Enhanced emission at 2.85 μm of Ho3+/Pr3+ co-doped α-NaYF4 single crystal

The Ho³⁺/Pr³⁺ co-doped NaYF₄ single crystals with various Pr³⁺ concentrations and constant Ho³⁺ molar percentage of ~1% were grown by an improved Bridgman method. Compared with the Ho³⁺ single-doped NaYF₄ crystal, an obviously enhanced emission band at 2.85 μm is observed under 640 nm excitation. The Judd-Ofelt strength parameters (Ω ₂, Ω ₄ and Ω ₆) are calculated, the radiative transition probabilities (A), the fluorescence branching ratios (β) and the radiative lifetime (τ _rad) are obtained in the meantime. The energy transfer from Pr³⁺ to Ho³⁺ and the optimum fluorescence emission of Ho³⁺ ions around 2.85 μm are investigated. Moreover, the maximum emission cross section of above samples at 2.85 μm is calculated to be 0.72×10^-20 cm² for the NaYF4 single crystal with Ho³⁺ molar percentage of 1% and Pr³⁺ molar percentage of 0.5% according to the measured absorption spectrum. All results suggest that the Ho³⁺/Pr³⁺ co-doped NaYF₄ single crystal may have potential applications in mid-infrared lasers.     

荧光制冷器的未来发展

反期托克斯荧光制冷的研究虽然在近几年发展得很快,但是还有许多基础问题和应用问题没有解决,因此,把荧光制冷技术推向实用还需要一定的时间,然而,几乎所有的研究者都认为在不久的将来荧光制冷技术将会在某些领域发挥重要的作用。因为基于荧光制冷技术的制冷器将具有体积小,重量轻,无振动,无电磁辐射,无污染,制冷效率可以长期保持不变等独特的优点。另外,它的制冷效率也可与现有的商业成品相比拟。现就荧光制冷器发展和应用的前景进行讨论。根据反期托克斯荧光制冷的特点,研究荧光制冷器的不同构造和预期性能指标,探讨影响制冷器发展的关键因素,介绍Los Alamos第一代荧光制冷器的设计方案,给出基于光纤的线圈型制冷器件设计方案,研究用于大规模集成电路制冷的荧光制冷器件;最后,对单分子一光子制冷泵在单分子物理学及介观物理学中的应用加以探讨。     

Cr4+在MgCaBa-铝酸盐玻璃中的发射及光学增益

研究了四价铬离子掺杂的MgCaBa-铝酸盐玻璃在近红外区的发射光谱,既有源于¹E—³A₂跃迁,位于1.18μm处的窄带,又有源于³T₂—³A₂范围在1.1～1.4 μm内的宽带,利用ASE(Amplified Spontaneous Emission)方法研究了其增益特性,测量了在 632.8nm激发下不同激发长度下的发射光谱,得到其光学增益系数在1.18μm和1.24 μm处分别为B_E=(0.7±0.04)mm^-1和B_T=(0.05±0.005)mm^-1,并根据这种材料的光谱性质,对其作为近红外可调谐激光介质的可能作出评估。     

Eu3+掺杂的玻璃材料的黄昆因子与无辐射跃迁

本文提出了从Eu^3 掺杂的玻璃材料激发光谱中声子边带确定黄昆因子的方法,并对制备的不同组份玻璃材料的黄昆因子进行了计算,研究了黄昆因子对玻璃组份的依赖关系,同时讨论了材料的无辐射跃迁行为。     

流体界面不稳定性数值模拟中不同介质界面的处理方法

在界面不稳定性数值模拟中,以往的方法^〔1,4－8〕局限于密度不同的单种介质或绝热指数相同的两种介质问题,在计算绝热指数不同介质间的扰动时,界面上强制加入接触间断边界条件,从而避免了界面上数的非物理振荡,用三维程序TVD／AC对两种不同介质,在单波扰动下Rayleigh-Taylor不稳定性的发展进行了计算,得到了扰动随时间发展的图像。     

网络信息资源挖掘探讨

随着数字技术的迅速崛起和因特网的大规模发展，网络信息大量涌现，与传统载体信息相比，突破了地理空间对信息传播的限制。人们越来越依赖于网络进行信息的获取和发布。网络信息内容丰富，形式多样，针对其中隐藏的有价值的信息，采取不同的网上信息检索策略，进行深层次开发，有着重要的意义和目的。     

Optimum fluorescence emission around 1.8 μm for LiYF4 single crystals of various Tm3＋-doping concentrations

In this paper, optical spectra of LiYF4 single crystals doped with Tm3＋ ions of various concentrations are reported. The emission intensity at 1.8 ktm first increases with increasing Tm3＋ concentration, and reaches a maximum value when the concentration of Tm3＋ is about 1.28 mol%, then it decreases rapidly as the concentration of Tm3＋ further increases to 3.49 mol%. The emission lifetime at 1.8 p.m also shows a similar tendency to the emission intensity. The maximum lifetime of 1.8 μm is measured to be 17.68 ms for the sample doped with Tm3＋ of 1.28 mol%. The emission cross section of 3F4 level is calculated. The maximum reaches 3.76 × 10 -21 cm2 at 1909 nm. The cross relaxation （3H6, 3H4 →3 F4, 3F4） between Tm3＋ ions and the concentration quenching effect are mainly attributed to the change of emission with Tm3＋ concentration. The largest quantum efficiency between Tm3＋ ions is estimated to be ,-147% from the measured lifetime and calculated radiative lifetime. All the results suggest that the Tm3＋/LiYF4 single crystal may have potential applications in 2 μm mid-infrared lasers.     

基于TMS320VC5402的指纹采集系统

设计了一种基于TMS320VC5402的指纹采集系统,利用DSP的高速处理能力,设计了一种以16位定点TMS320VC5402及MBF200指纹采集卡为核心的指纹采集模块,并采用USB2.0外设接口与PC机连接。通过此系统实现了指纹的快速采集,数据存储及USB串行通信的功能。该系统完成了指纹采集的所有软硬件设计,并实现了USB与PC机的通信软硬件调试。实验表明,该设计简单可行。     

低成本、高性能无卤覆铜板的研制

针对目前无卤覆铜板售价高,阻碍了覆铜板的无卤化进程,应用我公司商品化的苯并噁嗪、高含氮酚醛、含氮环氧树脂开发出一种低成本、高性能浅黄色的无卤覆铜板。板材具有高Tg、高韧性等优异性能。     

Na0.5Bi0.5TiO3-K0.5Bi0.5TiO3-BaMnO3无铅压电陶瓷的结构与电性能

采用固相法制备了(0.8 -x)Na0.5 Bi0.5TiO3 -0.2K0.5Bi0.5TiO3-xBaMnO3(简称NBT-KBT-BM)无铅压电陶瓷,研究了不同BM含量(x=0,0.25％,0.50％,0.75％,1.00％,1.25％,物质的量分数)样品的物相组成、显微结构及电性能.结果表明:所制备的NBT-KBT-BM陶瓷样品均为单一的钙钛矿结构.与纯NBT-KBT陶瓷相比,掺BM陶瓷的烧结温度降低,相对密度ρr得到提高.随x的增加,材料的压电常数d33、平面机电耦合系数kp与机械品质因子Qm先增大后减小,而介电损耗tanδ以及退极化温度Td一直降低.BM的掺入降低了材料的矫顽场Ec,提高了剩余极化强度Pr,从而增强了铁电性.当x=0.75％时,陶瓷获得最佳性能:d33=167 pC/N,kp=0.269,Qm=133,εr=774,tanδ=2.93％.