超大规模集成电路中任意形状掩模边缘附近的离子分布

离子注入过程中,注入离子在掩模边缘附近的分布决定MOS晶体管漏极区域处的电场强度,计算了70keV硼离子注入硅样品中不同掩模边缘离子密度等线,考虑了四阶矩下的杂质深度分布(无掩模情况)。合理选择掩模蚀刻工艺,可获得均匀性,高抗噪声度的器件中。同时也指出了太薄掩模材料对注入离子分布的影响。     

催化剂薄层内甲烷水蒸气重整反应强化管内对流换热的数值模拟

本文以竖直圆管内壁催化剂薄层内发生甲烷水蒸气重整反应强化对流换热作为研究对象,对其进行了数值模拟．结果发现,催化剂薄层内的吸热化学反应可以有效地强化对流换热,降低流体和壁面温度,从而对壁面起到保护作用;极限热流密度的大小与流体的入口温度有关,存在最佳入口温度使极限热流密度最大．     

混合信号芯片设计处理关键的转折阶段

通过简单地剪切和粘贴知识产权(IP)内核可以加快无工厂半导体公司的系统级芯片(SOC)设计。 过去十年中,涌现出大量的为系统制造商提供专用芯片(ASIC)的小型IC设计公司。这些被称为无工厂企业(因为他们将IC制造过程转交给商业芯片制造工厂),需要的启动资金较少,而且如果市场接受他们的产品的话,能够获得丰厚的回报。在大量设计工具的支持下,这些无工厂设计企业在历史悠久的大型芯片制造商,如IBM、Intel、Motorola和德州仪器公司所主导的市场中赢得了一席之地。     

Pruning Redundant Alarm Correlation Patterns

1　ＩｎｔｒｏｄｕｃｔｉｏｎＴｈｅｓｔｉｃｋｉｎｇｐｏｉｎｔｏｆａｓｓｏｃｉａｔｉｏｎｒｕｌｅａｌｇｏｒｉｔｈｍｓｄｅｐｅｎｄｓｏｎｅｆｆｅｃｔｉｖｅｌｙｆｉｎｄｉｎｇａｌｌｃｏｒｒｅｌａｔｉｏｎｐａｔｔｅｒｎｓｔｈａｔｓａｔｉｓｆｙｖａｌｕｅｒｅｑｕｉｒｅｍｅｎｔｉｎｔｈｅｍａｇｎａｎｉｍｉｔｙｏｆｄａｔａ.Ｂｕｔｔｈｅａｌｇｏｒｉｔｈｍｓａｌｓｏｂｒｉｎｇａｎｅｇａｔｉｖｅｅｆ ｆｅｃｔ:ｔｈｅｎｕｍｂｅｒｏｆａｓｓｏｃｉａｔｉｏｎｒｕｌｅｓｉｓｖｅｒｙｌａｒｇｅ.Ａｌｓｏｉｎｆｏｒｍａｔｉｏｎ…     

CdSe和ZnO量子点的拉曼光谱研究

本文介绍了用拉曼光谱研究CdSe和ZnO两种Ⅱ Ⅳ族量子点材料的结果,对拉曼峰进行了指认。观察到的光学声子峰位的移动被认为是由量子限制效应引起。     

InP/InGaAs隐埋结构雪崩光电二极管

设计并制作出一种有新型保护结构的平面InP/InGaAs雪崩光电二极管。该器件在P-n结下面有一被隐埋的n-InP层和n~--InP倍增区,这样便获得了良好的保护作用。器件的整个有源区均呈现均匀倍增,最大倍增因子为30,在击穿电压的90%处获得了大约20nA的低暗电流,平坦的频率响应高达1GHz。在倍增因子达到17时测试了倍增噪声。     

脉冲雷达的杂波自适应信号处理

一、引言用在飞机和舰船上进行通信观测的一次雷达设备均有这样一个任务,即识别处在观察范围内的所有物体,并估计出其座标位置。如果反射物体位于空白的背景前,那么,在一般情况下,目标识别的任务是简单的。时此,可以把回波信号和一个固定的门限进行比较,当信号超过门限时,就认为是目标。然而,在雷达的应用实践中,目标实际上总是位于一个由充满点状、平面或立体延伸的反射体所构成的复杂背景前。为此,主要应研究这种背景,即反射体的规律以及时间和空间的变化。     

脉冲转发式干扰系统的延时控制

本发明论述供脉冲转发式干扰机使用的可变延时装置。雷达距离跟踪系统可用这样的方法来干扰,即对于所接收的雷达系统的每一个脉冲,干扰机发射一相似的干扰脉冲,只要干扰脉冲比目标回波脉冲强得多,并且相对于目标回波脉冲稍有延迟。而且,通过增加干扰脉冲(它构成假目标)的时延可以使距离跟踪系统跟随此假目标直到丢失真目标。如果距离跟踪系统是火控系统的一部分,则被控武器要么不开火,要么就向假目标开火。在目前完成这种干扰的设备中,给一固定周期设置了一个起始延迟,在起始延迟之后,     

高衬底温度下溅射淀积二硅化钛膜

我们在室温和600℃下用复合的二硅化钛靶在〈111〉向的裸硅片上溅射淀积了二硅化铁膜。室温下淀积的二硅化钛膜需要在900℃下进行烧结,以使其电阻率降低。而600℃下淀积的二硅化钛膜已经反应充分形成颗粒较大的没有氧沾污的多晶状,而且该膜抗氧化。将该膜在900℃下进行进一步退火,发现其晶体结构、成分、电阻率即晶粒大小没有变化。     

INTERSECTION OF PRIME SUBMODULES AND DIMENSION OF MODULES

The aim of this paper is to study the conditions by which a P-prime submodule can be expressed as a finite intersection or union of P-prime submodules. Also corresponding to dimension and rank of modules, some equivalent conditions for a ring to be a Dedekind domain are given.