基于MEMS的双功能温控芯片的设计与制作

为满足微全分析系统集成化的发展要求,设计制造了一种微型温控芯片。该芯片以硅为基底,采用MEMS工艺集成了加热和温度传感双重功能。介绍了芯片的制作工艺,并对加热器和温度传感器的性能进行测试和分析,结果表明,该芯片加热响应迅速,温度传感器灵敏度高、线性度好。而且这种温控芯片体积小、结构简单,易于集成。     

远红外分光技术及其应用

介绍远红外光源、远红外光学材料和元件、检出器、分光装置、相关光源等，最后阐述远红外技术的各种应用。     

电视卫星接收设备的佳音——NSR已研制成高性能的微波器件和部件

<正> 南京固体器件研究所(NSR)研制成功的K频段低噪声、宽频带、高增益砷化镓场效应管高频组件已成功地应用于我国K频段卫星广播电视接收设备中,它是卫星广播电视接收的关键部件之一。这种高频组件全部采用该所研制成功的达到国际先进水平的12千兆赫低噪声场效应晶体管、振荡场效应晶体管和混频二极管等微波器件,共性能达到和超过了用国外目前性能最好的场效应管所装配的同类产品,接收到的卫星电视图象清晰,色调柔和,伴音纯真。7月初,在福州召开的全国卫星广播电视接收设备样机观摩评比会上,南京无线电厂、北京广播器材厂、扬州宝城无线电厂等单位将该所这一场效应管高频组件用于他们厂研制的卫星     

信噪比对偏振耦合测试影响分析

以白光麦克尔逊干涉仪对双折射保偏光纤的偏振耦合进行测试,并基于仪器结构建立了测试扫描结果的数学模型.分析及仿真了信噪比对耦合强度及耦合位置检测的影响大小及变化趋势.信噪比大于32dB,可满足偏振耦合测试的要求.     

统计过程控制中的回归控制图技术

针对微电路生产中工艺条件的变化情况 ,首先采用最小二乘法建立回归方程 ,构成表征工艺参数变化规律的工艺模型 ,然后在此基础上建立了回归控制图 ,对工序的统计受控状态进行定量分析     

柔性ITO衬底电化学沉积制备Cu/Cu2O薄膜

研究了使用电化学沉积法于碱性条件下在柔性ITO衬底上制备Cu/Cu₂O薄膜的方法。循环伏安曲线表明Cu₂O与Cu的阴极峰分别位于-500 mV(vs Ag/AgCl)和-800 mV(vs Ag/AgCl)附近。利用循环伏安法考察了生长温度和电解液pH值等对Cu₂O与Cu阴极峰电位的影响,阴极峰随生长温度的升高以及pH值的降低而略向阳极移动,沉积电流也随之相应增大。与弱酸性条件相比,上述两个阴极峰随pH值升高而移动的程度明显减小,这可能与碱性条件下C₃H₆O电离程度增大以及C₃H₆O根作为配体的过量程度有关。通过X射线衍射光谱和扫描电子显微镜的表征证实,在所研究的生长温度区间和pH值内可利用电化学沉积法在柔性ITO衬底上制备Cu/Cu₂O纳米混晶薄膜。在相同的生长温度和pH条件下,电化学沉积电位对样品表面形貌和晶体性质具有较大影响。     

有上下界网络最大流与最小截问题

为了便于建立与有上下界网络最大流与最小截问题有关的决策支持系统，本文给出一个求有上下界网络最大流与最小截的数值算法，证明了算法的理论依据，并举例说明了算法在堵塞流理论中的应用。该算法能判定问题是否有可行解，在问题有可行解的情况下能求得问题的最优解。该算法具有易于编程实现、收敛性好等优点。数值实验表明该算法有较高的计算效率，可用于求解最小饱和流问题。     

氧化锌压敏电阻器在工频线路中的应用

本文研究了氧化锌压敏电阻器对雷电过电压、操作过电压和暂时工频过电压的承受特性，提出了合理选用氧化锌压敏电阻器的方法。     

High Thermoelectric Properties of PbTe Doped with Bi2Te3 and Sb2Te3

The composition-dependent thermoelectric properties of lead telluride (PbTe) doped with bismuth telluride (Bi2Te3), antimony telluride (Sb2Te3) and (BiSb)2Te3 have been studied at room temperature. All the sampies exhibit small thermal conductivity. The figures of merit, 7.63, 1.03 and 8.97 x 10-4, have been obtained in PbTe with these dopants, respectively. These values are several times higher than those of PbTe containing other dopants with small grain sizes. The high thermoelectric performance is explained by electronic topological transition induced by alloying. The results indicate that these dopants are effective to enhance the thermoelectric performance of PbTe.     

一种新的纯位相型二孔编码方法及其应用

提出了一种新的制作纯位相型计算全息图的二孔编码方法,可用以合成任意复函数且AE~(jθ)。因为任意复矢量可以用二个分复矢量合成: