排序方式: 共有18条查询结果,搜索用时 0 毫秒
11.
亚麻叶碱蓬生长在高含盐量的土壤上,幼苗死亡率很高,且这一过程存在时空异质性.研究发现:亚麻叶碱蓬幼苗在生长过程中,盐壳导致其大量死亡,而幼苗盐鞘的发育、生长的“时滞性”和急速生长现象可能有利于幼苗存活.本文对亚麻叶碱蓬幼苗生长期的叶自然饱和亏、肉质化程度、电解质渗透率和离子在植物体内的含量与分布、及其与土壤中离子含量的关系作了初步研究,以期发现植物适盐的方式和机制,为干旱区盐生植物的资源利用、盐渍化土地的改良提供理论和实践依据. 相似文献
12.
从行波放大器设计理论出发,研制了一款基于低噪声GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺设计的2~20 GHz单片微波集成电路(MMIC)宽带低噪声放大器。该款放大器由九级电路构成。为了进一步提高放大器的增益,采用了一个共源场效应管和一个共栅场效应管级联的拓扑结构,每级放大器采用自偏压技术实现单电源供电。测试结果表明,本款低噪声放大器在外加+5 V工作电压下,能够在2~20 GHz频率内实现小信号增益大于16 dB,增益平坦度小于±0.5 dB,输出P-1 dB大于14 dBm,噪声系数典型值为2.5 dB,输入和输出回波损耗均小于-15 dB,工作电流仅为63 mA,低噪声放大器芯片面积为3.1 mm×1.3 mm。 相似文献
13.
数控衰减器在宽频带内具有高的衰减精度、优良的电压驻波比和大的衰减动态范围,因而得到了推广和应用。正电控制、低温漂6 bit数控衰减器,各衰减位均采用具有低温漂特性的桥T型结构,并通过对衰减结构的合理构建,在不采用电平转换驱动器的情况下,成功实现正电控制,面积得到进一步缩小。对电路进行了仿真与优化,采用GaAs工艺技术完成了流片,测试结果表明,在2.4~8 GHz频带内,参考态插入损耗小于4.0 dB;衰减精度小于±1 dB@31.5 dB;回波损耗小于-15 dB;衰减量在高温或低温时较常温时的偏差控制在0.3 dB以内;各衰减位为0.5,1,2,4,8和16 dB,最大衰减量为31.5 dB。单片数控衰减器芯片最终尺寸为2.9 mm×1.3 mm,控制电压为0 V和5 V。 相似文献
14.
在GaAs单片微波集成电路(MMIC)设计中,准确的器件模型对于提高电路设计成功率和缩短电路研发周期起着重要作用。首先采用标准的GaAs MMIC工艺制造出不同栅指数和单位栅宽的开关PHEMT器件,然后对加工的开关电路在"开"态(Vgs=0 V)和"关"态(Vgs=-5 V)进行宽频率范围内的测量,基于测量结果建立起一个参数化的GaAs PHEMT开关等效电路模型,最后通过单刀单掷(SPST)开关来验证参数化模型。应用该参数化模型设计的电路实测与仿真结果基本吻合,证明参数化的GaAs PHEMT模型是可用的。该模型可用于30 GHz以下GaAs PHEMT工艺开关MMIC电路仿真设计。 相似文献
15.
本文主要研究O2O电商模式在大数据背景下的应用以及在应用过程中产生的价值。本研究结合大数据背景和O2O电商模式进行研究,对电商领域的以大数据驱动为主导的数据挖掘具有重要的学术价值,是一项前沿性研究,同时,从实践上看,针对目前主流的商业模式O2O,通过大数据分析,促进懒人经济的发展。 相似文献
16.
17.