通过倒易空间扫描表征AlGaN外延材料

AlGaN在紫外器件(紫外探测器、紫外LED等)以及高速功率器件(HEMT等)方面有着非常重要的应用。提出利用HRXRD倒易空间的测试分析方法来获得外延材料中的晶格应变及其缺陷状态,这对AlGaN材料的MOCVD外延生长具有重要的指导意义。     

GaN1-x Px三元合金的红外谱

对GaN1-xPx三元合金进行了红外谱的测试和拟合.分析结果表明在GaN1-xPx三元合金中存在两个彼此竞争的机制制约着载流子浓度的变化.一个是来自等电子陷阱的影响,它将减少三元合金中载流子的浓度;另一个来自缺陷的影响,它将增加三元合金中载流子的浓度.对合金介电函数的倒数的虚部进行了计算,其结果显示,随着合金中P组分比的增加,纵向光学声子-等离激元(LPP)耦合模式向高频方向移动,同时LPP模式线宽逐渐增宽,说明随着合金中P组分比的增加,LPP模式的耦合作用增加,阻尼增强.     

New localized excitations in a (2+1)-dimensional Broer—Kaup system

Starting with the extended homogeneous balance method and a variable separation approach, a general variable separation solution of the Broer—Kaup system is derived. In addition to the usual localized coherent soliton excitations like dromions, lumps, rings, breathers, instantons, oscillating soliton excitations, peakon and fractal localized solutions, some new types of localized excitations, such as compacton and folded excitations, are obtained by introducing appropriate lower-dimensional piecewise smooth functions and multiple-valued functions, and some interesting novel features of these structures are revealed.     

用于音乐作品版权保护的数字音频水印算法

提出了一种用于音乐作品版权保护的数字音频水印嵌入算法，该算法首先将视觉可辨的二值水印图像降维成一维水印序列并进行随机置乱，再从原始数字音频信号中随机选取采样数据并进行快速傅立叶变换(FFT)，最后结合人类听觉系统(HAS)掩蔽特性选取绝对值较大的FFT系数嵌入水印信息。仿真实验表明：该数字音频水印嵌入算法不仅具有较好的透明性，而且对诸如叠加噪声、有损压缩、低通滤波、重新采样、重新量化等攻击均具有较好的鲁棒性。     

GaAs／GaAlAs光电阴极量子效率相关参数测量方法的研究

针对三代微光中ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ光电极研制的特点，提出一些与阴极量子效率相关的参数的测量方法，以供阴极工艺研究参考。     

AIN/Si(111)复合衬底上4H-SiC薄膜的异质外延

利用化学气相淀积(CVD)的方法在AlN/Si(111)复合衬底上成功实现了4H-SiC薄膜的异质外延生长,用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、阴极荧光(CL)等方法对所得样品的结构特征、表面形貌和光学性质进行了表征测量.XRD测量结果显示得到的SiC薄膜的晶体取向单一;室温CL结果表明所得SiC薄膜为4H-SiC,且随着生长温度的升高,SiC薄膜的CL发光效率提高.生长温度、反应气源中C/si比等工艺参数对SiC薄膜的外延生长及其性质影响的研究表明在AIN/Si(111)复合衬底上外延4H-SiC的最佳衬底温度为1230～1270℃,比通常4H-SiC同质外延所需的温度低200～300℃;较为合适的C/Si比值为1.3.     

虚拟社区价值共创中的顾客创新动机及行为研究

基于虚拟社区价值共创和顾客创新和动机理论的相关文献,对虚拟社区中的顾客创新动机进行了划分,探讨了虚拟社区互动特征与顾客创新动机及顾客创新意愿间关系,并通过问卷调查法收集相关数据对假设进行了实证检验.结果表明虚拟社区感正向影响顾客创新动机,服务主导逻辑导向只影响经济利益动机、沉浸动机和利他动机.内部动机更多地影响顾客创新投入意愿而外部动机则主要影响顾客的知识分享意愿.研究结论解释了内部动机与外部动机在虚拟社区顾客创新中的不同作用,并对提高虚拟社区中的顾客创新提出了相关建议.     

阴极荧光联合分析系统在Ⅲ族氮化物研究中的应用

利用高性能阴极荧光(CL)联合分析系统对几类典型的Ⅲ族氮化物材料进行测试分析.在光谱研究中,利用CL紫外町见光谱系统,对c面蓝宝石衬底上生长的AlxGa1-xN薄膜进行阴极荧光单色谱测试分析,揭示了CL的激发强度与发光带之间的变化关系.进一步研究了掺Mg的Al0.5Ga0.5N薄膜的带边和杂质能级发光机理.利用CL近红外光谱系统对InN薄膜的阴极发光特性进行了研究,验证了InN实际光学带边E8在0.77eV附近.利用微区分析(CL mapping)系统,可在紫外波段确切地给出材料不同波长的荧光发光区这一特点,对HVPE生长的自支撑GaN衬底进行了SEM和CL微区的对比分析,研究了GaN的位错类型和分布.     

高温AlN为模板的AlGaN基p-i-n背照式日光盲探测器

第一次报道了以高温AlN为模板层的AlGaN基p-i-n背照式日光盲探测器的制作和器件特性.利用MOCVD方法在(0001)面的蓝宝石衬底上生长了探测器的AlxGa1-xN多层外延材料.在无需核化层的高温AlN模板上生长了p-i-n背照式日光盲探测器的无裂纹高Al组分(0.7)AlGaN多层外延结构.利用在线反射监测仪、三轴X射线衍射及原子力显微镜表征了外延材料的晶体质量.在1.8V的反向偏压下,制作的探测器表现出了日光盲响应特性,在270nm处最大响应度为0.0864A/W.具有约3.5V的正向开启电压,大于20V的反向击穿电压,在2V的反向偏压下暗电流小于20pA.     

二次退火对p型GaN的应变影响

采用LP-MOCVD在蓝宝石基片上外延生长了Mg掺杂p-GaN,并对样品进行了退火处理.利用高分辨X射线衍射(HRXRD)对经不同退火时间处理后的样品进行了测试分析,从应变的角度对p型GaN中的杂质和缺陷行为特性进行了分析和探讨.结果表明:p型GaN的应变状态与其退火过程中的杂质和缺陷行为及其最后的电学性能都有着一定的规律性.