恒压相图的边界理论及其应用

简要阐述了恒压相图的边界理论及其在许多方面的应用。可供与相平衡和相图有关课程的教师和学生参考。     

SiCl_4-SiH_4-H_2混合源的硅外延生长

本文探讨了SiCl_4/SiH_4/H_2混合源常压和低压硅外延生长技术.实验结果表明,混合源兼有SiCl_4和SiH_4两者的优点,并在一定比例下具有SiH_2Cl_2源的特性.它能降低外延生长温度、调节淀积速率,改善淀积的均匀性和抑制自掺杂效应.因此它可适应多种器件的要求.     

APPLICATION OF THEOREM OF CORRESPONDING RELATION TO P-T-x_i MULTICOMPONENT PHASE DIAGRAMS

By applying the theorem of corresponding relation to P-T-x_i multicomponent phase diagrams, six corollaries are obtained. These corollaries show the regularities and variation ranges of the total number of different phases in two neighboring phase regions (abbreviated to NPRs), the number of common phases existing in both NPRs, △Φ, the dimensions of phase boundaries between NPRs, R_1~', and the relation between them. The relation between the dimension of boundaries, R_1, and R_1 is also discussed. According to the above theorem and corollaries, the relation between NPRs and their boundaries in binary and ternary P-T-x_i phase diagrams is briefly analysed.     

Bi—Sn—Zn三元合金体系的垂直截面图的直接计算

本文根据相图中紧邻相区及其边界关系的理论,提出了一个直接而简便的计算恒压相图中垂直截面图的方法。利用这个方法计算了Bi—Sn—Zn三元系恒压相图中若干不同类型、不同位置的垂直截面图。     

恒压相图中紧邻相区及其边界的关系

本文根据相律导出紧邻相区内不同的相的总数,及其相边界的维数之间的对应关系定理和它在恒压相图中的几条推论。应用这个定理及其推论,可导出相图原理中的边界法则和相区接触法则,亦可说明一、二、三、四元各类相区中紧邻相区及其边界的关系。     

掺杂元素对铝-硅共晶合金凝固过程的影响

国内外学者对掺杂元素对Al-Si共晶合金的影响进行了大量的研究,这些研究大都侧重于研究变质后的结果,如变质后的晶体结构形态以及掺杂元素对结构形态的影响,再根据变质结果反过来推测可能的变质机理,但对掺杂元素对Al-Si合金凝固过程本身的影响的研究却很少.本文拟采用差热分析法(DTA)和步冷曲线热分析法研究Na、Sr元素对Al-Si共晶合金凝固过程的影响,以探讨Al-Si共晶合金的成核机理。     

超细多孔TiO2的制备及机理研究

以硫酸和氨水为原料,以乙醇为分散剂,采用化学沉淀法合成了超细多孔TiO₂,并详细考察了pH值和反应温度对TiO₂前驱体结构的影响.多孔TiO₂随着焙烧温度的提高,比表面有所降低,导致这一现象的原因是晶粒生长及相转变.从孔分布曲线分析可知,200℃得到样品的一部分微孔,在较高温度的焙烧过程中被烧结,得到了孔分布更为均匀的多孔粉体,由TEM照片可清晰看到多孔TiO₂的空间网络结构.     

由稻壳制备高比表面积活性炭

以稻壳为原料,KOH为活化剂制备了高比表面积活性炭,其比表面积超过3000m₂/g,且孔径均一,孔分布较窄.     

相图边界理论与相区接触定律及Gupta方法的比较

综述了恒压相图中与相邻相区及其边界关系有关的经验规则和理论法则, 重点比较了相图的边界理论和相区接触定律, 着重指出相区接触定律的不足, 并显示相图边界理论的确是一个比较基本的相理论. 还比较了Gupta方法和相图边界理论的方法在根据有限的信息构筑多元复杂恒压水平截面图上的优劣.     

铁酸镧纳米晶薄膜制备及其在MOS场效应晶体管气敏元件上的应用

纳米晶固体材料是由粒径小于100nm的微晶颗粒聚集而成的块状或薄膜人工固体,它具有特殊性能。本文采用sol-gel法制备了LaFeO_3纳米晶薄膜,并与集成电路平面工艺相结合,首次研制出了用纳米晶薄膜作为栅控制极的MOS场效应晶体管乙醇敏感元件。