排序方式: 共有14条查询结果,搜索用时 0 毫秒
11.
论述了现阶段军用集成电路为提高可靠性所应注意的问题以及如何在实际生产中采取相应的措施来进一步提高器件的可靠性。 相似文献
12.
13.
14.
采用基于第一性原理的赝势平面波方法, 对BiTiO3的多种结构进行了计算. 计算结果表明, C1C1结构最为稳定, 对应晶格参数为a=b=5.606 Å, c=9.954 Å; α=β=105.1°, γ=61.2°. 进一步对C1C1结构的BiTiO3的能带结构、电子性质和光学性质进行了研究, 发现BiTiO3是间接带隙半导体, 其费米面附近的能带主要由Ti-3d和O-2p层的电子态构成. 通过介电函数、复折射率和反射率等的研究, 发现BiTiO3的光学性质为近各向同性. 相似文献