基于平板型导光板的太阳能聚光系统

针对传统线性聚光系统聚光光斑辐照度不均匀的问题,提出了一种由曲面线聚焦菲涅耳聚光器阵列及平板型导光板所组成的、系统高度小于40mm的小体积聚光系统方案,建立了曲面线聚焦菲涅耳透镜的一般方程,给出导光板V形槽设计公式,并采用正交试验法和光学仿真实验对聚光器系统的各项结构参数进行优化设计,同时分析了曲面线聚焦菲涅耳的加工误差及导光板安装偏角误差的影响。结果表明:优化后系统在采光面积500mm×200mm、聚光比50倍时,聚光效率可达75%,聚焦光斑均匀性优于88%,且入射太阳光偏角在±7°内聚光效率大于50%。通过拼接可获得不同聚光倍数系统,由仿真实验得出在160倍聚光比内,效率高于50%,均匀性优于85%。     

AsH3分子的振动-平动能量弛豫

用增强型光声池显著降低了光声信号的面损耗，使得AsH3分子的振动-平动能量转移成为造成共振峰展宽的主要因素。光声池内充9．06kPa的AsH3气体，声共振品质因子Q高达374。推导了光声信号振幅与入射光调制频率和样品分子振动-平动弛豫时间的函数关系。理论公式与实验数据的对比表明，对振动热容贡献大的振动能级在气体分子的振动-平动能量转移过程中起主要作用；波动过程中AsH3分子通过最低的两个振动能级进行振动-平动能量交换。     

金属有机化学气相沉积生长的GaN膜中V缺陷研究

利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术,在Si(111)衬底上外延生长不同厚度的GaN。外延层薄的GaN表面存在大量的V缺陷,并且V缺陷的两侧有相互平行的带状高坡;外延层厚的GaN表面没有V缺陷,表面平整且晶体质量高。位错处存在晶格畸变,杂质易于在此处聚集,达到一定浓度就会抑制晶体在此处生长而形成V缺陷。受位错附近应力场与气流的影响,V缺陷两侧出现带状高坡。生长时间延长,GaN表面的V缺陷就会被填满,带状高坡横向生长合并成为平整的表面。用m(KOH)∶m(H2O)=1∶10的KOH溶液腐蚀后,平整的表面出现六角腐蚀坑,密度与原生坑密度相近,认为是原生坑被填满的位置腐蚀后再次出现。     

Si衬底GaN基材料及器件的研究

GaN具有禁带宽、热导率高等特点,广泛应用于光电子和微电子器件领域.Si衬底GaN基材料及器件的研制将进一步促进GaN基器件与传统器件工艺的集成,因而具有很高的研究价值.介绍了Si衬底GaN基材料生长及特性方面的研究现状和GaN基器件的进展情况.     

一种由噪声系数定义推导出的噪声系数测量方法

对于高精度的电子设备,噪声是影响其性能的关键因素。为了方便测得某一待测放大器或接收机的噪声系数,通过介绍噪声对电子设备性能的影响以及噪声系数的定义及其数学公式推导,总结了一种利用频谱分析仪测量放大器噪声系数的方法。该方法虽然存在一定的局限性,但对于高增益的待测器件,仍不失为一种简单有效的测量方法。     

TD-LTE系统随机接入过程MAC子层设计与仿真

从时分同步的码分多址(TD-SCDMA)长期演进(TD-LTE)随机接入过程的应用场景入手,详细介绍基于竞争的随机接入过程的基本原理,并以网络端为例,设计了相应的随机接入过程媒体接入控制(MAC)子层的流程.通过说明和描述语言(SDL)以及树表结合表示法(TTCN)协仿真,生成随机接入过程的消息顺序图(MSC),验证了信号流程设计及数据的正确性.该流程设计已应用于TD-LTE无线综合测试仪表的开发中.     

一种静态星模拟器的设计与星点位置修正方法

为了实现对高精度星敏感器的地面标定,设计了一种大视场静态星模拟器,其星间角距精度要求优于20(″).采用星点分划板作为核心显示器件来模拟星图,通过设计大视场小畸变光学系统使模拟星图成平行光出射,在星敏感器入瞳位置产生星图.为保证星点板的星图模拟精度,提出了一种星点位置的修正方法.实验结果表明,经过星点位置修正后的静态星...     

Android平台声纹解锁系统的仿真与研究

随着人工智能技术的日益发展,人类活动中越来越多的使用到各种不同类型的智能设备。在所有的智能产品中,手持式智能终端设备已成为人类活动中不可或缺的智能产品。如今,传统的手机功能已经不能满足需求,人们通常会使用手机来完成金钱交易,因此手机的保密性以及安全性就成为研究重点。本文将个人的身份识别及其认证与Android智能系统进行有机结合,提出了一种新的方法即将声纹识别技术应用在Android智能系统的个人身份认证,并对这一过程中所涉及的相关的问题进行了深入的探索和研究。通过实验验证LMS自适应滤波为降噪算法所具备的优势,而且利用端点检测的方法来处理声纹中含噪的这种现象。提出改进的端点检测方法即频带方差端点与谱减法相结合的方法可以更加有效的检测出语段的端点。此外本文还设计了声纹锁即语音和语义双重认证以此来确保手机的安全。     

MCP噪声因子特性研究

微通道板(简称MCP)是决定像增强器信噪比的关重件,MCP的噪声因子是对MCP噪声特性进行评价研究的主要参数.通过对不同材料、不同腐蚀工艺、不同烧氢工艺制备的MCP以及不同工作条件下MCP的噪声因子进行测试分析,研究不同制备工艺、不同工作条件下MCP的噪声特性,最终得出了最优噪声性能的MCP制备工艺和工作条件,结果表明采用B材料,采用混合类腐蚀液腐蚀工艺,尽可能长的烧氢时间,可获得较低噪声因子的MCP,同时适当增加入射电子能量和微通道板工作电压以改善通道板噪声特性,提高像管成像质量,这些研究成果为进一步降低MCP噪声因子提供了理论和工艺指导.     

1550 nm全光纤单频脉冲光纤激光器

设计并实现了一种基于人眼安全波段的1550 nm全光纤化结构单频脉冲光纤激光器。激光器采用外腔稳频技术的单频半导体激光器作为种子源,其线宽1.8 kHz,功率20 mW。通过预放大器和声光调制器获得单频脉冲激光,并运用两级光纤放大器实现了线宽1.9 kHz、平均功率521 mW、脉冲宽度200 ns、重复频率10 kHz的单频脉冲光纤激光输出。输出脉冲峰值功率达260 W。输出端采用了双包层单模光纤,保证了输出激光的光束质量。整个激光器通过对种子光级联放大,结合放大器的增益控制,成功抑制了受激布里渊散射(Stimulated Brillouin Scattering,SBS)效应,消除了放大过程中噪声对线宽的影响,获得了线宽稳定的单频脉冲激光。