利用密度泛函理论研究α-联噻吩体系H(C_4H_2S)_nH的结构和电子光谱

应用密度泛函理论,在B3LYP/6-31G(d)和CAM-B3LYP/6-31G(d)水平上优化了α-联噻吩体系H(C4H2S)n H(n=2¹3)的基态几何构型;与此同时,利用TD-B3LYP方法计算了H(C4H2S)n H的吸收光谱,得到了其垂直激发能和体系大小n的解析表达式;并采用TD-CAM-B3LYP方法研究了其发射光谱.研究表明,H(C4H2S)n H的基态结构呈现三种构型:螺旋上升型、环型和稍有弯曲的带状结构;其中前两种构型是顺式结构,最后一种构型是反式结构;环型结构具有C2对称性,其他两种结构具有C1对称性.此外,其吸收光谱和发射光谱计算值与实验值吻合.     

DDS中的杂散分析与抑制技术

本文简要说明了DDS的基本原理,给出了DDS杂散来源模型,分析总结了DDS中的杂散和杂散抑制的有效方法,介绍了当前研究很少的由于D／A转换器的非理想特性引起的误差及其改善的实现结构。     

Characterization, Crystal Structure and Initial DNA Binding Interaction of Two Cu（Ⅱ） Complexes with 4,5-Diazafluoren-9-one

Two new complexes [Cu（dafo）2（en）]（ClO4）2·2H2O （en=NH2CH2CH2NH2） 1 and [Cu（dafo）2（dap）]（ClO4）2·2H2O [dap=NH2CH2CH（CH3）NH2] 2 （dafo=4,5-diazafluoren-9-one） have been synthesized and characterized by elemental analysis, IR and UV spectra. Meanwhile, the complex 1 has been characterized by single crystal X-ray diffraction analysis. The initial DNA binding interactions of the complexes 1 and 2 have been investigated by UV spectra, emission spectra and cyclic voltammogram. Concluding the results of three methods used to measure the interaction of complexes 1 and 2 with DNA, the action mode of the two complexes with DNA is intercalation, and character of ligands and steric effect may affect the interaction of the complexes with DNA.     

多板天线“动中通”跟踪测角算法研究

跟踪技术是低轮廓"动中通"系统的核心技术之一.研究了多板天线"动中通"系统的跟踪方案,并针对低轮廓"动中通"跟踪过程中如何获取天线指向相对于卫星方向的偏差角问题,提出了适用于一维机扫一维电扫的多板天线"动中通"系统的方位、俯仰跟踪测角算法,解决了系统的跟踪测角问题,为实现低轮廓低成本"动中通"系统提供了重要的理论参考.     

基于以太网技术的立体视觉图像采集系统

设计了基于DSP和以太网技术的立体图像采集平台,将两个CMOS图像传感器获取到的图像对经过DSP处理后通过以太网传输至PC机端接收。采用了乒乓缓存的双RAM结构,扩大了数据吞吐量。就该系统的设计原理及接口连接关系进行了详细论述,最后给出了网络传输流量测试结果。     

某型号惯性导航系统内减振器导热路径优化仿真

通过有限元仿真计算,对某型号惯性导航系统内减振器在开放和密封环境下的导热性能进行了分析.针对导热不良的仿真结论,设计了一种铜导热带,完成了该导热带的导热性能仿真,得到了量化结果,为改善系统散热条件、降低温度对惯性导航系统精度的影响,进行了有益的探索,具有较高的实用价值.     

抑制MCM互连线反射的终端匹配方法

针对MCM互连,分析了反射噪声产生的原因及其对电路性能的影响。基于终端匹配理论研究了简单并联端接、戴维南端接和RC端接等几种终端匹配方法。选取MCM的典型互连参数和互连线的等效模型,使用PSPICE对三种不同的终端匹配方法进行仿真,分析了三种终端匹配方法各自的特点。在时钟频率较高的MCM中,可采用终端匹配技术来有效的抑制互连线上的反射噪声。     

晶体管封装腔内水汽含量的分析与控制

本文在对现有国军标晶体管封装腔内水汽含量检测及分析的基础上,提出了降低腔内水汽含量的有效办法和途径,经改进封装后的国军标晶体管,其腔内水汽含量从原来的27300－26200PPm下降到274－542PPm,改善了将近两个数量级,大大低于GJB33A－97规定的500PPm的标准要求,器件可靠性的提高,必将为广大军用户重点国防工程,军事装备的系统可靠性创造美好的前景。     

AlGaN/GaN异质结场效应晶体管的阈值电压

利用AlGaN/GaN异质结场效应晶体管(AlGaN/GaN HFET)栅结构的电容-电压(C-V)特性确定AlGaN/GaN HFET的阈值电压.通过对模拟计算得到的AlGaN/GaN HFET电流-电压(I-V)特性曲线与测试得到的AlGaN/GaN HFET曲线比较分析,证实了依据AlGaN/GaN HFET栅结构的C-V特性曲线的微分极值点确定阈值电压是一种切实可行的方法.     

基于PDE的非线性图像去噪与增强

应用偏微分理论,提出一种改进的基于偏微分方程的非线性图像去噪与增强方法,对传统的P-M非线性扩散模型进行改进。首先将图像变换到梯度域,然后通过改变梯度域扩散函数来达到去噪和增强的目的。与以往的时域和频域图像去噪方法相比,本文方法不仅能有效去除噪声,还能很好地保留图像的纹理细节。文章采用有限差分法将偏微分方程离散化,并结合热方程简化计算复杂度,从而实现简单快速的计算过程,为实时的图像去噪与增强处理提供保证。