Y2O2S纳米晶中Tb3+发光的浓度猝灭

制备了Tb^3 浓度不同而粒径相同的一系列纳米晶Y2O2S。由于表面态对发光的猝灭作用,Tb^3 离子^5D3发光的寿命与体材料比较明显缩短,研究了^5D3和^5D4能级发光的浓度猝灭,发光强度与浓度的关系以及发光的衰减曲线都表明：^5D3的浓度猝灭是电偶极－电偶极相互作用引起的,而^5D4的浓度猝灭是交换相互作用引起的。     

Er~(3 )/Yb~(3 )共掺杂AlF_3基氟化物玻璃材料的频率上转换

Er3 /Yb3 共掺杂的AlF3基氟化物玻璃材料ABCY的制备及其上转换荧光性质。样品的组分为 40AlF3 2 0BaF2 2 0CaF2 (2 0 2x 2y)YF3 xEr2 O3 yYb2 O3。在 95 0nm连续LD激发下 ,观察到该材料很强的绿色上转换发光 ,研究了该体系的上转换机理 ,认为Yb3 和Er3 之间的APTE效应是最主要的上转换途径。解释了红、绿色上转换荧光强度比值增大的现象 ,指出了可能的交叉弛豫过程。用公式y =a(x -x0 ) n 对上转换荧光强度与LD工作电流的关系进行拟合 ,得到的结果与理论值很好地一致。     

用脉冲激光溅射法制备的Yb~(3 )和Er~(3 )共掺杂氟化物薄膜的上转换发光

脉冲激光溅射法 (PLD) ,作为一种制备高质量薄膜的方法 ,被广泛地用于制备超导、铁电等薄膜。用PLD法制备的Yb3 和Er3 共掺杂氟化物薄膜的上转换发光性质。在 978nmLD激发下 ,薄膜发出强烈的橙色光 ,用日立 -F45 0 0光谱仪测量了其上转换发光光谱 ,观测到了Er3 很强的2 H9/2 →4 I1 5/2 (4 0 8nm) ,2 H1 1 /2 →4 I1 5/2 (5 2 0nm) ,4 S3/2 →4 I1 5/2 (5 5 0nm)和4 F9/2 →4 I1 5/2 (65 0nm)跃迁发射峰。给出了上转换发光强度随激发强度的关系 ,分析了其上转换发光机制及紫色上转换发光增强的原因。     

半导体GaAs—Ga0.65Al0.35As多量子阱的光谱性质及实现激光制冷的可能

我们利用光致发光(PL)和激发光谱(PLE)技术研究了GaAs量子阱的光谱性质,在GaAs量子阱的光致发光中观察到上转换发光,首次提出GaAs量子阱结构可能实现激光制冷,探索了GaAs量子阱结构的发光机理。     

火灾烟颗粒群多分散与单分散光散射模型的比较研究

基于T矩阵法,取入射激光的波长分别为300、633、800nm,对正庚烷火烟颗粒群分形结构的多分散模型、单分散模型以及等体积的球形模型的光散射Muller矩阵元素随散射角的分布特性进行了详细的比较分析。结果表明,当λ=300nm时,散射光能很好地反映正庚烷火烟颗粒凝团的分形结构及凝团中基本颗粒的分布特性;当λ=633nm时,正庚烷火烟颗粒群分形结构的多分散模型和单分散模型的光散射特性基本一致;当λ=800nm时,正庚烷火烟颗粒群3种模型的光散射特性趋于一致。     

Tm3+和Er3+共掺杂氟氧化物玻璃陶瓷材料结构和上转换发光性质的研究

报道了一种新的上转换氟氧化物玻璃陶瓷材料,组份为65GeO2-25NaF-10BaF2(MFG)。研究了Tm^3 和Er^3 共掺MFG玻璃陶瓷中的发光性质。通过X射线衍射和Raman散射分析了MFG玻璃陶瓷的结构性质。分别测量了Tm^3 和Er^3 共掺MFG玻璃及玻璃陶瓷和Er^3 单掺MFG玻璃中的红外发射谱（λex=488nm)和上转换发射谱（λex=978nm)。给出了稀土离子掺入微晶的证据;（1）和MFG：1mol%Tm^3 、2mol%Er^3 玻璃相比,在978nmLD激发下,MFG：1mol%Tm^3 、2mol%Er^3玻璃陶瓷中红色上转换发光大大增强,红不与绿光的比值大大提高。（2）在488nm激光激发下,玻璃陶瓷样品中Tm^3 离子1．7μm左右的发射光谱明显窄化。最后讨论了玻璃陶瓷这种结构上转换发光的影响和其在上转换发光及光通信中的应用潜力。     

计算机信号小型光纤传输系统的研制

光纤传输系统在计算机信号的防电磁干扰、防信息泄漏等方面具有重要作用,采用多芯光纤连接器、大芯径光纤、光窗型光电器件、表面安装技术(SMT)等实现了计算机中多路信号的小型化光纤传输,该系统达到了设计指标要求.     

非傍轴双曲正弦高斯光束质量因子M2的研究

在标量光场角谱衍射理论的基础上,应用精确光强定义下的非傍轴标量光束的光强二阶矩理论,计算了非傍轴双曲正弦高斯光束的束腰半径、远场发散角、质量因子,并与傍轴双曲正弦高斯光束的质量因子进行了比较研究。数值计算表明,当双曲正弦高斯光束束腰半径较大时,传统光强定义下的光强二阶矩理论近似成立,傍轴与非傍轴理论计算的光束质量因子变化规律完全相同;束腰半径较小时,傍轴理论计算的结果有较大误差,必须采用精确光强定义下的非傍轴光束质量因子的定义作修正。     

InSAR生成DEM的多条带快速融合方法

提出了一种DEM大范围快速融合方法,该方法首先DEM重叠区域通过分块匹配策略提取密集连接点并进行区域网平差修正平面和高程上的系统误差;在此基础上通过先顺轨后垂轨的策略融合生成一整副DEM;同时为了提升整个融合效率,采用策略加快处理速度。实验结果表明,提出CPU/GPU异步并行方法比单CPU处理效率提升了18倍,实现了多条带DEM无缝融合。     

气相色谱峰的半峰宽与保留值之间关系的统计学研究

在适当的色谱条件下,在三根分别涂有OV225,EGS和PEG4,000的柱上对正构烷烃、正构伯醇、苯和正构烷基苯三个同系物的色谱峰的k′(容量比,或死时间保留值)和半峰宽W_(1/2)进行了测量。每根柱上每种同系物所得的一组k′-W_(1/2)数据点不落在直线上,采用曲线拟合则得到较好的结果。为便于和文献上的研究结果相对比,文中还对k′-W_(1/2)数据组进行直线回归。通过回归线差异显著性检验发现,不同的同系物的回归直线间存在显著性差异。文中还讨论了多元组份色谱分离理论中定义的柱参量β值能否保持为普遍适用的常数的问题。