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本文利用Java设计并实现了C/S模式的人力资源管理系统,该系统拥有部门管理、员工信息管理、考勤、奖惩的管理、员工工资管理及用户权限管理等功能,拥有相对完善的数据库可以对数据进行合理的管理。这不仅解决了传统的人工考勤、手工核算工资及由专门人员管理员工档案、查找员工信息困难等问题,而且更加符合实际工作需求,给人员管理带来前所未有的方便。 相似文献
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采用溶胶凝胶法合成了尖晶石型LiMn2O4正极材料,选取钴、铈和镁作为掺杂元素,考察了钴、铈和镁的掺杂对LiMn2O4正极材料的结构和电化学性能的影响.并运用XRD、IR、BET等方法对所合成的材料进行了表征.实验结果表明,掺杂一定量钴、铈和镁后的LiMn2O4正极材料循环寿命优于未经掺杂的LiMn2O4正极材料,循环50次后,3种掺杂后所得的电池材料的容量保持率均达95%以上.其中以掺杂钴的LiCo0.2 Mn1.8O4正极材料循环性能最好,首次充放电容量达到105.6mAh/g,50次循环后,其充放电容量仍保持在100.8mAh/g. 相似文献
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本文讨论了一种多级宽带GaAs FET放大器的设计和特性。该放大器在2~18千兆赫频率范围内具有12~20分贝的小信号增益。放大器的1分贝增益-压缩点为13分贝毫瓦,饱和功率输出超过16分贝毫瓦。讨论了使用的宽带匹配技术和折衷处理,还研究了器件参数及其与放大器性能的关系。 相似文献
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近几年来,用离子注入的方法,直接在半绝缘GaAs衬底上注入Se、S、Si Te等施主型掺杂剂形成N型有源层,用以制造GaAs MES FET和GaAs集成电路的发展异常迅速。这不仅仅是因为离子注入工艺操作简单、可控性好,大面积均匀,无内界面等优点,更重要的是,它具有类似于硅工艺的平面型结构和大大地降低了成本。要使GaAs器件及其集成电路的应用象Si那样广泛和普及,必须具备廉价的GaAs材料和类似于硅平面工艺那样简便而成熟的制造技术。显然,半绝缘的GaAs衬底和离子注入技术则是实现这一目标的有效途径。然而,由于离子注入固有的特点,相对说来,要求半绝缘GaAs衬底必须具有1) 良好的热稳定性,在850℃以上,恒温1小时,其半绝缘性能保持不变。2) 低的掺Cr浓度,最好是不掺Cr的高纯衬底。3) 晶格比较完美、缺陷密度小于 相似文献
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HCS300是美国Microchip公司推出的滚动码发生器,具有小封装、低成本、高保密性等特点,可广泛应用于各种保密领域。文章就HCS300的器件特性、主要应用领域,加密、解密原理等方面进行简述。 相似文献