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运用飞秒时间分辨抽运-探测克尔光谱技术,研究了室温下退火及未退火(Ga,Mn)As的载流子自旋弛豫的激发能量密度依赖性,发现电子自旋弛豫时间随激发能量密度增加而增大,而在同一激发能量密度下,退火样品比未退火样品具有更短的载流子复合时间、电子自旋弛豫时间和更大的克尔转角,显示DP机理是室温下(Ga,Mn)As的电子自旋弛豫的主导机理.退火(Ga,Mn)As的超快克尔增强效应显示其在超高速全光自旋开关方面的潜在应用价值,也为(Ga,Mn)As铁磁性起源的p-d交换机理提供了证据.
关键词:
(Ga
Mn)As稀磁半导体
时间分辨克尔光谱
电子自旋弛豫
DP机理 相似文献
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采用时间分辨圆偏振光抽运-探测光谱,研究9.6 K温度下本征GaAs中电子自旋相干弛豫动力学,发现反映电子自旋相干的吸收量子拍的振幅随光子能量的增加呈非单调性变化.考虑自旋极化依赖的带填充效应和带隙重整化效应,发展了圆偏振光抽运-探测光谱的理论模型.该模型表明量子拍的振幅依赖于所探测能级的电子初始自旋极化度,自旋探测灵敏度以及带填充因子,三者的乘积导致了量子拍振幅的非单调变化,与实验结果一致.给出了能级分裂的二能级系统中电子自旋极化度定义.发现在高能级上可以获得100%的初始电子自旋极化度.
关键词:
圆偏振光抽运-探测光谱
吸收量子拍
电子自旋极化度
GaAs 相似文献
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采用时间分辨线偏振光抽运-探测光谱研究常温下本征GaAs中载流子弛豫动力学,观察到饱和吸收和吸收增强现象.发现载流子浓度为2×1017 cm-3, 探测光子能量小于1.549 eV时,饱和吸收现象比较明显,反之,有明显的吸收增强现象出现.载流子浓度大于7×1016 cm-3的范围内,吸收增强信号随时间增大没有减弱的趋势,反而有继续增强的趋势.理论上,考虑带填充效应和带隙重整化效应的竞争,模拟得到与实验谱线相符合的结果.
关键词:
飞秒抽运-探测光谱
带填充效应
带隙重整化效应
载流子寿命 相似文献
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A simple magnetic modulation structure of the exchange-coupling FePt/FeNi bilayer film is fabricated and studied for its magnetization dynamics using time-resolved magneto-optical polar Kerr spectroscopy. It is found that two spin-wave modes can be excited. One is fixed at -3.2 GHz in frequency for any external field and may serve as a frequency-stabilized spin-wave filter, while the other is external field dependent. In contrast, only the external field-dependent mode is excited in single-layer FeNi, supporting the localized origin of the mode at -3.2 GHz, which is confined to a thin exchange-coupling region. The other external field-dependent mode in frequency is attributed to the Kittel mode. 相似文献