开管镓扩散系统的研究及在电力半导体器件中的应用

探讨了一种新颖开管扩镓系统的基本原理和实施方法，用于各类晶闸管的制造，使器件具有触发参数一致性好，通态特性优良，ｄｖ／ｄｔ、ｄｉ／ｄｔ耐量高等特点．实践证明，该系统是一项值得在电力半导体器件制造行业推广的新工艺     

Ga阶梯分布改善快速晶闸管耐压特性

利用开管扩Ｇａ系统，分段控制掺杂量，使杂质Ｇａ在硅中形成阶梯形分布，用于快速晶曾管的研制，理论分析与测试结果表明，器件阻断耐压值比原高分布提高２００Ｖ左右，且通态特性和动态特性保持优良。实验证明，Ｇａ的阶梯分布是的晶闸管后条新途径。     

双向晶闸管通态电压特性曲线分析

根据实验数据给出了双向晶闸管的通态电压特性曲线。通过对特性曲线的分析,认为用铬－镍－银阻挡层烧结新的工艺可大 向晶闸管的双向通态特性。     

表面杂质浓度分布对晶体管负阻特性的影响

本文对镓、镓－硼两种基区的３ＤＤ２０２型晶体管负阻摆幅现象进行了比较和理论分析，证明了基区表面杂质浓度分布对器件发射极－集电极电压负阻特性有较大影响．找到了改善晶体管击穿特性的具体措施     

SiO膜作为光控晶闸管减反射膜的研究

为了提高光控晶闸管的触发灵敏度,我们在器件的受光区表面蒸镀上一层SiO减反射膜,本文在理论上指出了SiO作为减反射膜所必须满足的条件,并在实验上对SiO膜的减反射效果进行了验证,结果表明:SiO膜的存在可使透射率由无膜时的0.68提高到0.94-1,光触发功率比无膜时减少了20-40%.     

高能电子束辐照改善电力半导体器件特性研究

用12MeV电子束对普通高压晶闸管、快速晶闸管、双向晶闸管进行辐照，测试这几种器件的主要电学参数。实验发现12MeV电子辐照能明显改善这些电力半导体器件的电学性能。辐照后的器件经过退火处理，可以长期稳定工作。