CMOS/SOI 4Kb SRAM总剂量辐照实验

研究了CMOS/SOI 4Kb静态随机存储器的抗总剂量辐照性能.CMOS/SOI 4Kb静态随机存储器采用1K×4的并行结构体系,其地址取数时间为30ns,芯片尺寸为3.6mm×3.84mm;在工作电压为3V时,CMOS/SOI 4Kb静态随机存储器抗总剂量高达5×105Rad(Si),能较好地满足军用和航天领域的要求.     

一种36 GHz CMOS毫米波三倍频器

针对传统三倍频器输出功率和匹配性能差的问题,基于TSMC0.18μm CMOS工艺,提出一种用滤波器作为匹配电路的三倍频器.该三倍频器输出匹配性能好、功率损耗小,提高了三次谐波的输出功率.对晶体管静态特性进行分析,进一步提升输出功率.流片后的实测结果表明,在31.5～36 GHz输出频率范围内,输入功率为0 dBm时,...     

机载红外对抗系统

战争催生红外对抗大市场。红外制导的空空和地空导弹对战术飞机构成了最大的威胁,特别是对低空、慢速飞行的直升机。第一代红外制导导弹使用工作在1μm和2μm波段的红外探测器,如美制“红眼”和AIM9“响尾蛇”空空导弹,苏制“环礁”空空导弹。这种导弹瞄准温度较高的飞机尾部喷气发动机排出的热气,只能尾随攻击飞机。通过施     

基于LED照明的线扫描频域OCT成像系统设计

光学相干层析成像技术(Optical Coherence Tomography,OCT)由于其非接触、无损伤、高分辨率等优点,在医学、生物学、材料学等领域有着广泛的应用,开发基于低成本光源照明且快速成像的OCT系统已经成为OCT技术发展的一个重要趋势.论文研究了一种基于LED照明的频域线扫描OCT成像系统,给出了系统的...     

fT为77GHz的蓝宝石衬底0.25μm栅长AlGaN/GaN高电子迁移率功率器件

在蓝宝石衬底上用MOCVD技术生长的AlGaN/GaN结构上制作出0.25μm栅长的高电子迁移率功率晶体管.0.25μm栅长的单指器件测到峰值跨导为250mS/mm,特征频率为77GHz.功率器件的最大电流密度达到1.07A/mm.8GHz频率下在片测试80×10μm栅宽器件的输出功率为27.04dBm,同时功率附加效率达到26.5%.     

鱼头NINJA摇臂应用报告

在今年的BIRTV展会上,有个东东吸引了我的注意,它就是台湾鱼头发明的摇臀。我不是对他绑在身上的移动摇臂有兴趣,而是对他的盔臂体本身产生了极大的兴趣。因为工作室8年前买的小摇臂就像—头老牛,已经拉不动了,该退休了很长一段时间我都在物色一款新的小摇臂,我希望拥有一台有以下特点的小摇臂：     

四网协同下的多频共用一体化天馈设计

本文通过超宽带天线振子、馈电网络的研究,结合差分进化与遗传退火优化算法,提出了GSM、TD-SCDMA和LTE的一体化天馈系统综合解决方案,实现了四网协同下的多频共用一体化天馈设计,可节约大量的支撑设备、传输设备投入,为运营商多网络天馈建设提供了有效的设计方法。     

音频及部分频带干扰下多音调制直接序列扩频的抗干扰性能

多音调制直接序列扩频(multi-tone DSSS)中非正交子载波的频谱重叠会导致窄带干扰,同时对每个子载波产生不同程度影响,而并非若干相同单载波情形的叠加.通过对单用户及异步多用户MT系统在音频及部分频带干扰下相关检测判决统计量及平均误码率的理论计算,完成了干扰机理的定量分析,并通过数值仿真对结果进行验证.结果表明,与单载波直接序列扩频(SC-DSSS)、正交多载波直接序列扩频(正交MC-DSSS)相比,MT系统在同等接收机复杂度及相同频带利用率下具有更高的处理增益,可有效抑制内部子载波串扰,并对外部窄带干扰及多址干扰具有良好的抗干扰性能,是一种低复杂度、高可靠性宽带扩频体制.