氧化锌透明导电极

氧化锌膜是一种新型导电极。性能优良,价格低廉。本文主要介绍氧化锌膜的制作方法及工艺参数对其性能的影响。     

基于菲涅耳微透镜的光学加速度传感器原理研究

目前航空业惯性导航系统中广泛采用的加速度传感器存在抗电磁干扰（EMI）和电磁冲击（EMP）能力差等缺陷，针对此提出了一种基于菲涅耳衍射微透镜的光学加速度传感器，它能够有效地解决上述问题。该传感器的传感原理是把一个反光膜平行地置于微透镜的后方，根据微透镜前方汇聚点处光强的变化来敏感加速度的大小。通过Fresnel-Kirchhoff衍射公式详细推导了传感器的光学原理，并且对光纤的偏移对光强的影响进行了计算机模拟分析。结果表明：光纤接收的光强对反光膜的位置具有纳米级的灵敏度，并且对光纤沿微透镜焦平面方向的偏移极其敏感，当此偏移超过2μm，光强就会下降至不足理想情况下的50%。验证性实验结果表明这种传感器的原理是正确的。     

确定微型圆柱腔回音廊模式共振峰位置的方法

本文介绍了微型圆柱腔中回音廊模式共振峰位置的两种确定方法,即数值计算法和解析近似公式求解法。用两种方法对回音廊模式的共振峰位置进行了计算比较,结果表明:精确的数值计算结合简便的解析近似公式求解方法,为快速、精确地确定回音廊模式的共振峰位置提供了一种方便和可靠的途径。     

二端子有源矩阵LCD研究进展

首先介绍了传统的各种类型的二端子有源矩阵液晶显示的工作原理、结构和制作工艺。进而介绍了一种优于传统二端子模式的Lechner二极管有源矩阵液晶显示模式,并介绍了此模式的工作原理、研究现状、研究意义及发展态势。传统二端子模式都存在各自的缺点,不能很好地满足AM-LCD对于二端子器件的要求,用于 AM-LCD都无法很好地达到预期目的。而Lechner二极管有源矩阵液晶显示模式,相对于其他二端子模式,只需使用二极管的正向特性,对阈值电压的要求降低,工艺更简单,图像显示质量更好,并且较易实现大屏幕显示。在目前TFT-LCD处于主导地位的情况下,通过对二端子有源矩阵液晶显示,特别是Lechner二极管二端子有源方式的研究,也许在不远的将来,实现降低AM-LCD生产线成本,简化大屏幕AM-LCD制作工艺将不是梦想。     

太赫兹波传播过程中横模分布的成像

研究了焦点位置附近太赫兹波的横模分布,目的在于了解系统中太赫兹波的横向分布情况,为进行太赫兹光谱和成像实验提供依据。通过太赫兹波逐点扫描成像,对经常被用来放置测试样品位置附近的太赫兹波横模分布情况进行了定性的分析。利用“狭缝法"测量了太赫兹光束的束宽。结果表明,太赫兹波在焦点附近不同位置的横向分布有较大差异,在焦点处对应于最长波长1.5 mm的最小光斑直径约为1.0 mm,这说明太赫兹波的聚焦有一定的限度。实验确定了系统中放置样品的最佳位置,对开展太赫兹光谱和成像研究有参考价值。     

新型MEMS微针设计及其力学性能

描述了三种新型MEMS微针的结构设计及制备方法.针对微针的实际使用要求,对微针的固体力学性质及微通道内液体的流动情况进行了理论分析和数值模拟.结果表明,所设计的三种微针的强度可以保证安全地进行皮肤注射,且适于进行药剂的微量传输.     

一种微电解池式微流量传感器的研制

基于电解质溶液导电的特性,研制了可测量微升级流量的高灵敏度微电解池式微流量传感器。由电解反应产生的电流大小确定流体流过的时间t,再根据流体流量Q、管道截面积S及液体通过的时间t,即可以得出流过管道的液体量。用流体仿真软件CFX对所设计的器件进行仿真,用微机械加工工艺制作出微管道,并用蒸镀及金属腐蚀的方法制作出微电极。实验表明,所制作的微电解池式微流量传感器符合仿真结果,管道中有无流体时电流变化明显。传感器的灵敏度为蠕动泵的泵速,即1.71μA.s/μL,当蠕动泵的泵速为0.5 r/min时,测得的电流值为10μА。     

脉冲电镀制备硅基细晶镍铁合金薄膜

应用脉冲电镀法在硅片上制备细晶粒镍铁合金薄膜,对电镀工艺参数与形成的沉积层的微观组织关系进行了探讨。通过改变脉冲电源的电参数来研究其对镀层结构和微观形貌的影响。运用扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)等实验手段对电镀层微观结构进行了观测与分析。研究表明,随着电流密度的增加与脉冲频率的加大,沉积层晶粒明显细化,致密度增大,使镀层质量得到很大的提高。     

市县级电视台全数字硬盘播出系统的设计

计算机越来越深入地向传统视频行业渗透。在播出端,硬盘播出在逐渐取代传统的录像带播出。播出节目的数字化,使得对播出过程进行网络化管理成为可能。作为一个市级电视台,在上全数字硬盘播出系统时,曾遇上好多问题。为此,我们对涉及硬盘播出的     

用直接隧道栅电流在线表征PMOSFET负偏压温度不稳定性

本文提出了一种在线表征负偏压温度不稳定性(NBTI,negative bias temperature insta-bility)退化的方法--直接隧道栅电流表征法(DTGCM,DT Gate Current Method)。用这种方法可以得到NBTI应力诱生在超薄栅氧化层中的缺陷密度(包括氧化层体陷阱密度和界面态密度),并得到PMOSFET器件阈值电压的漂移(ΔVth)信息。这种方法可以有效避免NBTI恢复效应的影响。