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正2013年全球半导体市场规模首次突破3000亿美元大关,达到了3056亿美元,增幅为4.8%。我国集成电路产业销售额达到了2508.5亿元,同比增长16.2%。在全球经济缓慢复苏的带动之下,半导体市场增速呈现出周期性的回升态势。这为中国半导体产业带来新的机遇与挑战。在机遇方面:第一,国家现在非常重视网络安全和信息化。受去年棱镜门事件影响,全球各国都将信息安全上升到国家战略的高度。集成电路产业是保 相似文献
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正在历史上,半导体产业的成长仰赖制程节点每一次微缩所带来的晶体管成本下降;但下一代晶片恐怕不会再伴随着成本下降,这将会是半导体产业近20~30年来面临的最严重挑战。具体来说,新一代的20纳米块状高介电金属闸极(bulk high-K metal gate,HKMG)CMOS制程,与16/14纳米FinFET将催生更小的晶体管,不过每个逻辑闸的成本也将高出目前的28纳米块状HKMG CMOS制程。此成本问题 相似文献
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正2014年1月8日,高性能线性和电源解决方案、局域网以及时钟管理和通信解决方案领域的行业领导者麦瑞半导体公司(MicrelInc.)推出一款85V半桥MOSFET驱动器MIC4605,该驱动器具有自适应停滞时间和击穿保护功能。 相似文献
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正凌力尔特公司(Linear Technology Corporation)推出3输出降压型微型模块(μModule)稳压器LTM4634,该器件采用15mm×1 5mm×5.01mm BGA封装,并具集成的散热器。这种高热效率封装使LTM4634能够在3个输出上提供满标度电流(5A、5A和4A),在65°C环境温度和200LFM空气流动情况下可提供超过70W的输出功率。LTM4634结合13个陶瓷电容器和3个电阻 相似文献
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正据外媒报道,国外领先的专注于射频及无线半导体解决方案的公司Sky-works近日推出一款超低噪声放大器(LNA),适用于蜂窝基础设施,无线连接,以及广播通信应用套件。众所周知,LNA位于接收链路中距离信号被捕捉很近的位置,所有后面的处理都是基于低噪放放大后的信号进行的,所以低噪放大器是决定系统整体性能的关键器件。据悉,该LNA可为客户提供最佳噪声系数、高增益和线性度,大幅提升接收 相似文献
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正日本理化研究所研究人员在近日的美国《物理评论通讯》杂志网络版上发表论文说,他们发现一种人工合成的镉锇氧化物在特定温度下由导体变为非磁性半导体的原因。这种特性使其能够成为不怕消磁的存储新材料。根据理化研究所日前发表的新闻公报,多数物质在不同温度下其导电性能并不会发生变化,而有些种类的金属氧化物在温度变化时导电性能会发生改 相似文献
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正瑞萨电子宣布开发出了导通电阻仅为150 mΩ(栅源间电压为10 V时的标称值)的600 V耐压超结(SJ:SuperJunction)型功率MOSFET"RJL60S5系列",将从2012年9月开始样品供货。超结是可在不牺牲耐压的情况下,降低导通电阻的功率MOSFET的元件构造。虽然其他竞争公司已经推出了采用这种构造的功率MOSFET,但据瑞萨电子介绍,"RJL60S5系列"在600 V耐压产品中实现了业界最小水平的导通电阻。马达驱动电路和逆变器等采用RJL60S5系列功率 相似文献
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正索尼和住友电气工业试制出了绿色半导体激光器,振荡波长为530 nm,连续振荡时可实现100 mW以上的光输出功率。2009年住友电工曾发表振荡波长为531 nm的绿色半导体激光器,但当时只是脉冲振荡。此次试制品的光电转换效率为8%以上。此次的绿色半导体激光器是在GaN(氮化镓)基板的半极性面上生成GaN类半导体结晶制成的,活性层采用InGaN,GaN基板由住友电工制造。 相似文献
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正日前,Vishay Intertechnology,Inc.宣布,推出新款通用扁绕功率电阻——EDGU。通用的贴装EDGU电阻可方便地直接替换竞争产品,兼具高可靠性设计和在85 A电流下连续工作的能力,可承受5秒钟的相当于10倍额定功率的短时过载。Vishay Milwaukee EDGU采用卷在边缘的电阻合金带状导线,导线被撑在专门设计的瓷质绝缘子上,绝缘子具有适当的匝到匝间距和保持到支撑杆的绝 相似文献
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正据悉,随着石墨烯技术与应用的推进,在此前863项目扶持的基础上,相关部门正在考虑对石墨烯材料和应用加码扶持,其中工信部等相关部门正在考虑统筹研究石墨烯材料,而石墨烯材料也有望进入新材料"十三五"规划。此前在编制新材料产业"十二五"发展规划时,石墨烯产业应用前景并不明朗,因此没有把石墨烯作为重点。随着技术的推进,业内已经达成初步共识,石墨烯材料与产业化革命已经处于突破的前夜。 相似文献