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191.
采用MOCVD技术及渐变δ-Mg掺杂方法生长了p型GaN薄膜,对样品进行了两步退火处理以对Mg进行激活.通过Hall测试发现,经过950℃下的第一次退火后,样品空穴浓度为1.64×1016cm-3,电阻率为77.9Ω·cm.经过750℃下的第二次退火后,样品的空穴浓度增大了10倍,电阻率减小为原来的1/20.分析认为,渐变δ掺杂减小了Mg的自补偿效应,两步退火提高了Mg的激活效率,从而显著提高了样品的空穴浓度和降低了电阻率.实验还发现,经过750℃下15min的第二次退火后得到的样品的空穴浓度最大,达5.13×1017cm-3. 相似文献
192.
基于通信系统设备用户方在设备使用和维护过程中的需求和实践经验,分析了我国已有客户关系管理在通信系统设备维护中应用的不足,认为通信系统设备维护应当重视设备制造企业和设备使用企业的互动关系,将对设备维护的客户关系管理纳入企业总体战略,并在组织结构和信息技术应用等多层次构建客户关系管理系统,以实现通信系统设备相关利益方的多赢目标. 相似文献
193.
按照客观性、科学性与发展性原则,构建了边防军官胜任特征的评价指标体系,由3个一级指标与11个二级指标构成.在此基础上,提出了基于灰色关联度和AHP的胜任特征评价方法,并以某边防团对边防军官的胜任特征评价为例进行了实例分析,验证了方法的科学性与合理性. 相似文献
194.
研究了360度反馈差异的原因的问题,重点考察管理者人格特征在其中的作用.研究在回顾文献的基础上,采用问卷调研法收集对同一组管理者的上级评价、自我评价和下级评价,以及管理者的人格数据.结果显示了反馈差异的存在,同时发现被评价者的人格特征对反馈差异的影响有所不同,其人格特征主要在下级评价中有显著作用,但是上级评价较少受到被评价者个性因素的影响.研究进一步讨论了产生这一现象的原因,并指出下一步的研究方向. 相似文献
195.
针对复合型指挥军官胜任特征评价问题,建立了胜任特征评价指标体系,提出了一种新的组合评价模型:基于信息熵的思想,以每个指标上专家对评价对象的评价结果间差异程度确定此指标上该专家的分值权重,得出评价对象在该指标上的得分,提高评价对象在每个指标上得分的合理性;采用层次分析法确定评价指标权重,利用评价对象间的灰色关联系数来构建评价矩阵,提高评价结果的准确性.最后,给出一个实例证明了模型的可行性和有效性. 相似文献
196.
1-(3-羧苯基)-5-甲基-1氢-1,2,3-三唑-4-羧酸为配体与锰金属盐、锌金属盐在水热合成法得到2个配位聚合物:{Mn(cpmtc)2(H2O)2}n(1),{Zn(cpmtc)3(H2O)}n(2)。通过单晶衍射仪测得这2个晶体结构,配位聚合物1为单斜晶系,P21/c空间群;a=1.18352(19)nm,b=1.19801(19)nm,c=0.99876(16)nm,β=113.201°。配位聚合物2属于单斜晶系,P21/c空间群;a=1.0233(3)nm,b=1.1720(4)nm,c=1.0233(3)nm,β=92.8700°。除此之外,这2个配位聚合物通过红外和荧光进行表征。 相似文献
197.
198.
研究了不同电极间距对准垂直肖特基势垒二极管(SBD)正反向I-V特性,尤其是击穿电压和漏电的影响。通过制备不同电极间距的准垂直GaN SBD,测量不同电极间距器件的击穿电压和反向漏电变化。测量发现当电极间距小于器件台面刻蚀深度时,器件的击穿电压随着电极间距的增大而增大;当电极间距大于台面刻蚀深度时,器件的击穿电压随着电极间距的增大而几乎不发生变化。利用Silvaco软件进行了一系列的仿真研究,发现SBD的峰值电场强度不仅取决于电极间距,同时还受限于台面高度。研究表明在准垂直SBD研制中,为得到高击穿电压,电极间距应匹配器件台面的高度。 相似文献
199.
0引言
Nafion(R)膜是质子交换膜燃料电池和直接甲醇燃料电池的首选电解质膜.该膜若要成功地应用于燃料电池,还需要解决2个关键问题:降低甲醇渗透率和提高Nafion(R)膜在高温的质子传导能力(即保水能力).目前主要靠在Nafion(R)膜的球状胶束中加入亲水性的无机纳米粒子解决这个问题[1~9].无机粒子的加入不仅可以有效地阻隔甲醇分子,而且因其亲水性可增加Nafion(R)膜在较高温度下的保水能力,使得Nafion(R)膜在较高温度仍可保持良好的质子导电性. 相似文献