fT为77GHz的蓝宝石衬底0.25μm栅长AlGaN/GaN高电子迁移率功率器件

在蓝宝石衬底上用MOCVD技术生长的AlGaN/GaN结构上制作出0.25μm栅长的高电子迁移率功率晶体管.0.25μm栅长的单指器件测到峰值跨导为250mS/mm,特征频率为77GHz.功率器件的最大电流密度达到1.07A/mm.8GHz频率下在片测试80×10μm栅宽器件的输出功率为27.04dBm,同时功率附加效率达到26.5%.     

鱼头NINJA摇臂应用报告

在今年的BIRTV展会上,有个东东吸引了我的注意,它就是台湾鱼头发明的摇臀。我不是对他绑在身上的移动摇臂有兴趣,而是对他的盔臂体本身产生了极大的兴趣。因为工作室8年前买的小摇臂就像—头老牛,已经拉不动了,该退休了很长一段时间我都在物色一款新的小摇臂,我希望拥有一台有以下特点的小摇臂：     

四网协同下的多频共用一体化天馈设计

本文通过超宽带天线振子、馈电网络的研究,结合差分进化与遗传退火优化算法,提出了GSM、TD-SCDMA和LTE的一体化天馈系统综合解决方案,实现了四网协同下的多频共用一体化天馈设计,可节约大量的支撑设备、传输设备投入,为运营商多网络天馈建设提供了有效的设计方法。     

一种新的AlGaN/GaN HEMT半经验直流特性模型

在EEHEMT1模型的基础上给出一种新的A1GaN/GaN HEMT半经验直流特性模型,考虑了栅源电压对膝点电压的影响,得到描述AlGaN/GaN HEMT器件I-Ⅴ特性的方程.此模型可以应用于蓝宝石和SiC两种不同衬底AlGaN/GaN HEMT器件的I-Ⅴ特性模拟.仿真结果和实验测量结果拟合误差小于3%.     

源区浅结SOI MOSFET的辐照效应模拟

研究了源区浅结的不对称SOIMOSFET对浮体效应的改善 ,模拟了总剂量、抗单粒子事件 (SEU)、瞬时辐照效应以及源区深度对抗辐照性能的影响 .这种结构器件的背沟道抗总剂量能力比传统器件有显著提高 ,并且随着源区深度的减小 ,抗总剂量辐照的能力不断加强 .体接触不对称结构的抗SEU和瞬时辐照能力优于无体接触结构和传统结构器件 ,这与体接触对浮体效应的抑制和寄生npn双极晶体管电流增益的下降有关     

高性能1mm AlGaN/GaN功率HEMTs研制

报道了基于蓝宝石衬底的高性能1mm AlGaN/GaN HEMTs功率器件.为了提高微波功率器件性能，采用新的欧姆接触和新型空气桥方案．测试表明，器件电流密度为0.784A/mm，跨导197mS/mm，击穿电压大于40V，截止态漏电较小，1mm栅宽器件的单位截止频率达到20GHz，最大振荡频率为28GHz，功率增益为11dB，功率密度为1.2W/mm,PAE为32%,两端口阻抗特性显示了在微波应用中的良好潜力．     

Hydrogen Bonding Character Between the Glycine and BF4-

在B3LYP/6-31+G^*水平上研究BF₄^-与甘氨酸间氢键作用特征,并在B3LYP/6-311++G^**水平上计算单点能. 对二聚物几何结构、能量、氢键成键特征进行分析. 分子中的原子拓扑分析表明氢键成键原子间存在(3,-1)关键点,电子密度和Laplacian量落在氢键范围内. 进一步对氢键形成导致H原子净电荷、偶极矩、能量及体积的改变进行系统分析.     

基于混沌置乱的分块自嵌入水印算法

针对分块自嵌入水印算法的安全性和不能有效判断图像篡改块的问题,提出一种基于混沌置乱的分块自嵌入算法.该算法将由图像块生成的水印按空间位置生成二值水印图像,利用混沌序列对其置乱加密后嵌入到图像的最低位,认证时根据设定的阈值能有效定位图像内容被篡改的图像块.实验仿真和理论分析表明,该算法在保持原算法篡改恢复效果的基础上,无论是否有水印被改变,均能有效判断图像内容被篡改的图像块,且具有更高的安全性.     

TDD MISO系统中波束成形的性能分析

文中首先指出在时分双工多输入单输出系统中,发送机和接收机的信道状态信息存在时延,而该时延会影响波束成形的性能增益。随后,通过推导接收机误比特率的闭合表达式,说明时延会损害接收机的性能。最后,用数值仿真验证了所做的性能分析的正确性。