源区浅结SOI MOSFET的辐照效应模拟

研究了源区浅结的不对称SOI MOSFET对浮体效应的改善,模拟了总剂量、抗单粒子事件(SEU)、瞬时辐照效应以及源区深度对抗辐照性能的影响.这种结构器件的背沟道抗总剂量能力比传统器件有显著提高,并且随着源区深度的减小,抗总剂量辐照的能力不断加强.体接触不对称结构的抗SEU和瞬时辐照能力优于无体接触结构和传统结构器件,这与体接触对浮体效应的抑制和寄生npn双极晶体管电流增益的下降有关.     

LDA抽运Nd:YLF再生放大器的实验研究

研制了一台激光二极管列阵(LDA)抽运的Nd:YLF再生放大器。再生放大器工作波长1053 nm，重复频率1 Hz，输出4 ns宽基横模TEM00激光脉冲的能量为2 mJ。总放大倍数达到了1×10 7，输出能量稳定性优于±4.7%(峰值)。给出了再生放大器的实验装置和有关实验结果。     

稳态锁模产生4ps激光脉冲

首次利用ＧａＡｓ光电导开关，控制Ｎｄ：ＹＬＦ激光器腔内Ｑ值，实现稳态锁模，获得脉宽和能量稳定性极高的４ｐｓ激光脉冲。     

圆板几何非线性方程摄动解的收敛性

本文从一般角度出发,详细讨论了圆薄板几何非线性方程的正则摄动解和对应的迭代解的计算格式以及它们两者之间的关系,通过证明迭代解的收敛性,解决了摄动解在区域上一致收敛这一棘手问题。     

间变型室管膜瘤的超微结构诊断

间变型室管膜瘤的超微结构诊断肖桃元可金星吕银惠黄文琪（第三军医大学电镜室，重庆４０００３８）叶明福张哉根王亚莉（新桥医院病理科，重庆４０００３７）目的描述间变型室管膜瘤的超微结构特征，结合文献总结该瘤的电镜诊断和鉴别诊断要点。方法取２例手术切除的新鲜...     

广义Hénon映射的滑模变结构控制同步

基于可线性化的非线性离散变结构跟踪控制方法实现了广义Hénon映射混沌系统的同步.广义Hénon映射的混沌吸引子比Hénon映射的混沌吸引子要复杂得多,对于保密通信来说,这种复杂性正是所期望的.提出的同步方法允许参数有适当的失配程度,这对工程实现是非常有利的,理论分析和仿真结果证实了该方法的有效性 关键词： 广义Hénon映射 混沌 同步 变结构控制     

32OH场强仪检修一例

故障现象:在以下各频段频率显示如下: FM 90M—120M 正常值85M—117M; VHF(LOW) 56M—220M 正常值45M—178M; VHF(H1GH) 440M—660M 正常值153M—455M; UHF 660M—980M 正常值449M—863M。与正常值相差甚远,且在FM、VHF(LOW)、VHF(H1GH)、UHF的任一段,不论40dB、20dB衰减开关是否打开,表头总有停在中间段的指示,扬声器总有噪声。 检查维修:打开机壳,取出机芯,可以见到除电解电容、按键开关、电位器、高频头等     

一种智能卡口令认证方案的分析与改进

袁,吕提出了一种智能卡口令认证方案.在他们的方案中,用户能随意更改口令,远程系统不需要存储用户的口令表或验证表,并能防止重放攻击.作者指出袁-吕方案不能抵抗假冒攻击,并进行了改进.