低亚表面损伤石英光学基底的加工和检测技术

制备低亚表面损伤的超光滑光学基底,是获得高损伤阈值薄膜的前提条件。针对石英材料在不同加工工序中引入亚表面损伤层的差异,首先利用共焦显微成像结合光散射的层析扫描技术,对W10和W5牌号SiC磨料研磨后的亚表面缺陷进行了检测,讨论了缺陷尺寸与散射信号强度、磨料粒径与损伤层深度间的对应关系;同时,采用化学腐蚀处理技术对抛光后样品的亚表面形貌进行了刻蚀研究,分析了化学反应生成物和亚表面缺陷对刻蚀速率的影响、不同深度下亚表面缺陷的分布特征,以及均方根粗糙度与刻蚀深度间的联系。根据各道加工工艺的不同采用了相应的亚表面检测技术,由此来确定下一道加工工序,合理的去除深度,最终获得了极低亚表面损伤的超光滑光学基底。     

电磁异向介质在阵列天线中的应用研究

为了抑制阵列天线单元的表面波,并减小阵元间的耦合效应,研究了电磁异向介质材料在抑制阵列天线互耦效应中的应用.基于开口谐振环(Split-Ring Resonator,SRR)负媒质材料特性,将SRR结构单元加载于阵列天线之中,提出了具有互耦抑制效应的天线设计方法.仿真结果表明:加载SRR结构单元后,天线谐振工作频点处的耦合系数降低了8.8 dB,即由原来的-16.3 dB降低到了-25.1 dB,而对天线阵列的增益和方向图没有太大的影响,可以满足工程的基本要求.为设计低耦合的微带阵列天线提供了理论支持.     

基于回声状态网络的功耗曲线特征提取

在模板(Template Attacks,TA)攻击的研究中,如何利用功耗曲线信息,合理选择有效点,增强匹配效果是改进模板攻击的一个重要方向.文中分析了目前有关功耗曲线主要特征提取方法的优缺点,并提出了一种基于回声状态网络(Echo State Network,ESN)的功耗曲线特征提取方法.该方法针对ESN分类方法中的储备池参数选择问题,以时间预测序列精度为标准,采用网格法进行参数空间的优化搜索,并利用神经网络以数据样本形式作为定量知识自行处理的能力,对粗略对齐下的功耗曲线的特征提取能力进行了测试和评估.实验结果表明,基于ESN功耗曲线特征提取方法在功耗曲线数量相同条件下,通过合理选择内核参数,能够降低模板攻击对功耗曲线预处理技术的依赖,提高正确密钥的分类精度.     

具有分形结构界面的固体膜/粘滞层/基底层状结构的变形

考虑固体膜/粘滞层/基底结构中粘滞层/基底界面不平整对结构的稳定性,特别是固体薄膜稳定时的褶皱变形产生的影响.考虑自仿射和峰状的粗糙界面.自仿射的粗糙界面由振幅和分形维表征,振幅和分形维越大对结构平衡的影响越大;峰状界面由振幅和平均峰间距表征,振幅越大对结构平衡影响越大,平均峰间距越小对结构平衡影响越大.进而,用有限元方法模拟分析该结构,得到界面平整和不平整两种情况下固体膜面内失稳力.结果表明,粘滞层/基底不平整情况下结构的平衡状态与假设该界面为理想平整面所得的结果有很大不同,在结构尺寸较小的情况下不可假设该界面为理想平整来考察该结构的稳定性.     

消除与WLAN同频干扰的UWB正交成形脉冲序列设计

提出了产生避免与WLAN同频干扰的UWB正交成形脉冲序列方法,并到了期望的正交成形脉冲序列.仿真结果表明,利用这种方法产生的UWB瞬时成形脉冲的功率谱密度分布符合FCC频谱规定的要求,具有很高的频谱利用率,既可以降低用户间干扰,又解决了UWB与窄带系统同频干扰的问题,可以提高系统的发射功率.     

射线跟踪法对室内MIMO信道容量分析

采用确定性传播预测模型——2维射线跟踪法分析了室内非视距传播环境中MIMO系统容量ccdfs。分析结果表明,在非视距的室内环境中实现MIMO系统容量增益所需要的散射环境是丰富的,天线阵的阵列结构如天线间隔是影响MIMO系统的主要因素。当天线之间的间隔为5λ时,MIMO 系统的容量非常接近Telatar分析的独立同分布瑞利信道容量。但当天线之间的间隔为0.5λ时,MIMO 系统容量显著降低,并且随着天线数目的增加,容量降低越显著。     

PML-FDTD及总场-散射场区连接边界条件在三维柱坐标系下的实现及应用

基于直接形式的麦克斯韦方程，在三维扩展柱坐标系下推导了完全匹配层吸收边界条件的时域有限差分表达式(UPML—FDTD)，将FDTD方法推广到三维柱坐标系中，并对其反射系数进行了测试。给出了柱坐标系下完整的总场一散射场区的连接边界条件以及平面波源的设置方法。最后利用这种方法模拟了平面波在自由空间中的传播过程，计算了理想导电圆柱体在TEM波照射下的散射方向图。     

格的TL-模糊理想

本文研究了格的TL-模糊理想. 利用生成TL-模糊理想, 证明了一个模格的全体T_M-模糊理想形成一个完备的模格. 此外, 利用L-模糊集的投影和截影, 获得了将直积格的TL-模糊理想表示成分量格的TL-模糊理想的L-直积的一个充分必要条件. 所得结果进一步推广和发展了格的模糊理想的理论.     

考虑相界效应的Ni基单晶合金纳米压痕模拟

利用分子动力学方法分别模拟金刚石压头压入Ni模型和Ni基单晶合金γ/γ′模型的纳米压痕过程,通过计算得到两种模型[001]晶向的弹性模量及硬度.采用中心对称参数分析不同压入深度时两种模型内部位错形核、长大过程以及Ni基单晶合金γ/γ′(001)相界面错配位错对纳米压痕过程的影响.结果显示:压入深度0.641 nm之前,两种模型的压入载荷-压入深度曲线相似,说明此时相界面处的错配位错对纳米压痕过程的影响很小;压入深度0.995 nm时,在错配位错处发生位错形核,晶体在γ相中沿着{111}面滑移,随即导致Ni基单晶合金γ/γ′模型压入载荷的下降,并在压入深度达到1.487 nm之前低于Ni模型相同压入深度时的压入载荷;压入深度从1.307 nm开始,由于相界面错配位错的阻碍作用,Ni基单晶合金γ/γ′模型压入载荷上升速度较快.