多晶硅中碳化物及其来源的研究

本文用电子探针等手段分析了多晶硅中的碳化物.结果表明:采用不同工艺制备的多晶硅中都含有SiC微颗粒,它们在多晶硅棒中呈随机分布,最大面密度达10~3个/cm~2,颗粒尺寸最大可达70μm,元素分析结果表明其组成符合SiC的计量比.根据国内常用的制备多晶硅的方法,从理论上分析了SiC沾污的原因,并讨论了减少这种沾污的可能途径.     

对应关系定理及其推论在温度、压强、组成均可独立变化的多元相图中的应用

本文将文献[3]所导出的对应关系定理应用于温度T、压强P和组成x_i均可独立交化的多元相图,得到适用于这类相图的六条推论,讨论了这类相图中两个紧邻相区中的不同相的总数Φ、紧邻相区的相边界的维数R_1以及两个紧邻相区中共同具有的相的数目△Φ的变化范围和规律。同时又讨论了这类相图中两个紧邻相区的边界的维数R_1~′和Ri、△Φ的关系。根据所有这些规律和关系具体地分析了二元和三元体系的P-T-x相图中紧邻相区及其边界的关系。     

恒压相图的边界理论及其应用

相图由相区及其边界组成。如果能阐明相区及其边界如何构成相图的规律,对理解、应用、计算和测定多元相图无疑是至关重要的。因此,前人对它已经进行了大量的研究,有了许多经验法则和理论,但是这些法则和理论仍有不足之处。我们通过对于相图的深入分析,发现     

相图中的对应关系定理及其与相律的关系

一、研究紧邻相区及其边界的关系的重要性相图是由若干个相区组成的。以图1的一个二元部分互溶的低共晶相图为例,这个相图由六个相区组成。研究相区组成相图的规律,主要就是要研究:(1)对于给定相区来说,符合什么条件的相区才能与其毗邻?(2) 这些紧邻相区之间的边界的性质如何?这就是说,要研究紧邻相区及其边界的关系。     

硫酸钾水溶液亚稳区性质的研究(Ⅳ)——杂质Li+对结晶过程的影响

本文根据实际生产的需要,详细地研究了杂质Li⁺对K₂SO₄结晶过程的影响,并结合理论分析。计算了杂质Li⁺对K₂SO₄结晶过程中成核特征的影响.结果表明,Li⁺改变了体系的比表面自由能δ₁₂、成核势垒△G(r^*),使亚稳区宽度增加.     

相图中紧邻相区及其边界的对应关系(Ⅱ)

根据相律导出紧邻相区内不同相的总相数Φ及其相边界的维数R₁的对应关系定理和它的六条推论。应用这个定理及其推论,可导出相图原理中的边界法则和相区接触法则,可阐明由简单相图单元构成复杂三元相图所必须遵循的十条经验规则,亦可说明一、二、三、四元相图中紧邻相区及其边界的相互关系,以及其他应用。     

硅酸钠法合成高比表面多孔二氧化硅

以硅酸钠和盐酸为原料,用化学沉淀法制备高比表面多孔SiO₂,并对其性能进行了研究.结果表明,所合成的SiO₂比表面积可达1300m₂/g以上,具有蜂窝状的微孔,孔径均匀,而且性能稳定.     

三元合金高压相图的研究

本文从理论计算和实验测定两方面,对三元合金体系高压相图进行了研究。认为在有限压力范围内应用理论和实验相结合的方法,是得到完整准确的多元合金高压相图的简捷途径。     

纳米复合钛白的研制

以硅灰石为核心,采用化学沉淀法在其表面均匀包覆一层纳米TiO₂,形成了硅灰石复合钛白。包覆过程中硅灰石的预处理是关键一步。经XRD,IR,SEM,TEM和XPS对复合钛白进行表征,结果表明,包覆完全的硅灰石复合钛白性能与钛白粉相当。