BL0940计量芯片在电器监测中的应用

阐述计量芯片BL0940为监测中心,电压降低后,经过霍尔电流传感器传入计量芯片,单片机与计量芯片进行通信,并处理回传的数据,从而实现对于用电器的监测。     

干摩擦下金属表面膜及其磨粒对摩擦行为及自生电势的影响

针对几种常用金属摩擦副,在球－盘式摩擦磨损试验机上考察了金属表面膜及其磨粒对其摩擦行为和表面自生电势的影响。结果表明,金属自身的表面膜对其摩擦行为及表面自生电势（SGV）均有明显的影响;而金属磨粒对摩擦行为及自生电势的影响程度取决于磨粒性质及摩擦副的粘附特性。     

计算轴对称粒子光散射问题的简化T矩阵方法

首先给出了光散射计算中的T矩阵方法的推导过程,然后分析了轴对称粒子T矩阵的特点——方位模m的独立性。并由此特点对原始的T矩阵进行了简化和变形,去除了其中的零元素并将其分成关于方位模m的小矩阵。然后运用基于方位模m的独立方程求得散射场系数。最后以球形粒子为例得到散射场的仿真结果与用微元法有很好的吻合。     

SAR图像基于Rayleigh分布假设的最小误差阈值化分割

针对合成孔径雷达（ＳＡＲ）图像的特点，本文提出基于灰度直方图的混合偏移Ｒａｙｌｅｉｇｈ分布假设下的最小误差阈值化分割算法，并与现有的基于Ｇａｕｓｓ和Ｐｏｉｓｓｏｎ分布假设下的最小误差分割算法以及经典的Ｏｔｓｕ算法作了比较。实验和Ｋｏｌｍｏｇｏｒｏｖ－Ｓｍｉｒｎｏｖ检验结果表明对ＳＡＲ图像而言，基于Ｒａｙｌｅｉｇｈ假设的算法可以取得更好的分割效果。     

FeS2微粉的水热合成及晶体结构研究

利用水热法一步合成了黄铁矿型FeS2(Pyrite)多晶粉体.样品的X射线衍射线和Rietvild结构精修表明,所得样品具有AB2型立方结构,空间群Pa3,晶格常数a=5.4151 A,Wyckoff参量u=0.3868,结合水热生长模式分析了晶体的生长过程.     

一种新兴的仿真技术——分布式交互仿真（二）

为适应高技术作战环境下武器群体或攻防体系对抗的仿真，系统仿真已由单武器平台的性能仿真发展为多武器平台在作战环境下体系对抗的仿真。分布式交互仿真（DIS）即是在这种需求背景下产生的新兴仿真技术。DIS所构筑的综合仿真环境，大大扩展了仿真的应用领域。文中全面论述了DIS的概念、定义、结构组成与技术特点，以及DIS的设计原则与体系结构，详细分析了实现DIS综合环境应解决的关键技术问题以及应用领域。     

对硫磷分子印迹聚合物在固相萃取中的应用

采用分子印迹技术,以对硫磷为模板分子,二乙烯三胺为固化剂,环氧树脂为单体,聚乙二醇为致孔剂,制备了具有良好识别性能的分子印迹聚合物.系统考察了对硫磷与其结构类似物在该聚合物上的选择性分离富集特性.用聚合物固相萃取了小白菜中的对硫磷.结果表明,聚合物对模板分子产生了印迹效应,对对硫磷有明显的选择性.本文采用C18色谱柱,...     

茼蒿素类似物的合成

本文报道了天然昆虫拒食剂茼蒿素的一些新类似物的合成。整个工作以取代的呋喃丙醇为前体, 经间氯过氧苯甲酸氧化、Luche还原、双键环氧化、酸催化的螺环缩酮化以及自由基媒介的脱水反应给出目标产物。     

300 mm硅片表面延性磨削机理研究

根据脆性材料实现延性磨削时存在临界深度的理论,通过设定磨削参数,使之满足硅片的延性磨削条件.利用扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)对磨削硅片表面和截面进行分析研究.研究结果表明:硅片表面形成规律的磨削印痕,且磨削印痕微弱,在硅片表面留下的磨削沟槽保留延性磨削特征,硅片表面无微细裂纹和因脆性崩裂产生的凹坑;硅片截面明显地分为非晶层、次表面损伤层、单晶硅层,非晶层厚度约为50～100 nm,表面微细裂纹完全消失,次表面损伤层厚度约为50～150 nm,次表面损伤层存在微细裂纹.