ADSL的线路调制技术

ＡＤＳＬ在线路调制无后采用过正交幅度调制，无载波幅度相位调制和离散多频调制。ＱＡＭ和ＣＡＰ在６Ｍｂ／ｓ以下的速率和中工作得很好，ＤＭＴ则在更高速率上表现出明显的优势。传统的ＤＭＴ系统采用ＩＤＦＴ和ＤＦＴ实现调制和解调，用散小波变换代替ＤＦＴ的ＤＷＭＴ系统可以获得更好的传输性能。     

基于CMOS图像传感器中DPGA的电容阵列优化研究

本文结合用于CM0S图像传感器中的低噪声DPGA的性能特点,提出了一种优化电容阵列拓扑结构的方法,讨论了此种结构下由寄生电容引入的时钟馈通和电荷分配效应,并给出了仿真结果和按照0.35 μ m CMOS工艺进行流片的版图.测试结果表明,采用改进的电容阵列结构能把采样电容引入的噪声斜率从原来的0.15降低到0.01.     

PCNN和Otsu理论在图像增强中的应用

提出了基于改进的脉冲耦合神经网络(PCNN)与Otsu的图像增强新方法。该方法对PCNN进行了改进,而用改进后的PCNN进行图像去噪处理,继而用Otsu方法寻找最佳灰度阈值后进行图像增强。仿真实验表明,该方法滤波后信噪比(PSNR)为18．9305,而高斯滤波为5．4087;同时又能根据图像灰度性质自动选取最佳阈值,并对自适应分割后图像进行不同的灰度变换,使图像得到有效增强。仿真结果证明了该方法的有效及合理性。     

采用Cr4＋：YAG为可饱和吸收体的Nd：YAG调Q锁模

在实验上,以Cr     

小波降噪对TDLAS 干涉抑制的研究

基于多光程吸收池的可调谐半导体激光吸收光谱 (TDLAS) 系统在检测过程中容易出现噪声干扰, 影响着其 实际检测性能。针对这种干扰的特征进行分析, 提出利用小波降噪法来改善 TDLAS 系统的探测性能。首先依据理论 研究结果选择合适的小波函数和分解层数, 然后通过这种小波对叠加干扰的仿真信号进行滤波, 结果表明这种降噪技 术具有良好的去噪效果。最后利用小波降噪技术处理了实验采集的不同浓度气体的直接吸收光谱 (DAS) 和二次谐波 信号, 相比于原信号, 降噪后信号的信噪比从 0.4 增加到 259, 系统的检测限也达到 7×10−6, 表明小波降噪方法在气体 光谱检测中具有较高的应用价值。     

磁控溅射纳米PtSi薄膜表面和界面特征

采用磁控溅射方法在p—Si(111)衬底上淀积5nmPt膜，退火后形成PtSi薄膜，利用原子力显微镜和高分辨电子显微镜观察了PtSi薄膜的表面和界面特征。实验结果表明，工艺条件影响PtSi薄膜的微观组织结构和表面形貌，随着衬底温度增加，薄膜表面由柱晶状团簇变为扁平状团簇，薄膜显微结构由多层变为单层，衬底加热有利于形成界面清晰、结构完整、成分单一的PtSi薄膜。     

反应离子刻蚀ZnTe的THz辐射和探测研究

运用电光采样技术揭示了反应离子刻蚀（RIE）ZnTe晶体表面THz辐射的光学整流产生机制， 观察到0.25 ps的THz场分布.通过比较刻蚀前后以及不同刻蚀条件下ZnTe样品在不同激发功 率下的THz辐射强度，发现由于反应离子刻蚀破坏了ZnTe样品表面的有序性，晶体的电光系 数随射频功率的增加而减小.借助于计算不同刻蚀条件下ZnTe晶体的频率响应函数，分析了 随射频功率增加ZnTe晶体响应频谱展宽的现象. 关键词： THz辐射 反应离子刻蚀 ZnTe     

RE1—xTxMnO3氧化物的结构，电磁特性和巨磁电阻

ＲＥＭｎＯ３（ＲＥ＝Ｌａ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｃｄ等）具有钙钛矿结构。如用二价碱土金属部分替代稀土元素，可形成掺杂锰氧化物ＲＥ１－ｘＴｘＭｎＯ３（Ｔ＝Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ，Ｐｂ）。随掺杂量的增加，样品的结构和电磁性能都有很大变化。近年来在这类氧化物中还发现巨大的负磁电阻效应，其值可达１０６％。这类材料显示的复杂物理现象和可能的应用前景引起人们很大的兴趣。本文将概括的介绍这类氧化物的晶格结构，电子结构，电磁性能及其巨磁电阻随掺杂变化的实验结果，并对其可能的机理进行探讨。     

Raman Spectroscopy of Nitrogen Clathrate Hydrates

在253 K和16 MPa的压力下,于实验室内合成了氮气水合物,用显微共焦拉曼光谱对其N-N和O-H键伸缩振动的光谱特征进行了研究．结果表明,氮气水合物中的N-N和O-H键的拉曼峰分别为2322.4和3092.1 cm^-1,与天然的空气水合物中的数据十分接近．另外,还测定了液氮和溶解于水中的氮分子中N-N键的拉曼峰值,分别为2326.6和2325.0 cm^-1．氮气笼型水合物分解的拉曼谱图表明,氮分子同时进入水合物的大笼和小笼中,但由于氮分子在大、小笼中的环境氛围十分接近,其拉曼位移相差不大,故拉曼谱图只能显示N-N键伸缩振动一个峰．     

钼粉处理新工艺对95%氧化铝陶瓷金属化质量的影响

分别采用传统工艺和新工艺处理了陶瓷金属化用钼粉,并利用激光粒度分析、FESEM、X射线射、金相、扫描电镜、拉伸试验、氦质谱检漏等方法研究了处理前后钼粉的粒度及其分布、颗粒形貌、松装密度、氧含量、相组成,金属化膏层的表面状态,金属化层及界面组织,金属化层的封接强度和气密性。物理性能测试结果表明,新工艺处理钼粉的松装密度明显提高,氧含量增幅明显减小,且无杂相污染。配浆及丝网印刷试验显示,含新工艺处理钼粉的金属化料浆流动性好、固液比高,金属化膏层表面光亮细腻,金属化层致密度高。装管成品拉伸试验表明,含新工艺处理钼粉的金属化层的封接强度提高35%,拉伸后出现断瓷现象;这缘于钼粉容易烧结致密化并形成均匀连通的钼骨架。