显微激光拉曼定量分析CO_2气体碳同位素组成方法研究

制备了一系列不同比例的~(12)CO_2/N_2和~(13)CO_2/N_2混合物,对样品进行显微激光拉曼测试分析后发现气体拉曼特征峰峰面积比与其摩尔分数比成正比例关系,拟合方程的斜率被认为是拉曼量化因子F_(12CO_2)和F_(13CO_2)。用气相组分中只含有~(12)CO_2和N_2的流体包裹体验证了当F_(12CO_2),为1.163 49时,根据气体的拉曼特征峰峰面积比能估算出其摩尔分数比。由线性拟合后的方程斜率得出F_(13CO_2)和F_(12CO_2)分别为1.610 86和1.163 49,它们的比率F_(13CO_2)/F_(12CO_2)是1.3845。在确定稳定同位素分子的拉曼参数和实验条件基础上,CO_2气体碳同位素摩尔分数比C_(12)/C_(13)可根据A_(12Co_2)/A_(13CO_2)(拉曼峰峰面积比)和F_(13CO_2)/F_(12CO_2)的乘积求出。此外,用已知摩尔分数比(C_(12)/C_(13))的人造包裹体验证了此方法具有一定的可行性,可以建立起定量分析CO_2气体碳同位素激光拉曼测试方法。     

贵金属及其掺杂团簇与甲烷反应研究进展

贵金属在甲烷活化与转化中呈现出优良的反应性。研究气态条件下贵金属物种与甲烷的反应,可以从分子水平上揭示凝聚相贵金属催化体系的活性位点与基元反应机理,为理性设计和改进催化剂提供理论基础。本文综述了贵金属原子、离子、团簇、氢化物、卤化物、氧化物、甲基配合物以及掺杂团簇活化、转化甲烷取得的新进展,并针对不同贵金属体系的甲烷活化机理展开讨论。     

碳量子点的合成研究进展与展望

碳量子点(CQDs)呈现出的亲水性、低细胞毒性、化学及光稳定性等优异性质,使其在化学、生物医学、传感学及光电子学领域得到了广泛的关注与应用。本文重点介绍CQDs合成的最新进展,总结了宏观条件下CQDs合成的自上而下法(弧光放电、激光烧蚀、电化学等)与自下而上法(化学氧化、热分解、微波加热等),比较了不同合成方法中碳源的利用率、反应条件、产物的尺寸分布、荧光性能及应用,讨论了各种合成方法的成功之处与存在的问题。文中详细介绍了基于微反应器原理的反胶束法和模板法在CQDs尺寸可控合成领域的应用。微流控芯片技术在纳米材料合成中显现安全、高效、可控等优于宏观反应体系的优势,结合目前微流控芯片合成CQDs的研究进展,可以预期微流控芯片在不久的将来将会在CQDs的合成中得到更成功的应用。     

基于三通道多小波紧标架的图像曲率修复模型

为解决正交小波域图像修复方法的现存小波 系数不能提供丢 失小波系数的充足信息问题,将曲率修复(CDD)模型扩展到非正交小波域,提出一种新的基 于三通道多小波 紧标架的图像CDD模型。进一步考虑到CDD模型的等照度线是按照直线连接的问 题,提出了一种新的CCD模型。新模型的修复在两个方向上进行,在法向上按照改进的曲率 函数进行修复, 在切向上实现输运机制。新模型结合了多小波紧标架分解技术和改进的CDD模型的 优势,利用标架域中 小波系数之间具有的冗余性对缺损的信息进行弥补,对现有CDD模型进行改进。给出了 有效的split Bregman 仿真算法,并采用不同的图像进行了仿真。实验结果表明,新模型对大面积缺损修复及噪声 抑制都具有良好 的修复效果,即使在大量小波系数丢失的情况下,也能保持图像的边缘结构等几何特征,大 大的改善修复质量。     

半导体抽运Nd:YAG激光器强度噪声抑制的研究

为了降低半导体抽运固体激光器的弛豫振荡噪声,提高其输出功率的稳定性,采用光电负反馈的方法来抑制半导体抽运的固体激光器的强度噪声,并对激光器强度噪声的理论特性进行了分析。根据理论分析结果设计了比例-积分-微分反馈控制电路,通过运用该反馈电路对激光器进行强度噪声抑制实验,得到了比较理想的实验数据,即当抽运功率为700mW、弛豫振荡峰频率为300kHz时,弛豫振荡峰值处和低频区域强度噪声分别降低了45dB和15dB;当抽运功率为550mW、弛豫振荡峰值为250kHz时,弛豫振荡峰值处和低频区域强度噪声分别降低了40dB和10dB。结果表明,该反馈控制电路能够有效地降低半导体抽运固体激光器的强度噪声,提高激光器输出功率的稳定性。     

计算机网络安全技术的影响因素与防范措施

随着知识型经济与科学技术的发展,互联网技术在全球范围内也得到了迅速的发展.新形势下,网络给人们的日常生活带来了极大的便利,然而,需要关注的一点就是当前网络安全威胁问题也在不断困扰着人们,像数据的丢失、黑客攻击以及计算机病毒的入侵等等,这些问题的存在无形中影响着我国计算机网络安全.如何强化网络信息的安全性以及网络数据的安全已成为当前计算机研究者面临的重大课题之一.本文对计算机网络安全进行了概述,并对计算机网络安全技术的影响因素以及相应的防范措施进行了重点阐述.     

~(12)CO_2/~(13)CO_2体系中碳同位素的显微激光拉曼光谱研究

采用自行设计的装置制备了一系列不同比例的12CO2/13 CO2混合物,对混合物样品进行显微激光拉曼测试,获得CO2气体碳同位素分子的拉曼特征峰。对实验数据分析发现,12CO2的摩尔分数[x(12CO2)]与12CO2/13 CO2混合物中拉曼特征峰峰面积比之间存在数学关系式。根据拟合的关系式,利用显微激光拉曼光谱可以预测CO2气体碳同位素的组成,并为以后预测单个流体包裹体中12CO2的摩尔分数奠定了理论基础。     

温度对奶粉荧光光谱的影响

采用荧光光谱和荧光寿命技术研究了温度对奶粉荧光特征的影响.通过比较奶粉与酪蛋白、乳糖及维生素的荧光光谱,确定了奶粉的荧光主要来自酪蛋白的贡献.随着温度的升高,奶粉和酪蛋白的荧光强度减小,其中幼儿配方奶粉和成人普通奶粉的荧光强度随温度升高减小的趋势基本相同,而婴儿配方奶粉的荧光强度随温度的升高出现了一个相对变化缓慢的平台区,酪蛋白的荧光强度随温度升高呈缓慢下降的趋势,下降的速度比奶粉的要缓.酪蛋白加热到90℃然后冷却至25℃,荧光强度部分恢复,说明一部分蛋白质的结构变化或者荧光基团的活性变化是可逆的.测量了不同温度下奶粉和酪蛋白的荧光寿命.奶粉和酪蛋白的荧光寿命曲线在双指数拟合之后,都有两个寿命,这两个寿命可能来自于色氨酸和苯丙氨酸.随着温度的升高,奶粉和酪蛋白的两个荧光寿命都减小.     

高纯锗探测器的广泛应用和自主研制进展

以目前国际上极为活跃开展的暗物质探测、无中微子双 衰变研究为例,评述了高纯锗探测器的重要性及其广泛的应用前景。介绍了己开展的高纯锗单晶、探测器制备的关键技术研究进展:合作单位已研制出了用于高纯锗单晶材料制备的区熔炉、单晶炉;并制备出直径为20  50 cm、纯度为12N(< 41011  atoms/cm3)、位错< 5000 atoms/cm2 的锗单晶;掌握了高纯锗探测器(平面型、同轴型)制备的关键技术,用进口高纯锗单晶材料制备出的同轴型高纯锗探测器对射线的能量分辨率及探测效率均达到进口产品指标,使用自制的12N 高纯锗单晶材料己制备出平面型高纯锗探测器。呼吁加速高纯锗研制的自主创新步伐,尽早实现其国产化目标。The article reviews importance and wide applications of HPGe detector, especially the application on the dark matter search experiment and double beta decay experiment. The research progress on the Highpurity germanium single crystal and HPGe detector in China has been introduced. The cooperation partner developed new type zone-refining furnace and single crystal furnace. The ultra-purity germanium single crystal with 20~50 cm, purity up to 12N(net impurity concentration is less than 41011 atoms/cm3), and dislocation less than 5 000 /cm3 was prepared. The key technologies for preparing planar and coaxial HPGe detector were mastered. The coaxial detector, which has been made of imported ultra-purity germanium single crystal has excellent energy resolution and efficiency as the imported commercial detector. The planar detector using selfmade germanium single crystal was also successfully manufactured. The research group appeals for speeding up the pace of independent innovation on the high-purity germanium, and achieving the high-purity germanium localization as soon as possible.     

表面电场对3DK9开关晶体管可靠性影响的研究

针对3DK9开关晶体管在应用中出现表面漏电失效的具体案例进行分析研究.该器件的设计在基极场板边缘处同时出现金属化台阶和表面尖峰电场,这是影响器件可靠性的重要因素.针对原器件结构的缺陷,提出了一种新的器件结构,即采用结终端扩展技术代替基极场板.新结构不仅大大降低了表面尖峰电场,而且避免了金属化台阶与高电场出现在同一区域的情况,从而提高了器件可靠性.