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MOCVD法制备磷掺杂p型ZnO薄膜 总被引:1,自引:0,他引:1
利用金属有机化学气相沉积方法在玻璃衬底上生长了掺磷的p型ZnO薄膜.实验采用二乙基锌作为锌源,高纯氧气和五氧化二磷粉末分别作为氧源及磷掺杂源.实验表明:生长温度为400~450℃时获得了p型ZnO薄膜,而且在420℃时,其电学性能最好,空穴浓度为1.61×1018cm-3,电阻率为4.64Ω·cm,迁移率为0.838cm2/(V·s).霍尔测试和低温光致发光谱证实了该ZnO薄膜的p型导电特性,并观察到薄膜位于3.354eV与中性受主束缚激子相关的发射峰. 相似文献
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采用脉冲激光法(PLD)在Si衬底上沉积Zn1-xMgxO薄膜.x射线衍射(XRD)表明薄膜为c轴取向,(002)峰的半高宽仅为0.211°,且没有MgO的相偏析.透射电子显微镜可以清楚看到Zn1-xMgxO薄膜的c轴择优取向.在选区电子衍射图中可以看到Zn1-xMgxO结晶薄膜整齐的衍射斑点.室温下对Zn1-xMgxO薄膜进行了光致荧光光谱分析,发现其带边发射峰相对ZnO晶体有0.4eV的蓝移,带边发射峰与杂质发射峰的强度之比高达159.Zn1-xMgxO结晶薄膜质量良好,显示了应用于光电器件的潜力.
关键词:
Zn1-xMgxO合金薄膜
硅衬底
脉冲激光沉积法
c轴取向
光致荧光光谱 相似文献
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固体源化学气相沉积生长c轴平行于衬底的ZnO薄膜 总被引:1,自引:0,他引:1
报道了利用固体源化学气相沉积(SS-CVD)技术制备出c轴平行于衬底的ZnO薄膜.固体Zn(CH3COO)2*2H2O为前驱体,在不同的生长条件沉积ZnO薄膜,并利用X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)、光学透射谱对其性能进行研究.结果表明,在玻璃衬底上,当衬底温度较低(200℃)、源温较高(280℃)时,ZnO薄膜呈(100)与(110)的混合取向,即c轴平行于衬底.对此,文中给出了一个可能的定性解释.AFM测试表明薄膜表面平整度不够理想,该薄膜在可见光区域透射率为85%,光学带宽约为3.25eV. 相似文献
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