信息安全风险评估规范在电子政务中的应用

随着我国信息化建设进入全面推进和快速发展的重要时期，信息安全保障工作愈加重要，信息安全评估被列为我国信息安全保障工作重点任务之一。     

Growth of Semi-Insulating GaN Using N2 as Nucleation Layer Carrier Gas Combining with an Optimized Annealing Time

Semi-insulating （SI） GaN is grown using N2 as the nucleation layer （NL） carrier gas combined with an optimized annealing time by metalorganic chemical vapour deposition. Influence of using 1-12 and N2 as the NL carrier gas is investigated in our experiment. It is found that the sheet resistance of unintentionally doped GaN can be increased from 10^4 Ω/sq to 10^10 Ω/sq by changing the NL carrier gas from 1-12 to N2 while keeping the other growth parameters to be constant, however crystal quality and roughness of the tilm are degraded unambiguously. This situation can be improved by optimizing the NL annealing time. The high resistance of GaN grown on NL using N2 as the carrier gas is due to higher density of threading dislocations caused by the higher density of nucleation islands and small statistic diameter grain compared to the one using 1-12 as carrier gas. Annealing the NL for an optimized annealing time can decrease the density of threading dislocation and improve the tilm roughness and interface of AlGaN/GaN without degrading the sheet resistance of as-grown GaN signiticantly. High-quality SI GaN is grown after optimizing the annealing time, and AlGaN/GaN high electron mobility transistors are also prepared.     

Multiple ionization of argon accompanied by electron loss and capture of 0.22-6.35 MeV C^q＋ ions

In this paper a projectile ions recoil ions coincidence technique is employed to investigate the target ionization and projectile charge state changing processes in the collision of 0.22-6.35 MeV Cq^＋ （q = 1 - 4） ions with argon atoms. The partial cross section ratios of the double, triple, quadruplicate ionization to the single ionization （or the single capture） of argon associated with single electron loss （or single electron capture） by the projectile are measured and compared with the previous experimental results. In the present experiment, it is observed that the ratios of ionization cross sections R associated with single loss and single capture depend strongly on the projectile charge state and vary significantly with different reaction channels as impact energy increases. In addition, this paper gets empirical scaling laws for the ionization cross section ratios R corresponding to the projectile single loss and finds that the ratios of the double ionization to the single ionization associated with single electron capture remain constant in the present energy range.     

直接测风激光雷达频率跟踪技术及对流层平流层大气风场观测

为了实现高精度连续探测对流层和平流层大气风场,搭建了一台直接测风激光雷达系统对对流层和平流层大气风场进行探测。该系统基于双边缘法布里-珀罗标准具的瑞利散射多普勒测风原理,使用转台式探测结构,通过频率跟踪的手段对频率漂移进行跟踪,确保测风的精度。实验结果表明,该系统对对流层和平流层大气风场探测效果良好,频率跟踪的范围为±50 MHz,可以大大减小频率漂移带来的风速误差。经过系统的稳定运行和长时间的观测,在40 km处测得的径向风速随机误差为8 m/s。径向风速合成为水平风速后,随机误差在38 km处最大为10 m/s左右。该系统白天探测高度为25 km,夜晚探测高度为38 km。与探空数据对比,风速误差均小于10 m/s,其中风速误差在±5 m/s的范围内的数据量约占75.8%,探测的风向误差与探空气球的趋势基本一致,误差范围在10°～20°之间,在15°范围内的数据量约占58.6%。将实测数据与探空数据进行统计分析,结果具有良好的一致性。该系统可以为对流层和平流层大气风场的探测提供数据支撑。     

可用于多种生物分析的高性能芯片毛细管电泳系统

本文采用激光诱导荧光的检测方法,搭建出高灵敏度的双通道共聚焦芯片毛细管电泳的检测系统。采用湿法刻蚀玻璃的方法获得了芯片管道的模具,并采用浇铸法在聚二甲基硅氧烷上获得高质量的微管道。将聚二甲基硅氧烷和石英玻璃贴合成为毛细管电泳芯片,该电泳芯片散热性能良好,可重复使用。以Cy5荧光素为样品,经实验证明该系统的检出限为17 pmol/L,并能在高达1 200 V/cm的场强下正常运行(高压电源的最高输出电压为1 200 V/cm),最高理论塔板数超过106N/m,表明该系统具有较高电泳效率。将该系统应用于氨基酸和DNA片段的分离分析,以及生物素标记的DNA与链霉亲合素的相互作用的检测,获得了较好的实验结果,说明该系统能够有效地应用于多种生物分析中。     

150 eV电子入射电离He原子三重微分截面的动量转移依赖

用BBK模型和DS3C模型在入射能150 eV对氦原子截面依赖动量转移几何条件下的三重微分散射截面(TDCS)进行了理论计算, 把计算结果与实验测量结果进行了比较, 对截面的结构进行了分析, 并对该几何条件下的交换效应进行了系统的研究.     

利用多阱结构改善有机电致发光器件效率

将N,N'-bis-(1-naphthy1)-N,N'-dipheny-1,1'bipheny1 4,4'-diamine(NPB)与bathocuproine(BCP)2种材料以交叠沉积方式组成一种周期性结构作为空穴注入层,制备了结构为ITO/[NPB/BCP]n/AlQ/LiF/Al的有机电致发光器件(OLED).通过改变空穴注入层阱状结构的重复周期数n,可改变载流子复合区域,进而获得近白光和绿光发射.由于该结构能获得更好的载流子注入平衡,具有交叠结构空穴注入层的近白光器件在15 V时亮度达到3 433.8 cd/m2,在电流密度为60.9 mA/cm2时最大发光效率为2.26 cd/A.当周期数n大于3时得到绿光发射,与单空穴注入层ITO/NPB/AlQ/LiF/Al器件相比,交叠空穴注入层可将器件的最大亮度由2 512.8 cd/m2提高到866 1.0 cd/m2,最大亮度效率在20 mA/cm2时达到4.94 cd/A.     

地铁通信系统引入TD-LTE系统后的干扰分析研究

文章基于地铁室内分布系统建设中引入TD-LTE系统的背景下,针对地铁场景下TD-LTE系统引入后对民用通信系统与地铁专用通信系统可能产生的干扰情况进行分析,计算地铁场景下各通信系统间干扰的隔离度需求,并给出TD-LTE系统建议采用的频段。     

垂直入射几何条件下氦原子(e,2e)反应的理论研究

用BBK模型和修正后的BBK模型在电子垂直入射几何条件下对氦原子的三重微分散射截面进行了理论计算,并把计算结果与实验测量结果进行比较,对截面的结构进行了分析,并对交换效应进行了系统的研究. 关键词： DS3C模型 中间峰 屏蔽效应 交换效应     

半导体激光的新应用

半导体激光器（LD）在临床上有着广泛的用途。新型1470nm半导体激光与传统的1.06μm YAG激光相比具有较强的组织吸收率,与10.6μm CO₂激光相比则具有较高的切割效率,适用肿瘤切除,外科手术,腹腔镜手术等微创手术。1470nm半导体激光的能量既能被血红蛋白吸收也能被细胞水吸收,热量能集中在体积很小的组织内,迅速汽化分解组织,在治疗良性前列腺增生和妇科疾病上具有良好的应用前景。