微波辐射条件下锌与氯化铁溶液反应的研究

为了从一种全新的视角和手段探讨新课程中锌与氯化铁溶液反应到底生成什么产物的问题,通过微波实验方法和正交实验设计,将影响该反应的各种因素和水平进行了科学、全面、均衡地安排,根据定量实验数据,得出了:7Zn+6FeCl3+6H2O=2Fe(OH)3+2Fe+7ZnCl2+2FeCl2+3H2↑的实验结论.     

蓝光OLED器件载流子复合区域的研究

制备了结构为ITO／NPB／BAlq／Alq/Mg：Ag的有机电致发光器件(OLED),研究了有机层厚度对器件载流子复合区域的影响。实验结果表明当改变各有机层厚度时,OLED器件的电致发光光谱将发生从绿光到蓝光的变化。经分析这是由于各有机层电场强度变化影响了空穴和电子的隧穿几率,从而导致载流子的复合区域发生改变而发射不同颜色的光。     

SrTiO_3基压敏陶瓷低压化途径

以固相法合成 Sr Ti O3+Nb2 O5 +Mn O2 作为基本系统 ,分别采用草酸盐热分解法制备 Sr Ti O3主晶相及L i2 CO3代替 Mn O2 作受主掺杂等手段来修正基本系统 ,以降低压敏电压。结果表明 ,以上措施可有效地降低压敏电压 ,改善压敏 -介电性能。     

GC含量对热压烧结GC/AlN复相材料性能的影响

采用热压烧结工艺,以氮化铝(AlN)和玻璃碳(GC)为原料、Y2O3作烧结助剂,在氩气氛下烧结制备GC/AIN复相材料.研究了玻璃碳的添加量对复相材料的烧结性能、相组成、显微结构、介电性能以及热导率的影响.结果表明:随着玻璃碳添加量的增加,试样的显气孔率逐渐增大,玻璃碳的添加对试样的烧结有一定的抑制作用.当GC的添加量为7;时,试样的相对介电常数达到最大值,当GC的添加量为3;时,试样的介电损耗最高.玻璃碳的添加量在0～11;范围内时,随着玻璃碳的添加,当添加的玻璃碳含量为11;时,复相材料的热导率最低为48.9W/m·K.     

基于GX1121和GX3001的ABS-S机顶盒解决方案

当前中国存在着巨大的直播卫星收视需求,杭州国芯公司得到国家广电总局的许可研发ABS—S解调芯片,并稚出GX1121（ABS-S解调芯片）和GX3001（MPEG2解码芯片）的直播卫星机顶盒完整解决方案,为直播星机顶盒生产厂商提出一站式服务。     

面阵CCD在双轴自准直仪中的应用

介绍了一种高精度双轴自准直仪,它采用面阵CCD器件作为光电传感器,利用自准直原理实现二维角度的测量。对图像处理系统进行了重点阐述,采用直线拟合求十字线交点的方法保证了测量精度。     

MgO-Ba0.6Sr0.4TiO3复合粉体的制备

采用液相包覆法制备了MgO包覆的Ba0.6Sr0.4TiO3复合粉体。利用扫描电镜(SEM)和TEM观测了复合粉体前驱体的表面形貌,并用能谱仪(EDS)对前驱体表面进行了微区成分分析。在600℃煅烧合成了MgO包覆的Ba0.6Sr0.4TiO3(BSTO)复合粉体。液相包覆法制备的MgO-BSTO复合粉体包覆层较均匀,厚约为10~100 nm。实验开创了制备纳米MgO包覆BSTO颗粒制备复合粉体的一种全新工艺。     

金电化学迁移引起的功放模块失效分析研究

针对某一型号功放模块在温度循环过程中出现无功率输出现象,对失效功放模块开展了分析研究。利用扫描电镜和能量色散X射线光谱仪对功放模块内部的MMIC芯片进行形貌观察和元素成分分析。结果表明功放模块内部的MMIC芯片栅极与漏极间发生了金的电化学迁移,导致馈电端短路,从而引起模块无功率输出。经故障复现试验,证实金的电化学迁移与器件内部的助焊剂残留相关,加电使用过程中,金电极在电场、水汽及助焊剂中电解质的共同作用下发生金迁移。     

东芝推出低高度SO6L封装栅极驱动光电耦合器

正东京-东芝公司2014年1月28日宣布推出低高度SO6L封装栅极驱动光电耦合器,用于驱动中小功率IGBT和功率场效应晶体管(MOSFET)。批量生产定于1月底开始。新产品TLP5701(用于驱动小功率IGBT)和TLP5702(用于驱动中等功率IGBT)是首批使用低高度SO6L封装的东芝光电耦合器。只有54%的东芝产品使用SDIP6封装,这些新设备将有助于更薄产品的开发。虽然拥有低高