一套多功能联用色谱装置的建立及性能考察

气相色谱由于其高灵敏度和高效率,已在多相催化研究中发挥了很大作用。将常规的气相色谱仪稍加改装,就可以进行催化剂宏观性质、表面性质和催化动力学研究。随着工作的深入,单一的研究方法往往     

钨掺杂BiVO4光阳极降解环丙沙星的表面态行为

采用简单浸渍的方法对BiVO₄光阳极进行表面钨(W)掺杂,以环丙沙星(CIP)为药品和个人护理产品(PPCPs)模型污染物,研究了W掺杂BiVO₄光阳极降解CIP的表面态行为。结果表明,低浓度W掺杂对BiVO₄光阳极的晶体结构、表面形貌和光吸收性能没有显著影响。但W掺杂取代了BiVO₄光阳极表面的V⁵⁺,能抑制BiVO₄光阳极表面V⁵⁺/V⁴⁺还原过程,减少复合中心表面态,同时引入更多氧空穴,增加活性位点表面态。CIP的降解反应受表面活性位点控制。表面W掺杂能有效促进CIP降解的电荷转移,提高BiVO₄光阳极光电催化降解性能。     

氢液化技术研究进展及能耗分析

氢能是一种新型清洁无污染的二次能源,是我国能源结构调整中不可缺少的组成部分。在氢能的应用中,液氢具有较高的体积与质量存储密度,适合大规模运输及应用,能够显著降低市场化应用的成本。着重分析了氢液化技术的研究进展以及国际上的液氢研究项目:日本WE-NET (World Energy Network)及欧洲IDEALHY (Integrated Design for Efficient Advanced Liquefaction of Hydrogen)。从压缩能耗、液化能耗、运输能耗、总能耗四个方面进行高压氢与液氢的能耗对比,分析结果表明,对于液氢的运输能耗随里程增加缓慢,高压气氢的运输能耗随里程增加成直线上升;运输里程在约500 km时,液氢的总能耗将低于高压气氢,液化能耗在总能耗中占的比例减少。总结了目前氢液化过程相关技术的研究热点跟难点,并对未来液氢的大规模应用进行展望。     

半退化型离散哈密顿系统本质谱下方的特征值(英文)

本文给出了半退化型离散哈密顿系统强极限点型的判别准则,并且利用函数M(λ)的性质和Hilbert空间算子谱理论,得到了在相应的最小算子下界下方特征值存在个数的判别准则.     

一种2.4 GHz CMOS高电压整流器

设计了一种工作在2.4 GHz的CMOS高电压整流器。采用四级NMOS二极管连接的电荷泵结构,从器件选型、尺寸、负载阻抗等方面,对整流器进行优化设计,提高了输出电压与功率转换效率。另外,在实际设计中考虑了封装管脚的寄生效应,消除了封装对匹配的影响。该整流器在CSMC 0.153 μm CMOS工艺下进行流片和测试。结果显示,该整流器在2.4 GHz 频段附近S11<-10 dB,匹配良好,功率转换效率的峰值为21.3%,输出电压为4.6 V。     

一种应用于超高频RFID的自干扰抵消电路

提出了一种应用于超高频RFID的集成自干扰抵消电路,它主要由一个6位有源移相器、一个3位可控增益功率放大器和缓冲器组成。有源移相器采用可降位的编码方式,简化了数字逻辑。可控增益功率放大器通过采用电容补偿技术和偏置点的优化选取来提高线性度。该自干扰抵消电路在130 nm CMOS工艺下实现,采用1.5 V和3.3 V双电源供电。后仿真结果显示,针对8 dBm的自干扰信号,该电路在840~940 MHz带宽内的自干扰抑制比大于28 dB。     

退火后无应变Ga_(1-x)In_xN_yAs_(1-y)/GaAs量子阱的带隙

针对快速热退火引起的N最近邻原子环境的变化,建立了热平衡态下Ga1-xInxNyAs1-y合金中各二元化合键的统计分布模型.并将理论计算得到的N周围平均In原子数r引入到BAC经验模型中,对退火后的Ga1-xInxNyAs1-y体材料带隙进行了计算.最后,利用讨论BAC模型中电子波函数边界条件的方法,计算了无应变Ga1-xInxNyAs1-y/GaAs量子阱的带隙.     

应变SiGe层中本征载流子浓度的计算

采用解析的方法研究了应变Si_(1-x)Ge_x层中本征载流子浓度n_i与Ge组分x、温度T、掺杂浓度N的定量依赖关系;拟合了价带有效态密度公式和重掺杂禁带变窄公式。发现在一定掺杂浓度下,本征载流子浓度随Ge组分的增加而变大,并且本征载流子浓度增加的速度越来越快。在一定Ge组分下,本征载流子浓度随掺杂浓度的增加而变大。随着掺杂浓度的增加,本征载流子浓度的增长速度变得越来越缓慢。     

p型重掺杂应变Si1-xGex基区内建电场的物理机制

采用解析的方法计算了在基区掺杂为高斯分布,Ge组分分布为三角形分布和矩形三角形分布时基区内建电场的变化情况.重新拟合了价带有效态密度公式,并在计算内建电场时考虑了导带有效态密度的影响.发现加入Ge组分后引起的导带有效态密度变化、价带有效态密度变化以及禁带宽度变窄量变化对基区内建电场的影响要大于掺杂对内建电场的影响.Ge组分为三角形分布时,在总的Ge组分一定的条件下,内建电场从发射结到集电结逐渐变大.在任一给定位置x处,内建电场随着Ge组分的增加而增大.当Ge组分分布为矩形三角形分布时,对于给定的Ge组分转折点x1,基区内建电场从发射结到集电结缓慢地增大.在Ge组分恒定的区域,内建电场变化甚微,在Ge组分为线性缓变区域的同一位置x处,内建电场随Ge组分转折点x1的增大而缓慢地增大.此外,在x1附近内建电场变化有一个很大的陡坡.