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邢志军 《电子产品维修与制作》2009,(12):81-81
为了能够给网管员朋友提供更加丰富的内容,现征集以下稿件:1.企业网络基础建设与维护中的遇到挫折及解决方法。 相似文献
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物理实验的种类很多,其中测量性实验主要以测量为主;演示性实验主要以观察现象为主;验证性实验和探究性实验既有定性研究又有定量分析的成份,学生不仅要观察现象还要进行测量,并对测量结果分析概括.从物理研究的角度来看,必须经过多次实验才能总结某一结论或归纳某一规律.然而从编写教材与执教的方便考虑,现行课本上的实验在其具体过程中有一部分仅需做一次,但大部分仍安排三次以上,这些实验大都与测量有关.进行多次实验与进行多次测量的作用很多,现分类探讨. 相似文献
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Growth of Semi-Insulating GaN Using N2 as Nucleation Layer Carrier Gas Combining with an Optimized Annealing Time 下载免费PDF全文
Semi-insulating (SI) GaN is grown using N2 as the nucleation layer (NL) carrier gas combined with an optimized annealing time by metalorganic chemical vapour deposition. Influence of using 1-12 and N2 as the NL carrier gas is investigated in our experiment. It is found that the sheet resistance of unintentionally doped GaN can be increased from 10^4 Ω/sq to 10^10 Ω/sq by changing the NL carrier gas from 1-12 to N2 while keeping the other growth parameters to be constant, however crystal quality and roughness of the tilm are degraded unambiguously. This situation can be improved by optimizing the NL annealing time. The high resistance of GaN grown on NL using N2 as the carrier gas is due to higher density of threading dislocations caused by the higher density of nucleation islands and small statistic diameter grain compared to the one using 1-12 as carrier gas. Annealing the NL for an optimized annealing time can decrease the density of threading dislocation and improve the tilm roughness and interface of AlGaN/GaN without degrading the sheet resistance of as-grown GaN signiticantly. High-quality SI GaN is grown after optimizing the annealing time, and AlGaN/GaN high electron mobility transistors are also prepared. 相似文献
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USB2.0的实施概要 Compaq、HP、Intel、Lucent、Microsoft、NEC和Philips等企业正在领导着USB规范的开发,定于1999年10月公布的2.0版本,将以往版本的数据吞吐量提高了30~40倍. 相似文献
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用CW Ar~+激光对B~+注入(60keV,5×10~(15)cm~(-2))非晶硅SOM材料进行辐照再结晶,获得了高灵敏度的压阻材料,其GF在30左右。结晶后的晶粒增大到10μm×40μm,且杂质分布均匀,电学性质大大提高。用该材料制备的桥路压力传感器,灵敏度为6mV/V bar,具有良好的输出线性度。 相似文献
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