面向新工科的物理实验人才培养模式的构建与实践

以西南科技大学物理实验示范中心为例,分析了普通高校物理实验面临的共同问题,研究了多种解决教学问题的可行方案,初步形成了一套面向新工科的物理实验人才培养有效模式,并对这些举措的创新点和应用推广情况进行了阐述。     

均值-方差准则下具有利率和通胀双重风险的资产负债管理问题

在均值-方差准则下研究具有利率风险和通胀风险的资产负债管理问题.首先,利用Lagrange乘子技术将这个资产负债管理问题转化为一个标准的均值-方差有效问题.然后,利用Hamilton-Jacobi-Bellman方法、偏微分方程方法和Lagrange对偶定理得到原问题有效的投资策略和有效前沿的解析表达式.最后,在解析表达式的基础上,通过数值算例分析了模型主要参数对投资策略和有效前沿的影响.     

基于互补特征层次决策融合的SAR目标识别方法

提出基于互补特征层次决策融合的合成孔径雷达(SAR)目标识别方法,该方法采用主成分分析特征、目标峰值和目标轮廓作为描述SAR图像的特征。三者对于目标的描述具有较强的互补性,从而为目标识别提供更多的鉴别力信息。在决策融合阶段,采用了层次推进的策略。第一级采用主成分分析特征,第二级采用峰值特征,第三级采用轮廓特征进行识别。当前一级得到可靠的识别结果时,下一级则无需进行。采用层次融合策略,大大提高了目标识别的效率,避免了不必要的重复识别过程。为了验证所提方法的有效性,基于MSTAR公共数据集进行了目标识别实验。     

萃取色层-ICP-MS法测定金属钚中杂质元素

采用HNO_3(1+1)和少量HF溶解金属钚,建立了利用TEVA(三烷基甲基胺盐,烷基为C8-C10)分离大量Pu中微量Zr等杂质元素,ICP-M S分析的方法。采用H_2O_2调节Pu的价态,样品在3 mol/L HNO3上柱-3 mol/L HNO_3淋洗Zr等杂质元素,并利用ICP-MS测量了分离后样品中Zr,Mo,Ru等杂质元素的含量。结果表明,Pu的去污系数达到104,Zr等24种杂质元素加标回收率多为90%~115%,相对标准偏差优于15%(n=6),方法的检测限为0.2~150 ng/g(以Pu计)。     

Si基埋置型GaAs芯片封装技术及其热分析

传统贴置型芯片封装集成度低、散热效果差,为提高GaAs芯片的封装集成度与散热效果,基于MEMS异质集成技术提出一种毫米波硅埋置型三维封装模型结构,借助 COMSOL软件开展热学仿真优化,得到芯片温度与封装基板厚度、底座厚度、涂覆银浆厚度、硅通孔(TSV)距离芯片中心位置及个数的变化规律,获得芯片埋置的热学最优化工艺参数,最终确定的模型集成度高、体积小、散热效果好,封装体积仅为20ｍｍ×10ｍｍ×1ｍｍ,可以实现三维堆叠,芯片工作温度要比传统贴片封装模型降低13.64℃,符合芯片正常工作的温度需求。     

基于光谱干涉技术的玻璃厚度及折射率测量方法

基于光谱干涉技术提出了一种能够同时测量玻璃厚度及折射率的方法,该方法利用迈克尔逊光路,通过傅里叶变换算法对光谱仪接收的干涉信号进行解算,获取光谱干涉条纹的调制周期,根据待测玻璃样品放入测量臂前后,测量臂与参考臂所形成的光程差即可求出玻璃样品的几何厚度和折射率。该方法无需机械扫描延迟线并采用改进的傅里叶域下的相位提取算法,提高了测量系统抗干扰能力,探测速度快。实验结果表明:对玻璃样品的厚度测量精度优于±1μm,折射率测量精度±5×10^-4。     

瞬时剂量率效应激光模拟测试技术

瞬时剂量率辐射效应模拟测试存在着试验资源有限、环境电磁干扰强、重复性不高等不利因素。本文开发了瞬时剂量率效应脉冲激光模拟测试技术,以1 064 nm激光构建完整精细的剂量率效应地面模拟测试系统。利用此系统开展了不同工艺节点、不同沟道类型、不同衬底形式的瞬时剂量率效应实验研究。仿真实验结果表明相同条件下,体硅器件光电流比绝缘衬底上的硅(SOI)器件大10倍以上,光电流受源漏电压影响也大于SOI器件。