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采用气态源分子束外延在InP衬底上生长InAs/InGaAs数字合金应变补偿量子阱激光器.有源区的多量子阱结构由压应变的InAs/In_(0.53)Ga_(0.47)As数字合金三角形势阱和张应变的In_(0.43)Ga_(0.57)As势垒构成.X射线衍射测试表明赝晶生长的量子阱结构具有很高的晶格质量.在100K、130mA连续波工作模式下,激光器的峰值波长达到1.94μm,对应的阈值电流密度为2.58 kA/cm~2.随着温度升高,激光器的激射光谱出现独特的蓝移现象,这是由于激光器结构中相对较高的内部吸收和弱的光学限制引起最大增益函数斜率降低所导致的. 相似文献
912.
913.
914.
915.
近日,风河宣布推出云操作系统Wind River Studio,它是同领域首家且唯一的解决方案,为关键任务智能系统提供了全生命周期的一体化环境.这个平台环境无缝集成了远程边缘云计算、数据分析、系统级安全、5G和AI/ML,由此提高了生产率、灵活性和上市速度.风河成立于1981年,已发展了 40年,对安全操作系统是如何理... 相似文献
916.
报道了在Si衬底上微米尺寸的介质膜窗口中,采用分子束外延技术共度生长的Si0.8Ge0.2薄膜的应变及其退火特性. 实验表明,微区生长材料的这些特性,与同一衬底上无边界约束条件下生长的材料相比,有明显的不同.微米尺寸窗口中生长的SiGe/Si材料的应变与窗口尺寸有关,也和窗口的掩膜中的内应力有关.实验还表明,边缘效应对于微区中共度生长的SiGe/Si材料的热稳定性也有显著的影响.在3μm×3μm窗口中共度生长的Si0.8Ge0.2/Si异质结构材料,在950℃高温退火30min后,它的应变弛豫不大于4%.远小于同一衬底上非微区生长材料的应变弛豫.文章还对微区生长材料的这些特性成因进行了探讨. 相似文献
917.
918.
919.
由于机器基础设计的需要,在二十年代后期,德国和苏联都开始组织力量开展块式基础振动的计算理论的研究.到了五十年代,美、英、日等国也开始重视这一领域的工作.六十年代中期以来,成果颇为显著.这些成果不仅应用于机器基础的设计,而且还构成了地震工程中一个崭新的课题--土壤与结构的相互作用--的重要部分.根据所采用的力学模型,各种计算理论可分为几种类型: ... 相似文献
920.
2020年11月,美光科技宣布出货全球首款176层NAND,实现闪存性能和密度的重大突破(如图1).为此,《电子产品世界》采访了该公司工艺集成技术开发高级总监Kunal Parekh和NAND组件产品线高级经理Kevin Kilbuck. 相似文献