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基于OKI 0.5μm BiCMOS工艺,设计了一种低温漂的带隙基准电压源。对传统基准源的电压模式输出级进行了改进,使之形成同时包含电压模式和电流模式的混合模式输出级,提高了温度补偿的灵活性。同时设计了一种基于分段线性补偿技术的高精度曲率校正电路,精确地对基准电压的高阶温度分量进行修调。 HSPICE仿真结果表明,在5 V的电源电压下,基准输出电压为1.2156 V,在-40℃~125℃温度范围内,基准电压的温度系数为0.43×10-6/℃,低频时电路电源抑制比低于-83 dB。电源电压在3.8 V~10 V范围内变化时,基准源的线性调整率为9.2μV/V。 相似文献
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针对开关稳压器中负载电流检测难以同时做到准确、同步和结构简单这一难题,结合自己多年工作经验,提出了一种新颖的开关稳压器负载电流检测的新方法。其基本原理是利用断续模式(DCM)下负载电流与同步管栅极驱动信号N_DRV的同步关系,通过检测该栅极信号来检测开关稳压器的输出负载电流。这种方法不仅使负载电流检测同步和准确,且同时克服检测电感平均电流带来的电路结构复杂及实现上的困难。该电路经过HSpice仿真验证,其仅消耗5μA的静态电流,工作状态良好。 相似文献
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采用解析方法,在考虑材料损耗和色散的情况下,详细研究了无啁啾高斯脉冲和啁啾高斯脉冲在半导体光放大器中传输的物理过程,分析了强度增益、脉冲宽度和频率啁啾与线宽增强因子、色散系数、小信号增益特征参数及初始啁啾之间的关系。结果表明:当输入变换极限的高斯脉冲时,色散会引起增益压缩,脉冲展宽和频率啁啾;同样情况下,线宽增强因子越大,脉宽加宽越明显,输出脉冲啁啾越大,且随着线宽增强因子的增大,输出脉冲啁啾极大值向特征参数值较小的一边移动。当输入啁啾高斯脉冲时,初始脉冲啁啾越大,增益压缩越明显,啁啾系数为正时,脉冲单纯展宽,输出啁啾随特征参数的增大而逐渐减小,啁啾系数为负时,初始啁啾与群速度色散导致的啁啾相互竞争,致使脉冲先被压缩后被展宽;脉冲最窄处对应的特征参数随线宽增强因子的增大而先增大后减小,输出啁啾随特征参数的增大而经历振荡后趋于平稳。
相似文献5.
一款新颖的带隙基准电压源设计 总被引:1,自引:1,他引:0
基于TSMC0.5 μm CMOS工艺,设计了一款带隙基准源电路。与传统电压基准相比,该电路运用高增益的运算放大器进行内部负反馈。采用嵌套式密勒补偿,设计的低温漂、高电源抑制、低功耗的带隙基准电压源。仿真结果显示,该电路所产生的基准电压精度为13.2×10-6/℃,低频时的电源抑制为-98 dB,静态工作电流为3 μA。 相似文献
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贺炜 《微电子学与计算机》2010,27(2)
采用一种新颖的甚低功耗SAR ADC结构技术,基于SMIC 0.18μm CMOS工艺,设计实现了一个8bit、15Ms/s SAR ADC的芯片电路.该ADC利用电荷分享技术实现数据的采样/保持和逐次逼近转换过程,同时采用了异步时序控制技术代替传统的同步时序控制方式,对SAR控制逻辑进行优化设计,使其在功耗和速度方面都达到优良的性能.仿真结果显示该ADC能在15Ms/s的采样率下正常工作,平均功耗仅为518μW,整体性能优值FOM值达到了0.18pJ/Cony,远低于传统结构. 相似文献
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采用解析方法,在考虑材料损耗和色散的情况下,详细研究了无啁啾高斯脉冲和啁啾高斯脉冲在半导体光放大器中传输的物理过程,分析了强度增益、脉冲宽度和频率啁啾与线宽增强因子、色散系数、小信号增益特征参数及初始啁啾之间的关系。结果表明:当输入变换极限的高斯脉冲时,色散会引起增益压缩,脉冲展宽和频率啁啾;同样情况下,线宽增强因子越大,脉宽加宽越明显,输出脉冲啁啾越大,且随着线宽增强因子的增大,输出脉冲啁啾极大值向特征参数值较小的一边移动。当输入啁啾高斯脉冲时,初始脉冲啁啾越大,增益压缩越明显,啁啾系数为正时,脉冲单纯展宽,输出啁啾随特征参数的增大而逐渐减小,啁啾系数为负时,初始啁啾与群速度色散导致的啁啾相互竞争,致使脉冲先被压缩后被展宽;脉冲最窄处对应的特征参数随线宽增强因子的增大而先增大后减小,输出啁啾随特征参数的增大而经历振荡后趋于平稳。 相似文献
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贺炜 《微电子学与计算机》2010,27(5)
介绍了一种运用于带通Σ-Δ调制器的谐振频率为25MHz的低功耗开关电容DD谐振器电路.电路采用了运算放大器共享技术和双采样技术,同时对单元电路进行优化,达到功耗最小化.该谐振器电路采用SMIC 0.25μm混合信号CMOS工艺进行设计,整个电路模块面积仅为0.09mm2.测试结果表明,使用该谐振器电路的带通Σ-Δ调制器工作于100MHz采样频率时,对于信号带宽为1kHz的输入信号,调制器的输出在谐振频率处SFDR约为77dB.整个谐振器功耗为10.5mW. 相似文献
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介绍了一种电压控制型压电陶瓷驱动器的工作原理,基于OKI(OKI Electric Industry Co.)0.5μm BiCMOS(Bipolar CMOS)工艺,设计了一个用于该驱动器的高电源抑制比、低温漂的带隙电压基准源。采用自基准LDO为基准源提供伪电源电压,进一步提高电路的电源抑制比。引入改进后的分段线性电流补偿技术对基准进行曲率校正,提高了温度补偿的灵活性和精确度。HSPICE仿真结果表明,在-40~+150℃范围内,基准电压的温度系数为2.3×10-6/℃,低频时电路电源抑制比为-174dB。 相似文献