单原子催化剂在电化学合成氨中的理论研究进展

传统Haber-Bosch工艺合成氨需要大量的能源消耗和复杂的工厂基础设备。在可再生能源的推动下,将氮气电化学还原为氨被认为是替代Haber-Bosch工艺最有效的方法,这在科学界引起了极大的关注。然而,这个过程受到氨产量和法拉第效率低的影响,因此开发更有效的电催化剂对其实际应用至关重要。在之前报告的催化剂中,单原子催化剂（SACs）在高效利用原子和不饱和配位方面表现出显著优势,这为优化催化剂性能提供了巨大的空间。文章综述了单原子催化剂在电化学合成氨中的理论研究,详细分析了贵金属催化剂、非贵金属催化剂和非金属催化剂这3类单原子催化剂的性能表现,旨在为电化学合成氨技术的发展提供理论参考。     

一种参差动目标显示滤波器优化设计方法

针对复杂杂波背景中雷达动目标检测问题,提出了一种改进的滑动参差动目标显示(Moving Target Indication,MTI)滤波器优化设计方法,采用滑动脉冲方式进行MTI滤波器设计,通过将MTI滤波器的综合幅频响应的等效第一盲速凹口最浅和通带内最平坦作为约束条件,来搜索参差脉冲的最优参差码.MTI滤波器的综合幅...     

集团客户多网协同流程优化及设计一体化

从工程建设流程现状及优化、工程场景分类角度进行分析,提出不同场景的建设方案。指出运营商资源管理方面及通信建设过程中出现的问题以及需要优化的阶段,提出解决方案。针对大学场号、商务楼宇场景、小区场景、聚类市场场景等不同场景进行分析,阐述设计的整体思路,能对工程投资的降本增效起到一定的帮助及指导作用。     

当前中学化学教学应当简约化

新课改的实施,使得当前的中学课堂花哨纷繁,出现教师独自表演,学生却十分迷惑的现象。化学课堂应当以学生的学习更有收获为根本,让化学课堂教学回归简约,充分体现学生的学习主体性,在简约而不简单的教学过程中追求更好的教学效果。     

基于霍夫变换的数字全息粒子尺寸测量

提出一种基于霍夫(Hough)变换的数字全息粒子尺寸测量方法.该方法是先对粒子场全息图的数字再现像进行聚焦像合成、图像边缘提取处理后,再通过Hough变换圆检测得到粒子尺寸大小和位置信息,实现粒子信息的测量.分别对2D粒子场和3D粒子场进行了计算机模拟,并以直径为90μm标准粒子为研究对象进行了实验研究,测量绝对误差为6μm.研究结果证明了该方法的可行性.     

聚氯乙烯 C-Cl 伸缩振动模式的 ATR 二维红外光谱研究

采用变温傅里叶变换衰减全反射红外光谱（ATR-FTIR）技术,分别研究了聚氯乙烯 C-Cl 伸缩振动模式（νC-Cl）的红外一维光谱、红外二阶导数光谱、红外四阶导数光谱、红外去卷积光谱和二维相关红外光谱。研究发现：在700～600 cm－1的频率范围内,聚氯乙烯νC-Cl分别在604、615、637和695 cm－1频率处有红外吸收峰。玻璃化转变温度前,随着测定温度的升高,聚氯乙烯νC-Cl 红外吸收强度的变化快慢顺序为：604 cm－1＞695 cm－1＞615 cm－1＞637 cm－1。玻璃化转变温度后,而随着测定温度的升高,聚氯乙烯νC-Cl红外吸收强度的变化快慢顺序为：695 cm－1＞604 cm－1＞615 cm－1＞637 cm－1。     

一种ARM+DSP架构的小型无人机飞行控制平台软件设计

为了提高小型无人机飞控计算机的处理速度和解算精度,提出了ARM+DSP的解决方案。ARM作为主处理器负责任务管理和数据采集,DSP作为从处理器负责数据处理,两处理器通过双端口RAM进行数据交换。本设计实现了双处理器协同工作飞控软件设计,移植了嵌入式ARM-Linux系统,完成了A/D、双端口RAM等底层驱动及应用,具有可靠性高、便于维护和功能扩展的特点。     

胶团噻唑衍生物对安息香不对称合成反应的催化作用

通过α-(1-萘基)-N-硫代甲酰乙胺与卤代酮反应制得六个光学活性的4-烷基-3-α-(1-萘基)乙基噻唑溴化物烷基碳链长=1,2,7.11,15,21). 将其用于催化水溶液中的安息香缩合反应, 所得产物收率约20-30%具有较高的光学纯度(47-57%). 在各种缓冲溶液中测定了S(+)-4-甲基-3-α-(1-萘基)乙基噻唑氯化物(Ta)的胶团性质和由它催化的不对称安息香缩合反应. 临界胶团浓度(cmc)证明(Ta)在反应中确以胶团形式催化. 在硼砂溶液中, 安息香的收率高达61%, 光学纯度23.6%.     

中高温GaN插入层厚度对蓝光LED光电性能的影响

利用金属有机气相化学沉积(MOCVD)技术在蓝宝石图形衬底上生长GaN基蓝光LED,并系统研究了不同中高温GaN插入层厚度对其光电性能的影响。利用芯片测试仪和原子力显微镜(AFM)表征了GaN基蓝光LED外延片的光电性能以及表面形貌。当中高温GaN插入层厚度从60 nm增加至100 nm时,V形坑尺寸从70~110 nm增加至110~150 nm。当注入电流为20 mA时,LED芯片的光功率从21.9 mW增加至24.1mW;当注入电流为120 mA时,LED芯片的光功率从72.4 mW增加至82.4 mW。对V形坑尺寸调控LED光电性能的相关物理机制进行了分析,结果表明:增大V形坑尺寸有利于增加空穴注入面积和注入效率,进而提高LED器件的光功率。