黑硅光电探测材料与器件研究进展

黑硅作为一种新型光电材料,在光伏太阳能电池、光电探测器、CMOS图像传感器等领域被广泛研究,其中黑硅的光电探测技术备受关注,近些年来也取得了重要的研究进展。本文首先简单介绍了黑硅材料的结构,然后讨论了基于飞秒激光刻蚀法、湿法腐蚀、反应离子刻蚀法等方法制备的黑硅材料的性质。其次概述了基于以上方法制备的不同黑硅光电探测器的结构及性能,并讨论了黑硅器件在不同领域的应用。最后对黑硅光电探测技术进行了分析与展望,探讨了黑硅材料及器件未来的发展方向。     

PLC技术在电气自动控制中的应用研究

在与PLC技术的大力结合下,电气系统实现了高效运转效益.并在保障用户需求的情境下,根据用户的基本需求,针对不同应用环境,随机进行系统调整.调整期间,不仅能够保障整个系统高效运作,同时也对电气系统使用周期予以适当维护,并以此保证电气系统的工作效率.本文重点分析了PLC技术在电气自控中的实质运用,探讨了PLC技术在各类电气自控中的实质应用.     

S波段宽波束圆极化天线设计

随着现代无线通信系统的发展,对天线也提出了一些特定的更高的要求。设计了一种S频段宽波束圆极化微带天线,以满足系统对天线宽波束辐射的要求;在天线的辐射贴片上附加寄生贴片以展宽天线带宽,并利用金属化过孔以实现单边短路,达到天线小型化设计的目的;利用旋转结构结合多点馈电技术以获得微带天线宽波束圆极化辐射。通过理论分析并利用三维电磁仿真软件HFSS对天线进行了仿真设计和实验,仿真结果与测试结果吻合良好。     

数字闭环加速度计带宽测试方法的研究

为了消除传统电模拟法引入的激励信号对力矩器驱动模块造成的影响,提出了一种在数字闭环加速度计系统反馈回路数模转换器输入端叠加一个激励信号来测试系统带宽的方法.通过对该方法的电激励模型进行分析,表明在带宽测试时系统反馈回路D/A输入端叠加激励信号可以等效为外界输入的加速度.搭建测试平台测试系统带宽,实验表明,用该方法测得的数字闭环加速度计系统带宽与传统机械振动法的测试结果相接近.该方法未增加其它电路,降低了系统的复杂度,消除了电模拟法外加激励信号源对力矩器驱动模块的影响.此外,该方法操作快速简单、便于在线测试,可满足大多数数字闭环加速度计的带宽测试要求.     

一种基于数字可控电感的宽带压控振荡器

提出了一种基于数字可控电感的宽带压控振荡器(VCO)。根据人工介电常数控制理论,提出了利用数字可控差分传输线实现电感可调的方法,并在ADS软件中对数字可控差分电感进行仿真和优化,最终提出了一种采用数字可控电感来实现宽带VCO的方法。在Cadence仿真环境中,采用GF 65 nm CMOS工艺进行电路设计。流片后,测得电路总的频率调节范围约为6.5 GHz(68.737~75.283 GHz),实现了较宽的频带。     

基于MSDP的任播技术在企业专网中的运用研究

企业专网使用以单个核心路由器为RP的组播结构,为了达到更加优化的容灾备份能力,考虑增加RP的数量来均衡负载,保障组播功能的完善。本文通过分析企业专网的星型双平面结构的特点,制定基于MSDP的任播技术在企业专网中运用的组播方案。使企业专网的组播功能更加优化,进而提升企业专网的数据传输的可靠性。     

金掺杂碲镉汞红外探测材料及器件技术

采用金掺杂替代作为深能级缺陷中心的汞空位,可明显提高P型碲镉汞材料少子寿命,进而降低以金掺杂P型材料为吸收层n-on-p型碲镉汞器件的暗电流,明显提升了n-on-p型碲镉汞器件性能,是目前高灵敏度、高分辨率等高性能n-on-p型长波/甚长波以及高工作温度中波碲镉汞器件研制的一种技术路线选择.本文在分析评述金掺杂碲镉汞材...     

非制冷势垒型InAsSb基高速中波红外探测器

高速响应的中波红外探测器在自由空间光通信和频率梳光谱学等新兴领域的需求逐渐增加。中长波XB_nn势垒型红外光探测器对暗电流等散粒噪声具有显著抑制作用。本文在GaSb衬底上采用分子束外延技术生长了nBn和pBn两种结构的InAsSb/AlAsSb/AlSb中波红外光探测器材料,并通过微纳加工工艺制备了可用于射频响应特性测试的GSG结构探测器。XRD和AFM的测试结果表明,两种结构的外延片都具有较好的晶体质量。器件暗电流测试结果表明,相较于nBn器件,在室温和反向偏压400 mV的工作条件下,直径90 μm的pBn器件表现出更低的暗电流密度0.145 A/cm2,说明该器件在室温非制冷环境下表现出较低的噪声水平。不同台面直径的探测器的暗电流测试表明,pBn器件的表面电阻率低于对照的nBn器件的表面电阻率。另外,根据探测器的电容测试结果,可零偏压工作的pBn探测器具有完全耗尽的势垒层和部分耗尽的吸收区,nBn的吸收区也存在部分耗尽。探测器的射频响应特性表明,直径90 μm的pBn器件的响应速度在室温和3 V反向偏压下可达2.62 GHz,对照的nBn器件的响应速度仅为2.02 GHz,响应速度提升了29.7%,初步实现了在中红外波段下可快速探测的室温非制冷势垒型光电探测器。     

低压差线性稳压器断路失效原因分析

低压差线性稳压器(LDO)是一种重要的电源管理芯片,其可靠性关乎电子设备的稳定和安全。该文以某低压差线性稳压器经环境试验筛选后发生功能失效为案例,通过开封观察、断口形貌分析、材质分析、表面成分分析等手段,确定该稳压器的失效模式为键合丝断路,失效原因为导电胶的粘接界面受有机硅污染,导致晶片与底座在环境试验过程中发生脱离并拉断键合丝,并针对该案例提出改进建议。     

叠盖电极高性能SPRITE探测器

由于扫出效应，载流子大量聚集在邻近电极的区域，但电极处的强复合作用使SPRITE读出区光生载流子数衰减很多，采用叠盖电极技术可以有效地阻载流子在地电极处的快速复合，读出区中光生非平衡载流子总数为无叠盖电极时的2.18倍，输出信号大幅度提高。该技术对现有工艺的改变极小，是一种比较现实的提高SPRITE探测器性能的有效办法。叠盖电极用于SPRITE探测器，可明显提高性能。