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氧化镓钠米带的制备研究 总被引:2,自引:0,他引:2
纳米带是继纳米线、纳米管之后,最新报道的又一种准一维纳米结构。文中介绍了Ga2O3纳米带制备的新方法。这种方法与首次报道的纳米带的生长方法有很大不同。用扫描电子显微镜和透射电子显微镜对产物形貌进行了分析,纳米带宽约500nm,厚度约10nm,宽度/厚度比大于20。选区电子衍射(SAED)分析表明,产物是纯净的Ga2O3单晶。实验还发现了一些特殊形态的纳米结构,如纳米片等,证明了纳米带是一种常见并稳定存在的形态。最后,根据实验现象对纳米带的生长机制进行了初步的分析与讨论。 相似文献
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在GIS基础数据的采集过程中,地理信息数据总量非常大,是海量数据,这就要求我们在数据处理的初级阶段采取合理有效的手段控制数据质量。针对这种情况,需要对数据进行圆滑或抽稀处理,这里介绍了对自动生成的等高线进行圆滑和抽稀处理的一种算法。 相似文献
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贾留成 《固体电子学研究与进展》1984,(3)
<正> 南京固体器件研究所(NSR)研制成功的K频段低噪声、宽频带、高增益砷化镓场效应管高频组件已成功地应用于我国K频段卫星广播电视接收设备中,它是卫星广播电视接收的关键部件之一。这种高频组件全部采用该所研制成功的达到国际先进水平的12千兆赫低噪声场效应晶体管、振荡场效应晶体管和混频二极管等微波器件,共性能达到和超过了用国外目前性能最好的场效应管所装配的同类产品,接收到的卫星电视图象清晰,色调柔和,伴音纯真。7月初,在福州召开的全国卫星广播电视接收设备样机观摩评比会上,南京无线电厂、北京广播器材厂、扬州宝城无线电厂等单位将该所这一场效应管高频组件用于他们厂研制的卫星 相似文献
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88.
统计过程控制中的回归控制图技术 总被引:3,自引:0,他引:3
针对微电路生产中工艺条件的变化情况 ,首先采用最小二乘法建立回归方程 ,构成表征工艺参数变化规律的工艺模型 ,然后在此基础上建立了回归控制图 ,对工序的统计受控状态进行定量分析 相似文献
89.
研究了使用电化学沉积法于碱性条件下在柔性ITO衬底上制备Cu/Cu2O薄膜的方法。循环伏安曲线表明Cu2O与Cu的阴极峰分别位于-500 mV(vs Ag/AgCl)和-800 mV(vs Ag/AgCl)附近。利用循环伏安法考察了生长温度和电解液pH值等对Cu2O与Cu阴极峰电位的影响,阴极峰随生长温度的升高以及pH值的降低而略向阳极移动,沉积电流也随之相应增大。与弱酸性条件相比,上述两个阴极峰随pH值升高而移动的程度明显减小,这可能与碱性条件下C3H6O电离程度增大以及C3H6O根作为配体的过量程度有关。通过X射线衍射光谱和扫描电子显微镜的表征证实,在所研究的生长温度区间和pH值内可利用电化学沉积法在柔性ITO衬底上制备Cu/Cu2O纳米混晶薄膜。在相同的生长温度和pH条件下,电化学沉积电位对样品表面形貌和晶体性质具有较大影响。 相似文献
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