氧化镓基肖特基势垒二极管的研究进展

Ga₂O₃是一种新型宽禁带半导体材料,禁带宽度约为4.8 eV,临界击穿电场理论上可高达8 MV/cm, Baliga优值超过3 000,因此在制作功率器件方面有很大的潜力。Ga₂O₃是继SiC和GaN之后制作高性能半导体器件的优选材料,近年来受到了广泛的关注。介绍了Ga₂O₃材料的基本物理性质,分析了Ga₂O₃基肖特基势垒二极管(SBD)的优势及存在的问题。重点从器件工艺、结构和边缘终端技术等角度评述了优化Ga₂O₃基SBD性能的方法,并对Ga₂O₃基SBD的进一步发展趋势进行了展望。     

图形化SOI LDMOS跨导特性的研究

借助ISE软件,以调试后各参数性能优良的图形化SOI LDMOS器件为仿真平台,研究并分析了栅氧化层厚度,漂移区浓度,沟道浓度,SOI层厚度四个结构工艺参数对图形化SOI LDMOS跨导gm的影响.文章指出了对跨导gm有影响的因素,并为降低跨导应该进行的参数调节提供了参考.     

菌紫质LB膜对闪光的响应

光敏生物大分子菌紫质(bR)是嗜盐菌(H.Halobium)紫膜中的唯一蛋白质,分子量为26,000 Da.视黄醛共价结合在蛋白上,当吸收了光子后它可在瞬间产生光化学反应,并与光电转换相联系.bR分子在结构与功能方面的这些特征,与动物光感受器中的视紫红质构为类似,从而引起了视觉研究者对它的兴趣.     

溅射硒化物靶与金属单质靶制备Cu2 ZnSnSe4薄膜及电池的比较研究

采用磁控溅射SnSe-ZnSe-Cu硒化物靶和Sn-Zn-Cu金属单质靶的方法制备两种Cu2 ZnSnSe4(CZTSe)预制层,并将两种预制层采用相同的硒化工艺制备出CZTSe薄膜吸收层.分别采用XRD、Raman、SEM、EDS等分析了薄膜的晶体结构、相的纯度、表面及截面形貌和元素组分,结果发现采用硒化物靶制备的CZTSe吸收层薄膜更为平整致密且无明显孔洞.同时采用Hall测试和J-V测试对太阳电池薄膜的电学性质进行了表征,结果表明硒化物靶制备的CZTSe太阳电池的电流密度以及光电转化效率要高于金属单质靶,金属单质靶制备的CZTSe薄膜电池的开路电压为356 mV,短路电流密度为20.61 mA/cm2,光电转换效率为2.18;,而硒化物靶制备的CZTSe薄膜电池的开路电压为354 mV,短路电流密度为28.41 mA/cm2,光电转换效率为3.33;.     

分布式ATM交换系统

分布式ＡＴＭ交换系统提高ＡＴＭ网络的灵活性，本文研究了分布式ＡＴＭ交换系统的网络结构，各主要部件的功能及构成，并介绍了分布式ＡＴＭ交换系统的应用。     

丝网印刷制备FeS2(Pyrite)薄膜及其结构研究

本文采用丝网印刷方法制备了FeS2(Pyrite)薄膜,用x射线衍射确定了样品FeS2(Pyrite)薄膜的晶体结构,讨论了x射线衍射峰强、点阵常数以及晶粒尺寸等随薄膜厚度的变化.并用Rietveld方法对样品的结构进行了精修,确定了样品中S/Fe原子比的变化范围、键长、键角等结构常数.     

偶氮苯类DNA纳米机器

具备光致异构性及乏氧响应性的偶氮苯为构建DNA纳米机器提供了动态响应元件. 然而, 受限于偶氮苯类化合物有限的光异构化反应, 偶氮苯类DNA纳米机器的构建与应用仍然面临着巨大的挑战. 本文梳理了基于偶氮苯的DNA纳米机器的构建方式及相应优缺点, 总结了可见光响应的偶氮苯类DNA纳米机器的设计规则, 并进一步综合评述了偶氮苯类DNA纳米机器在调控酶活性、 物质运输和机械运动等方面的应用. 本文有望推动开发更灵活的偶氮苯与DNA的偶联方式, 并为偶氮苯类DNA纳米机器在生物医学上的应用带来一定启示.     

Ce：KNSBN晶体红光两波耦合特性研究

用红光对掺铈的铌酸钾钠锶钡(KNSBN)单晶样品进行了两波耦合的测量,研究了两波耦合中样品的增益系数Γ与两束入射光夹角2θ的关系.用光折变理论拟合了Γ-2θ关系的实验结果,求出了该样品的有效光折变电荷密度,有效电光系数和电子-空穴对抗率的数值.     

对《评灵敏电流计常数K的测定》的商榷

本刊1991年第4期刊登的《评灵敏电流计常数K的测定》(下简称《评K的测定》)一文,对常数K的三种测量方法进行了评述,并认为只有文中介绍的第一种测量方法是正确的,第二、第三种方法都是错误的,我们认为这个结论值得商讨。