阳离子聚合物基因转染载体的研究进展

安全有效的基因载体是实现基因治疗的必要条件,由于阳离子聚合物易于合成和改性,无免疫原性,可以方便地与DNA形成紧密的超分子复合物,保护DNA免受核酸酶的降解,并促进其进入细胞,从而成为非病毒基因载体中的一个重要类型;但阳离子聚合物基因载体,对细胞具有电荷相关的毒性,转染效率低于病毒载体,这成为限制其进入临床使用的瓶颈.本文从提高阳离子聚合物作为基因载体时的转染效率及降低其毒性方面综述了阳离子聚合物基因载体的研究进展,归纳了改善阳离子聚合物基因载体转染特性的八种方法,预测了阳离子聚合物基因载体的发展前景.     

CAI"在控制电机"课程中的应用

随着计算机软、硬件技术的快速发展,一些在板书教学中难以表达的空间结构图形,曲线动态过程等,借助于计算机多媒体技术来表达而变得容易了,尤其是面向对象编程技术的发展,为多空间图形、多特性曲线的课程提供了一个极好的平台。本文主要介绍了以VB6．0作为主要编程语言、以“控制电机”课程为主要开发对象的计算机多媒体教学系统,该系统是集原理动画、特性仿真、电子幻灯、媒体播放以及系统帮助为一体的《控制电机》多媒体教学课件,文中详细叙述了该课件开发与研制的指导思想,课件的主要内容以及实现方法。     

一种新型的环氧树脂——环氧化多烯

一般市售的环氧树脂系以二酚基丙烷(双酚A)同环氧氯丙烷,在碱性介质中缩合而制得。其基本结构式如下:     

Hbbimp的金属配合物的合成、表征及与DNA的作用研究

合成了四种2,6-N,N-二[二(2-苯并咪唑甲基)]氨甲基-4-甲基苯酚(Hbbimp)的金属(Zn2+、Mn2+、Eu3+、Nd3+)配合物,并用红外、此外、摩尔电导、元互分析表征了它们的结构。用凝胶电泳实验研究了它们与PBR322DNA的作用,发现在37℃时四种金属配合物与DNA的作用效果均不明显;在50℃,pH8.0时,仅两种稀土(Eu3+和Nd3+)配合物可将大部分超螺旋DNA(CCC带)转化为缺刻产物(OC带);在37℃,[H2O2]<1×10-3mol/L,[稀土配合物]:[H2O2]=1∶20时,配合物在较低浓度时即可将CCC带全部转化为OC带.     

基于遗传算法的微波电路优化方法

根据遗传算法的基本理论,并结合微波电路优化设计的特点,对传统遗传算法的部分操作提出了改进措施。将其与DFP算法相结合,研制出能够较好收敛到最优值的算法。应用于微波电路CAD中,证明了其有效性和实用性。     

建筑物周围流场格子Boltzmann仿真

基于格子BGK方程的三维15点格子Boltz-mann模型,对建筑物周围流场进行了数值仿真,对其流场的划分进行了分析,并对不同雷诺数下建筑物周围的流场进行了数值模拟计算,得到了比较满意的结果,为环境质量的评估提供了新的途径.     

关于条形磁体穿过线圈时线圈中的感应电流的思考

揭示并分析了当条形磁体的一端进入线圈(单匝)时,线圈中感应电流方向与磁体外侧磁感应强度方向之间的矛盾,同时对条形磁体内外的轴向磁场的大小和变化率的分布也进行了深入地分析,并据此进一步的论述了条形磁体匀速地穿过线圈(单匝)的全过程中线圈中的感应电流的方向和大小的变化规律。     

多元醇一步法制备高碳烃液体燃料的研究

在较温和的条件下,山梨醇和木糖醇被氢碘酸还原转化为高碳烃液体燃料。产物采用GC-MS和FT-IR进行定量分析与表征,并对高碳烃产品的理化性质进行了测定。结果表明,以山梨醇为原料制备的高碳烃产物主要是包括C12H16、C12H18、C12H20、C12H22和C18H26在内的烷烃、烯烃和芳香烃等化合物,烃类的总产率可达85.1%。以木糖醇为原料的反应过程与山梨醇相似,但所得高碳烃是以C10和C15为主的烃类化合物,产率为62.8%。实验还以质量分数为50%的山梨醇和50%的木糖醇混合物为原料制备了高碳烃,结果发现,产物中除C10、C12、C15和C18烃外,还有一定量的C11烃生成,高碳烃产率为65.4%。反应产物经碱化、旋转蒸发和减压蒸馏后分离得到纯度较高的高碳烃,其含水量低于0.2%,常温下运动黏度为3.15~3.17 mm2/s,密度为0.830~0.840 g/mL,含氧量为1.8%~2.1%,热值高于43 MJ/kg。高碳烃的生成是由于多元醇被还原过程中C-I键的极性反转和分子间C-C键的偶联导致。     

一种节拍器专用集成电路的设计

节拍器专用集成电路能够精确产生音乐节拍。它主要由控制模块和驱动模块组成，根据用户的不同要求，由控制模块精确计算节拍速率，并控制节拍的声音；驱动模块则动态驱动液晶，使节拍速率和节拍音符在显示屏上显示。不同于传统的单片机实现技术，该专用集成电路采用了先进的大规模集成电路EDA设计方法，用VHDL语言正向设计，FPGA下载实际验证。     

在存在高浓度深能级情况下确定各深能级分布的理论与实践

本文是对在多个深能级情况下求分布的理论的改进.原来的理论不适用于在Fermi能级与所研究深能级之间存在浓度与载流子浓度可以比拟的深能级的情况,也不适用于待研究深能级位于禁带中央附近的情况.本工作克服了这些限制,使原有理论适用于更普遍的情况.对于质子注入直拉硅,在存在高浓度氧空位E(0.15)的条件下,求出了双空位第二受主能级E(0.22)的分布,并与不考虑E(0.15)的条件下求出的E(0.22)的分布作了对比.