提高微细图形光刻分辨力的相移滤波技术研究

详细研究了提高投影成像光刻分辨力的相移滤波技术的基本理论,给出了理论模型,进行了模拟计算.对不同掩模图形设计制作的不同优化滤波器进行光刻对比实验并取得实验结果.研究表明,相移滤波能显著提高部分相干成像系统光刻分辨力和增大焦深,同时能提高光能利用率,有利于提高光刻生产率,是一种有效提高光刻分辨力和焦深的波前工程技术.     

一种新型可调三相变单相变频调压电源的设计

介绍了一种正弦波可调输出的逆变电源的设计。设计中采用了DC/DC和DC/AC电力电子技术,单片机SPWM调制控制技术。采用自带PWM波的PIC16F877单片机经过软件程序编程实现SPWM调制波实现逆变桥IGBT器件的控制,通过反馈电压控制占空比实现稳压。实验结果表明性能可靠。     

多脉冲强流真空电子二极管研究

研究了猝发脉冲串条件下真空强流电子二极管状态和输出电子束参数的变化规律, 建立了阴极等离子体膨胀效应的强流电子二极管参量的方程组, 并提出了阴极等离子体柱状膨胀模型. 实验研究了猝发多脉冲电子二极管输出多脉冲强流电子束的能力和束品质的变化, 给出了以天鹅绒为阴极发射体, 阴极等离子体膨胀速度小于1cm/μs时二极管输出的双脉冲电子束包络的变化和电子束的发射度及亮度.     

KMgF_3∶Eu~(2+)晶体中Eu~(2+)的受激发射研究

二价铕离子(Eu2 )在KMgF3晶体中产生窄带线状发射,峰值位于360 nm。依据自身建立的激发态能量损耗模型,预测了4f7(6P7/2)→4f7(8S7/2)跃迁实现受激发射的可能性。采用ASE技术测得了KMgF3∶Eu2 晶体360 nm发射的光学增益,得到净光学增益系数g=(11.4±3.2)cm-1,实验证实了理论预测。晶体退火或掺杂敏化离子Gd3 或Ce3 可以改善Eu2 的增益效果。     

环形浅液层内热流体波的可视化实验研究

对外壁加热、内壁冷却、厚度为1.0 mm的环形硅油浅液层内的热毛细对流及其稳定性进行了可视化实验研究,观察到了旋转的螺纹状的热流体波,确定了发生热流体波的临界温差值△Tc=4.8 K,证实了热流体波从两组逐渐演变为一组的发展过程,验证了已有的数值模拟结果.     

Structure Tuning of Line-Defect Waveguides Based on Silicon-on-Insulator Photonic Crystal Slabs

We present fabrication and experimental measurement of a series of photonic crystal waveguides. The complete devices consist of an injector taper down from 3 μm into a triangular-lattice air-hole single-line-defect waveguide with lattice constant from 410nm to 470nm and normalized radius 0.31. We fabricate these devices on a silicon- on-insulator substrate and characterize them using a t unable laser source over a wavelength range from 1510 nm to 1640nm. A sharp attenuation at photonic crystal waveguide mode edge is observed for most structures. The edge of guided band is shifted about 30nm with the 10nm increase of the lattice constant, We obtain high-efficiency light propagation and broad flat spectrum response of the photonic crystal waveguides.     

B位Co掺杂对Sr14C24O41的结构和电输运的影响

采用固相反应法制备了系列Sr14（Cu1-xCox）24O41（x=0,0.02,0.06,0.1,0.14,0.18）的样品,X-射线衍射结果显示所有样品均为单相,且Co的掺杂几乎不改变样品的晶格常数,电子衍射和X-射线光电子能谱的测量结果证实Co替代的是链上的Cu原子;电输运的测量显示,Co掺杂样品表现为半导体行为,且渡越温度T随掺杂量的增加逐渐减小.     

高速12路并行CMOS单片光电集成接收机设计与实现

设计并实现了一个高速12路并行CMOS单片光电集成接收机.其每一路都包括一个光探测器、一个跨阻放大器以及后续放大电路.双光电二极管(DPD)结构可以提高接收机速度,但同时降低了响应度.在跨阻放大器电路中采用有源电感来展宽-3dB带宽.通过无锡上华(CSMC)0.6μm CMOS工艺流片并对芯片进行了测试.测试结果显示该接收机单路传输比特率可达0.8～1.4 Gb/s,总的12路可传输15Gb/s数据.