一种AMR语音编码器的VLSI设计及FPGA实现

AMR(自适应多速率)语音编码标准由于其低码率和高质量,在通信和多媒体领域得到广泛应用.针对AMR语音编码标准的算法特点,提出了一种"音频DSP软核+硬件加速器"的VLSI实现结构.这种结构能够有效地实现编码算法,同时达到低成本、低功耗的要求.综合后的电路在满足语音编码实时性的要求下能工作在50MHz频率以下,功耗仅有不到50mW,和78 k门的芯片面积.最后通过FPGA整体验证,证明这种方案是可行有效的.同时优化后的音频DSP软核和硬件加速器中的模块复用设计,使得本设计方案对G.7xx系列编码算法具有通用和可移植性.     

Ka频段多点波束卫星通信系统发展趋势分析

Ka频段多点波束卫星通信系统有星座组网、全球覆盖、星上交换等实现方式;也有静止轨道、区域覆盖、透明转发等实现方式。前一种方式波束覆盖灵活可调,通信质量高,技术复杂,容量受限;后一种方式技术简单可靠,容量大,波束覆盖相对固定。本文通过对Ka频段多点波束卫星通信系统发展的梳理,以及射频技术和数据通信技术发展对卫星通信发展影响的分析,指出就将来一段时间而言,后一种方式是Ka频段多点波束卫星通信系统发展的主流。     

一种改进的太阳能电池MPPT技术

为了寻找一种能更好的实现太阳能电池最大功率点跟踪的方法,文中分析了太阳能电池的数学模型和在外部环境(温度、光照强度)变化的情况下太阳能电池的输出特性。介绍了太阳能电池最大功率点跟踪技术的原理,并提出了一种自适应变步长的方法,克服了传统固定步长方法的不足。仿真结果表明,该方法能够较快地跟踪光伏极板的最大功率点,使太阳能电池工作在最大功率点。     

一种具有触发误差削减功能的数字移相集成电路

介绍了一种新型数字移相触发集成电路的工作原理、内部结构和功能特点，给出了其移相范围和控制精度的计算方法。由于电网的频率不稳定，出现频率漂移。针对此问题，详细分析了触发误差的产生，提出了一种简单易行的减小触发误差的方法。与现在使用的锁相环同步技术相比，该方法具有明显的优势。     

压电换能器匹配电路的设计

介绍了压电换能器的电匹配原理以及匹配参数的测定方法。重点介绍了压电陶瓷换能器与D类功率放大器之间的匹配电路的设计及匹配变压器的设计计算。     

人体局域网的MAC层分析与研究

在分析人体局域网的背景和研究现状的基础上,指出MAC协议是影响人体局域网整体性能的关键技术之一.总结分析MAC层协议的研究现状,并对IEEE802.15.6标准中定义的MAC协议进行详细的探讨,进而分析了BAN的网络拓扑结构.最后,对人体局域网MAC协议研究中面临的挑战进行讨论,给出MAC协议未来的研究方向.     

LD抽运高功率连续波1.34 μmNd∶GdVO4激光器研究

报道了利用光纤耦合大功率半导体激光器 (LD)抽运Nd∶GdVO4晶体 ,采用平凹谐振腔 ,输出 1 34μm波长的高功率连续波固体激光器。在抽运功率为 1 4 75W时 ,获得最大输出功率为 4 6 2W ,光 光转换效率为 31 3% ,斜率效率达 32 9%。利用实验测得的阈值抽运功率和斜率效率 ,计算了Nd∶GdVO4晶体在 1 34μm波长处的受激发射截面     

激光与DNA作用的非线性扰动方程的研究

将激光与ＤＮＡ分子系统相互作用的运动方程化成Ｄｕｆｆｉｎｇ方程，进行了主共振、超谐波共振及两频激励组合共振的分析．从而成功地解释了激光育种中存在的一些难以理解的现象     

对称型席夫碱类二茂铁衍生物的合成与性能研究

以二茂铁甲醇为原料,经Wittig反应后与2,6-(双胺基)-苯并[1,2-d-4,5-d′]双三唑-4,8(2H,6H)-二酮缩合,合成了一个D-π-A-π-D结构的二茂铁席夫碱类金属有机三阶非线性光学材料。化合物结构经1H NMR,MS表征确认。测定了该化合物的紫外-可见吸收光谱,用简并四波混频(DFWM)检测了其三阶非线性参数,检测波长为800 nm;脉冲宽度为80 fs。该化合物的三阶非线性极化率χ(3)值为3.67×10-13esu(静电单位),分子二阶超极化率γ值为3.49×10-31esu,表明该化合物具有良好的三阶非线性光学性能,优于现有的二茂铁类金属有机材料。探讨了分子结构对三阶非线性光学性能的影响,长共轭链、强电子离域能可提高分子三阶非线性光学性能。     

Load-pull measurement analysis of AlGaN/GaN HEMT taking into account number of gate fingers

This paper investigates load-pull measurement of AlGaN/GaN high electron mobility transistors (HEMTs) at different numbers of gate fingers. Scalable small-signal models are extracted to analyze the relationship between each model''s parameters and the number of device''s gate fingers. The simulated S-parameters from the small-signal models are compared with the reflection coefficients measured from the load-pull measurement system at X-band frequencies of 8.8 and 10.4 GHz. The dependency between the number of device''s gate fingers and load-pull characterization is presented.