流(电场0.2 V/μm时,暗电流为25 pA/mm2)和较小的电容(约1 pF),可用于实际应用. 相似文献
150.
无线耳机在朝着数字化时代前进,而且台湾、香港和中国内地的许多制造厂家,正在向生产2.4GHz频率的产品转移,如蓝牙耳机、可用于各种A/v、移动电话、PDA(个人数字助理)和计算机等产品。同时蓝牙芯片的价格在下降,因而使蓝牙耳机产品削价约10%~20%。 相似文献