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宽温区大电流下的热不稳定性严重制约着功率SiGe 异质结双极晶体管 (HBT) 在射频和微波电路中的应用.为改善器件的热不稳定性, 本文利用SILVACO TCAD建立的多指功率SiGe HBT模型, 分析了器件纵向结构中基区Ge组分分布对微波功率SiGe HBT电学特性和热学特性的影响. 研究表明, 对于基区Ge组分为阶梯分布的HBT, 由于Ge组分缓变引入了少子加速电场, 使它与均匀基区Ge组分HBT相比, 具有更高的特征频率fT, 且电流增益β和fT随温度变化变弱, 这有利于防止器件在宽温区工作时电学特性的漂移.同时, 器件整体温度有所降低, 但器件各指温度分布均匀性较差.考虑多指HBT各发射极指散热能力存在差异, 在器件纵向结构设计为基区Ge组分阶梯分布的同时, 对其横向版图进行发射极指间距渐变结构设计, 用于改善器件各指温度分布的均匀性, 进而提高HBT的热稳定性.结果表明, 与基区Ge组分为均匀分布的等发射极指间距结构HBT相比, 新器件各指温度分布均匀性明显改善, fT保持了较高的值, 且β和fT 随温度变化不敏感, 热不稳定性得到显著改善, 显示了新器件在宽温区大电流下工作的优越性.
关键词:
SiGe 异质结双极晶体管
Ge组分分布
发射极指间距渐变技术
热稳定性 相似文献
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本文用CPB(Coulomb-Projected Born)近似和GCPB(Generalised Coulomb-Projected Born)近似对激光场中电子与氢原子碰撞电离的三重微分截面及平均吸收或发射光子数进行了计算,并将结果与P.Cavaliers等(1980)的Born近似结果进行了比较。 相似文献
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After the separation of the donor, the aeceptor, and the σ-type bridge from the π-σ-π system, the geometries of biphenyl, biphenyl anion radical, naphthalene, and naphthalene anion radical are optimized, and then the reorganization energy for the intermolecular electron transfer (ET) at the levels of HF/4-31G and HF/DZP is calculated. The ET matrix elements of the self-exchange reactions of the π-σ-π systems have been calculated by means of both the direct calculation based on the variational principle, and the transition energy between the molecular orbitals at the linear coordinate R=0.5. For the cross reactions, the ET matrix element and the geometry of the transition state are determined by searching the minimum energy splitting △_(min) along the reaction coordinate. In the evaluation of the solvent reorganization energy of the ET in solution, the Marcus' two-sphere model has been invoked. A few of ET rate constants for the intramolecular ET reactions for the π-σ-π systems, which contain 相似文献
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