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891.
高速公路交通事故灰色Verhulst预测模型 总被引:4,自引:2,他引:2
在分析我国高速公路交通事故历史数据的基础上,引入灰色Verhulst预测理论,建立了高速公路交通事故灰色Verhulst预测模型.通过对2000~2007年我国高速公路交通事故死亡人数进行实例分析,发现灰色Verhulst模型的预测精度高于GM(1,1)模型.结果表明,灰色Verhulst模型的预测结果较好的反映了高速公路交通事故的发展趋势,该模型用于高速公路交通事故预测是可行的. 相似文献
892.
893.
电子元器件的返修依然是现代工厂生产管理人员必须要面对的事情,即使通过高精度机器和良好质量保证手段获得了稳定提升的生产质量,但这也无法完全消除返修。因此,让返修更可靠安全将会是非常关键的。红外返修系统选择了波长范围在2μm-8μm的暗红外辐射器,辐射器的吸收/反射率专门为PCB装配和返修优化设计过,因此温度差几乎接近于零。在回流过程中,小元件和大元件的热分布都是一致的。通过选择合适的温度曲线和优化的预热时间降低大尺寸BGA元件和一个相邻小尺寸片式元件的温度差。红外返修系统采用了能完全保护热敏感器件的先进技术。红外辐射器能被热阻带或者铝薄片屏蔽,因此能确保相邻片式元件的焊点温度低于它的熔点。正因为红外返修系统具有这么多优点,因此可以确信红外返修系统将被更多采用以保证电子元器件的返修质量。 相似文献
894.
钙铝合金作为阴极对OLED器件性能的影响 总被引:1,自引:1,他引:0
为了研究阴极材料对有机电致发光器件的影响,在不改变其他功能层的情况下,分别采用不同比例的Ca/Al合金和纯Al作为器件的阴极制备了4种绿光OLED器件,器件结构分别为:ITO/2T-NATA(15nm)/NPB(25nm)/Alq3:C545T(20nm)/Alq3(30nm)/Ca(X%):Al(100nm)和ITO/2T-NATA(15nm)/NPB(25nm)/Alq3:C545T(20nm)/Alq3(30nm)/Al(100nm)。从电流-电压、电压-亮度、器件的外量子效率和光谱特性等几个方面,对不同比例的Ca/Al合金作为阴极的器件与Al作为阴极的器件进行了对比分析,发现当Ca的质量分数为10%时,器件的亮度达到最大值10100cd/m2,并且器件的效率最高。对上述现象产生的原因进行了探讨,分析了器件光谱与不同阴极和不同驱动电流间的关系,从机理上阐述了OLED器件阴极的选取准则。 相似文献
895.
eReader处理器的顶级供应商期望通过集成了先进的ARM Cortex-A8技术和最新E Ink控制器的i.MX508器件来扩展其领先地位 相似文献
896.
为了解决专用音乐播放芯片只能一次性烧录、播放内容不可变的缺点,文中给出了采用单片机来设计音乐播放器,同时通过Proteus软件对基于AT89S52单片机的音乐播放器进行仿真的实现方法。利用该方法设计的播放器的播放内容和歌曲数量可以随时修改。 相似文献
897.
飞思卡尔半导体推出第一款基于其QorIQ通信平台.并且融入QUICCEngine多协议技术的处理器。QorIQP1012/P1021产品系列为使用传统多协议接口的客户提供了向全IP环境迁移的高性能、低功耗路径。 相似文献
898.
数字射频存储(Digital Radio Frequency Memory, DRFM)欺骗式干扰的发展越来越成熟,然而,相应的抗干扰技术效果尚显不足。本文基于脉冲分集理论提出了一种抗数字存储欺骗式干扰的方法,首先利用不同的随机数对发射信号脉冲包络进行编码调制;接收处理时,根据编码规则,通过判断回波与发射信号携带的随机数是否相同,从而识别真假回波,进一步进行抗干扰处理,最终达到抑制干扰的目的。仿真结果并与典型的调频率捷变的方法进行比较。仿真结果表明,新算法的抗干扰性能较典型的调频率捷变的算法有明显提升。 相似文献
899.
分别将活性炭(AC-1)在65%HNO3和空气中进行氧化处理,制得两种表面改性的活性炭载体(AC-2和AC-3)。以AC-1~AC-3为载体,采用等体积分步浸渍法制备了3种Pt-Sn/AC催化剂(Cat-1~Cat-3),其结构经XRD, TEM, FT-IR, TG-DTG和N2吸附-脱附表征。以正丁烷脱氢反应为模板反应,研究了Cat-1~Cat-3的催化性能。结果表明:Cat-2催化性能最好,正丁烷脱氢转化率71.5%,正丁烯选择性77.5%。 相似文献
900.
宽带隙半导体金刚石具有突出的电学与热学特性,近年来,基于金刚石的高频大功率器件受到广泛关注,对于金属-金刚石肖特基结而言,具有较高的击穿电压和较小的串联电阻,所以金属-金刚石这种金半结具有非常好的发展前景.本文通过第一性原理方法去研究金属铝-金刚石界面电子特性与肖特基势垒的高度.界面附近原子轨道的投影态密度的计算表明:金属诱导带隙态会在金刚石一侧产生,并且具有典型的局域化特征,同时可以发现电子电荷转移使得Fermi能级在金刚石一侧有所提升.电子电荷在界面的重新分布促使界面形成新的化学键,使得金属铝-氢化金刚石形成稳定的金半结.特别地,我们通过计算平均静电势的方法得到金属铝-氢化金刚石界面的势垒高度为1.03 eV,该值与金属诱导带隙态唯像模型计算的结果非常接近,也与实验值符合得很好.本文的研究可为金属-金刚石肖特基结二极管的研究奠定理论基础,也可为金刚石基金半结大功率器件的研究提供理论参考. 相似文献